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[发明专利]增强型异质结场效应晶体管-CN201910891750.5在审
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;谭鑫;周幸叶;宋旭波;房玉龙;张志荣;郭艳敏 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型异质结场效应晶体管，增强型异质结场效应晶体管自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层和帽层；所述帽层自下而上依次包括介质层、P型掺杂帽层和N型掺杂帽层；所述缓冲层上分列有源电极和漏电极，所述N型掺杂帽层上设有栅电极。本发明提供的增强型异质结场效应晶体管，通过在势垒层与P型掺杂帽层之间引入介质层，在P型掺杂帽层与栅电极之间引入N型掺杂帽层，能够提高器件的阈值电压，增大器件的电流密度。
帽层异质结场效应晶体管增强型缓冲层介质层势垒层栅电极半导体器件技术阈值电压漏电极源电极引入衬底分列

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201110263401.2有效
发明人：夏洋;刘邦武;沈泽南;李超波;刘杰;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。所述太阳能电池包括金属栅电极、导电薄膜、非晶硅薄膜、黑硅层、晶硅和金属背电极；金属背电极位于晶硅的背面，黑硅层位于晶硅上，非晶硅薄膜位于黑硅层上，导电薄膜位于非晶硅薄膜上，金属栅电极位于导电薄膜上。本发明还提供了一种异质结太阳能电池的制备方法。本发明通过在黑硅结构上制备非晶硅薄膜，形成异质结太阳能电池，提高了太阳能电池的开路电压和短路电流，进而大大提高了太阳能电池的转化效率。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器及其制作方法-CN201710431610.0有效
发明人：邓涛;张兆浩 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开一种基于石墨烯的微型超宽带光探测器，包括单晶硅衬底；形成于单晶硅衬底上的应力层；形成于应力层上的异质结，异质结包括顺序设置的栅电极、第一石墨烯层、介电层、第二石墨烯层、与栅电极平行且等距的源电极和漏电极层结构；应力层使得异质结自组装为微管式三维结构；在上述结构上形成电流测量回路。
一种基于石墨微型宽带探测器及其制作方法

[发明专利]一种具有辅助栅结构的旁栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及工作方法与应用-CN202210532091.8在审
发明人：林兆军;周衡;吕元杰;刘阳 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有辅助栅结构的旁栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及工作方法与应用，属于微电子研究技术领域，相对于具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入由一对不与沟道接触、对称分布在沟道两侧且形状相同的金属电极组成的旁栅，旁栅下面的二维电子气不参与导电，只有漏‑源沟道导通，使得本发明用作低功耗A类电压放大器时，输入电压信号可以从0V开始向负偏压变化。通过对旁栅和辅助栅施加不同偏压，可以获得不同的器件工作模式，使得本发明在电路中的应用更加灵活，更适合于日益复杂的集成电路领域。
一种具有辅助结构 algan gan 异质结场效应晶体管工作方法应用

[发明专利]一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法-CN202310340762.5在审
发明人：罗小光;闫雨婷;徐金鹏;程迎春 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种近理想线性响应的双浮栅光电二极管及其制备方法，属于光电探测器制备技术领域。本发明公开了的近理想线性响应的双浮栅光电二极管，从下到上包括依次设置的SiO2/Si衬底、介电层、作为底部浮栅的第一MoTe2层和设置在表面的一对电极；所公开的结构在MoS2/MoTe2异质结的上、下两侧再形成两个II型范德华异质结构2/MoTe2和MoTe2/MoS2)，在两侧II型异质结内建电场的作用下，更完全地耗尽了异质结导电沟道中的少子，减弱沟道中的多子与少子发生的相互作用，实现近理想的线性响应。
一种理想线性响应双浮栅光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种新型异质结电池叠层电极的器件结构及其制备方法-CN202310110988.6在审
发明人：郭万武;高勇 -专利权人：中建材浚鑫科技有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供的一种新型异质结电池叠层电极的器件结构，包括基底、设于基底正面和背面的透明薄膜和设于透明薄膜外表的第一导电层，还包括设于第一导电层外表面的第二导电层；基底为经过表面处理的硅片，其两侧形成有钝化层和掺杂层；透明薄膜制备在基底表面，两面的透明薄膜材质可以相同也可以不同，厚度可以相同也可以不同，可以使用不同材质制备叠层；第一导电层包括细栅和主栅，细栅和主栅均连接于透明薄膜；主栅非必要，如制备无主栅电池，可不包括主栅；第二导电层包括细栅和主栅，细栅和主栅均连接于第一导电层；主栅非必要；本发明能够采用低成本金属或其他导电材料代替银浆，提升异质结太阳能电池效率，降低电池成本。
一种新型异质结电池电极器件结构及其制备方法

[发明专利]一种增大flash器件栅电容的方法及flash器件-CN201410009073.7有效
发明人：赵猛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种增大flash器件栅电容的方法及flash结构，通过对制备浮栅的多晶硅层进行局部Ge离子注入后并刻蚀，最终制备出一具有台阶图形的二级浮栅，在不影响器件关键尺寸的前提下，可有效增加介质层与浮栅和控制栅的接触面积，提高控制栅电容；同时形成的二级浮栅结构也提高了介质层与浮栅和控制栅之间能够具有更好的接触，进而提升器件性能；进一步的，本发明形成的浮栅是由多晶硅层和硅锗层共同构成，因此在浮栅中形成有Si‑SiGe异质结，掺杂在SiGe中具有更好的激活特性和更低的栅电阻；同时Si‑SiGe异质结所产生的结电容可以进一步贡献到整个器件的电容，对于flash器件性能提升具有积极效果。
一种增大 flash 器件电容方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法及异质结电池-CN202110012752.X在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结电池制备方法，包括配置制绒剂，制绒剂包括50±10％碱溶液、水、制绒添加剂；将单晶硅片置于制绒剂内，在单晶片表面生成若干个并列且依次连接的金字塔结构，若干个金字塔结构形成小绒面；在小绒面上依次形成非晶硅层、形成透明导电层；使用银浆原料在透明导电层表面形成主栅线和副栅线。本发明还提供了一种异质结电池。本发明的异质结电池制备方法能够使副栅线的线宽平均窄2.2μm，可以带来约15mA电流的提升。
一种异质结电池制备方法

[发明专利]一种GaN异质结纵向场效应管-CN201710651397.4有效
发明人：周琦;朱若璞;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种GaN异质结纵向场效应管。本发明采用纵向分立栅结构，将肖特基源极淀积在栅极之间，形成逆导二极管的阳极。通过引入P型基区形成的背势垒和凹槽栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DEG)，且可通过调节AlMN势垒层的刻蚀厚度精确调控阈值电压。同时其制造工艺与传统GaN异质结HEMT器件兼容。本发明尤其适用于GaN异质结纵向功率场效应管。
一种 gan 异质结纵向场效应

[发明专利]一种GaN异质结纵向逆导场效应管-CN201710651404.0有效
发明人：周琦;朱若璞;陈万军;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，涉及GaN异质结逆导场效应管。本发明采用纵向分立栅结构，将肖特基源极淀积在栅极之间，形成逆导二极管的阳极。通过P型基区形成的背势垒和P型栅共同作用耗尽栅下方沟道处的二维电子气(2DEG)，且可通过调节AlMN势垒层的再生长厚度精确调控阈值电压。同时其制造工艺与传统GaN异质结HEMT器件兼容。本发明尤其适用于GaN异质结纵向功率场效应管。
一种 gan 异质结纵向场效应

[发明专利]一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910444279.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-05-27 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池制备方法、电池、电池组组件及太阳能供电站，电池为多层结构，电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在透明导电层上的栅电极，在单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。该电池制备方法是在电池制备过程中，通过在形成异质结电池的单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层，通过沉积的薄膜层可对异质结电池的该层结构进行保护，并改善异质结电池的钝化效果、降低接触电阻，从而提升电池的光电转化效率。
一种电池制备方法组件太阳能供电站

[发明专利]一种围栅异质结器件-CN201510263199.1在审
发明人：汪志刚;陈协助;孙江 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种围栅异质结器件。本发明的围栅异质结器件，主要采用第二类半导体与第三类半导体形成异质结，并在欧姆接触S端设置绝缘层，在源漏之间设置有围栅栅极，通过在围栅栅极结构控制栅极沟道的关断及导通；在器件未加电压时，可通过控制围栅栅极里第三类半导体的厚度和掺杂的正负离子浓度使得器件是常关器件，通过栅漏之间和源漏之间的生长长度实现器件的正反向耐压。本发明的有益效果为围栅异质结器件是常关器件，能在异质结型HEMTs中集成、版图和工艺兼容性好，在高温高场环境下性能稳定，还具有电路耐压值可控的优点。
一种围栅异质结器件

[发明专利]基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹探测器及其制备方法-CN201910638572.5在审
发明人：金立川;张磊;贾侃成;张怀武;张岱南;魏苗清;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：一种基于碲化铋‑石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯‑碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。
异质结石墨烯碲化铋衬底绝缘层半导体太赫兹波探测器单层石墨烯漏极源极吸收率场效应管沟道太赫兹探测器光吸收率有效解决纳米片频段探测器背栅制备保证

[发明专利]GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法-CN202111493516.0在审
发明人：周春宇;李作为;张静;包建辉;尚建蕊;徐超;孙继浩;王冠宇 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GAA结构的异质结双极晶体管及其制备方法，该晶体管为小尺寸器件，主要利用全环绕栅式场效应晶体管(GAAFET)的工艺，制备Si/SiGe异质结双极晶体管。该结构的发射区与基区形成全包围式异质发射结，基区与集电区形成全包围式集电结，有效增加了发射结的注入效率和集电区抽取载流子的能力。对于Si/SiGe异质结，可以通过调节SiGe材料带隙宽度的变化来对载流子进行有效控制；通过提高SiGe基区的掺杂浓度使器件得到较高的Early电压，减小基极电阻，减弱大注入效应；通过减薄基区厚度大幅缩短基区渡越时间
gaa 结构异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]具有双工作模式的氮化镓集成场效应晶体管及其制备方法-CN202011221337.7有效
发明人：卢红亮;陈丁波;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：采用选区外延生长的方法，在AlGaN/GaN异质结侧壁生长p‑GaN形成p‑GaN/2DEG结。分别在p‑GaN和AlGaN/GaN异质结上制备p型和n型欧姆接触电极，在p‑GaN/2DEG结的AlGaN/GaN异质结一侧制备绝缘栅电极。本发明的GaN集成场效应晶体管同时具有增强型和耗尽型工作模式，同时采用基于AlGaN/GaN异质结的选区外延工艺避免制备互联金属，提高了集成器件的功能性，降低了集成器件的寄生效应，在高性能GaN功率器件和逻辑器件领域具有广泛的应用前景
具有双工模式氮化集成场效应晶体管及其制备方法