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[发明专利]多层源极/漏极应力源-CN200880001436.5无效
发明人：张达;V·德安达帕尼;D·V·戈德克;J·C·希尔德莱斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件(10)的方法，其包括形成在该半导体器件的源极区中的凹槽(26)和漏极区中的凹槽(28)。该方法还包括形成源极区的凹槽(26)中的第一半导体材料层(32)以及漏极区的凹槽(28)中的第二半导体材料层(34)，其中使用第一元素原子浓度和第二元素原子浓度具有第一比率的应力源材料以及具有第一浓度水平的掺杂材料形成第一半导体材料层
多层应力

[发明专利]半导体装置-CN201510116651.1有效
发明人：林立凡;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-03-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含主动层、源极、漏极、栅极、第一介电层、源极导线、第一源极贯穿结构、第二介电层、源极垫与第二源极贯穿结构。源极置于主动层上且沿第一方向延伸。漏极置于主动层上，且与源极交替排列。栅极分别置于源极与漏极之间。第一介电层覆盖源极、漏极与栅极。源极导线置于第一介电层上。第二介电层覆盖源极导线。源极垫置于第二介电层上，且包含第一源极主干、第一源极分支与源极次分支。第一源极主干沿第一方向延伸。第一源极分支突出于第一源极主干，且置于源极导线上。源极次分支突出于第一源极分支，且置于源极上。在不增加源极漏极之间电容值的情况下，源极垫可降低源极本身的电阻，且漏极垫可降低漏极本身的电阻。
半导体装置

[发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910281684.X在审
发明人：吴旭升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：此处公开改善集成电路装置效能所用的源极/漏极接点间隔物与其形成方法。该方法包括蚀刻层间介电层以形成源极/漏极接点开口，其露出源极/漏极结构上的接点蚀刻停止层。沉积源极/漏极接点间隔物层，以部分地填入源极/漏极接点开口并覆盖层间介电层与露出的接点蚀刻停止层。蚀刻源极/漏极接点间隔物层与接点蚀刻停止层，延伸源极/漏极接点开口以露出源极/漏极结构。蚀刻步骤形成源极/漏极接点间隔物。方法包含形成源极/漏极接点至延伸的源极/漏极接点开口中露出的源极/漏极结构。源极/漏极接点形成于源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的源极/漏极接点开口。在形成源极/漏极接点之前，可形成硅化物结构于露出的源极/漏极结构上。
源极/漏极接点间隔开口蚀刻停止层蚀刻介电层填入延伸集成电路装置硅化物结构间隔物层漏极接点沉积源覆盖层蚀刻层物层

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110049095.6在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙
半导体器件方法

[发明专利]一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板-CN202110332223.8在审
发明人：何政航;康报虹 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板，所述控制开关包括薄膜晶体管，所述驱动电路还包括源极引线，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，所述源极包括至少两个并列设置的源极分支，所述漏极包括至少一个漏极分支，所述漏极分支与所述源极分支并列且交替设置以形成沟道；与所述源极引线直接连接的所述源极分支为第一源极分支；与所述第一源极分支相邻设置的所述漏极分支为第一漏极分支，所述源极引线的延长线位于所述第一漏极分支和所述源极主干之间当对源极、漏极和源极引线所在的膜层进行蚀刻时，即使因为蚀刻不均匀，使得源极引线突出于第一源极分支，也不容易导致源极和漏极短路。
一种驱动电路控制开关阵列显示面板

[发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
发明人：李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202011291470.X在审
发明人：彭士玮;林威呈;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一晶体管包括第一源极/漏极、第二源极/漏极以及位于第一源极/漏极和第二源极/漏极之间的第一栅极。第二晶体管包括第三源极/漏极、第四源极/漏极以及位于第三源极/漏极和第四源极/漏极之间的第二栅极。接触件覆盖第一晶体管的第一源极/漏极和第二晶体管的第三源极/漏极。接触件电连接至第一晶体管的第一源极/漏极，并且与第二晶体管的第三源极/漏极电隔离。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202110894963.0在审
发明人：林大钧;叶冠麟;林俊仁;潘国华;江木吉;廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：设置第一源极/漏极结构于基板上方。设置第二源极/漏极结构于基板上方。隔离结构设置于第一源极/漏极结构以及第二源极/漏极结构之间。第一源极/漏极结构与隔离结构的第一侧壁形成实质上线性的第一界面。第二源极/漏极结构与隔离结构的第二侧壁形成实质上线性的第二界面。第一源极/漏极接触件在多个方向围绕第一源极/漏极结构。第二源极/漏极接触件在多个方向围绕第二源极/漏极结构。隔离结构设置于第一源极/漏极接触件以及第二源极/漏极接触件之间。
半导体装置

[发明专利]穿隧式场效晶体管-CN201811002450.9在审
发明人：瑞姆瓦尔·彼德;麦特西亚斯帕斯拉克;吉尔本·朵尔伯斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种穿隧式场效晶体管包含第一源极/漏极层、第二源极/漏极层以及半导体中间层。第一源极/漏极层包含第一极性侧壁。第二源极/漏极层围绕第一源极/漏极层，第二源极/漏极层与第一源极/漏极层具相反导电类型，半导体中间层位于第二源极/漏极层与第一源极/漏极层的第一极性侧壁之间。
源极/漏极场效晶体管中间层侧壁穿隧半导体相反导电类型

[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]源极线布局与磁隧道结（MTJ）存储器位单元中的存取晶体管接触布置的解耦以促进减小的接触电阻-CN201680024281.1有效
发明人：朱小春;鲁宇;朴禅度;康相赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了磁隧道结(MTJ)存储器位单元，其将源极线布局与存取晶体管节点尺寸解耦，以促进减小的接触电阻。在一个示例中，提供了MTJ存储器位单元(500B)，其包括源极板(508)，该源极板设置在用于存取晶体管(512)的源极节点(S)的源极接触件(502)上方并与该源极接触件接触。源极线(516)设置在源极板上方并与源极板接触以将源极线电连接到源极节点。源极板允许将源极线提供于比存取晶体管的源极接触件和漏极接触件更高的金属层级中，使得源极线不与源极接触件物理接触(即，解耦)。这允许源极线和漏极列之间的间距从源极节点和漏极节点的宽度被释放而不必增加接触电阻。
源极线布局隧道 mtj 存储器单元中的存取晶体管接触布置促进减小电阻

[发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
发明人：张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
nfet pfet 区域选择性凹进

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[实用新型]半导体装置-CN202221832715.X有效
发明人：黄玉莲;李资良;李志鸿;张祺澔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含：半导体鳍片、第一源极/漏极区域和一第二源极/漏极区域、层间介电质、栅极堆叠、第一源极/漏极接触件、以及第二源极/漏极接触件。半导体鳍片从半导体基板延伸。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域在半导体鳍片内。层间介电质在半导体基板上方。栅极堆叠介于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，其中栅极堆叠的至少一下部在朝向半导体基板的方向在宽度上减小。第一源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第一源极/漏极区域。第二源极/漏极接触件延伸穿过层间介电质至第二源极/漏极区域。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置-CN201510487758.7有效
发明人：王宝强;朴相镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够解决由刻蚀不均匀引起的源、漏极之间发生短路的问题。其中，所述薄膜晶体管包括同层设置的分别呈梳状的源极和漏极，源极与源极引线连接，源极包括多个第一源极梳齿部以及连接多个第一源极梳齿部的源极梳柄部，漏极包括至少一个第一漏极梳齿部以及连接第一漏极梳齿部的漏极梳柄部；源极还包括第二源极梳齿部，第二源极梳齿部与源极梳柄部连接，且与源极引线连接；漏极还包括位于第二源极梳齿部和邻近第二源极梳齿部的第一源极梳齿部之间的第二漏极梳齿部，第二漏极梳齿部不与漏极梳柄部连接。
薄膜晶体管 goa 栅极驱动电路阵列显示装置

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