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[发明专利]用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺-CN201910677844.2有效
发明人：马晓华;张鹏;孙保全;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于抑制短沟道效应的T形栅极及其制造工艺，包括：在势垒层上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成第二光刻胶层；在第二光刻胶层上沉积第二金属层；进行电子束光刻，形成第一区域；进行干法刻蚀，在第一区域的底面上形成势垒凹槽；对势垒凹槽进行栅金属沉积形成第一结构，第一结构包括T型栅；对第一结构进行剥离，得到凹槽型浮空T型栅。本发明实施例通过设置第一金属层和第二金属层，可以避免第一光刻胶层与第二光刻胶层之间发生互溶，并且金属层能够释放电子束光刻中剩余的电荷，消除对曝光图像的不利影响，从而形成形貌规整的T型栅，有效地抑制栅极寄生电容，有效的提高饱和电流截止频率fT。
用于抑制沟道效应栅极及其制造工艺

[发明专利]一种高频半导体栅极的制作方法-CN201910677856.5有效
发明人：张鹏;孙保全;马晓华;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
一种高频半导体栅极制作方法

[发明专利]一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路及其制备方法-CN201810811324.1有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;宓珉翰;侯斌;周小伟;祝杰杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备方法，包括制作PIN二极管、肖特基二极管以及GaN基器件，并将PIN二极管和肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于氮化镓的宽摆幅双向限幅电路的制备。本发明实施例，通过采用将PIN二极管和肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
一种基于氮化宽摆幅双向限幅电路及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基宽摆幅线性化器件及制作方法-CN201810811364.6有效
发明人：马晓华;杨凌;王瑞泽;郝跃;周小伟;祝杰杰;侯斌;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓基宽摆幅线性化器件的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作AlGaN/GaN HEMT器件，测试得到AlGaN/GaN HEMT器件的输入阻抗；在PIN二极管制作区域制作PIN二极管，使得PIN二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；在PIN二极管和AlGaN/GaN HEMT器件上制作互联层，得到宽摆幅线性化器件。本发明实施例在功率放大器前加入PIN二极管，既可以实现电路宽摆幅，又可以提高功率放大器的线性度。
一种氮化镓基宽摆幅线性化器件制作方法

[发明专利]基于X波段氮化镓预失真集成电路及制作方法-CN201810811387.7有效
发明人：马晓华;杨凌;芦浩;周小伟;祝杰杰;侯斌;宓珉翰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法，该制作方法包括：制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制作肖特基二极管，使得肖特基二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；键合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与肖特基二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路不仅在低频和窄带信号中能够有效开展，而且在高频和宽带环境下也可以有效输出功率；同时，预失真集成电路可以改善功率放大器的非线性失真，满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求。
基于波段氮化失真集成电路制作方法

[发明专利]一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路及其制备方法-CN201810811142.4有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;侯斌;宓珉翰;祝杰杰;周小伟;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向肖特基二极管、反向肖特基二极管以及GaN基器件，并将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基器件连接，从而完成基于肖特基二极管的毫米波过保护电路的制作。本发明实施例，通过采用将正向肖特基二极管和反向肖特基二极管并联再与GaN基器件的栅极连接的电路，可以实现电路的自我保护，同时满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击，实现器件的双向保护。
一种基于肖特基二极管毫米波保护电路及其制备方法

[发明专利]一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路及制作方法-CN201810811137.3有效
发明人：马晓华;杨凌;芦浩;祝杰杰;周小伟;侯斌;宓珉翰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于PIN二极管的毫米波预失真集成电路的制作方法，包括步骤：制备AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，测试得到所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制备PIN二极管，使得所述PIN二极管的输出阻抗与所述输入阻抗共轭匹配；键合所述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管和所述PIN二极管，得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路在低频、窄带环境和高频、宽带环境下都可以发挥最佳效应；同时，预失真集成电路可以减小氮化镓基功率放大器的幅度，改善功率放大器的非线性失真。
一种基于 pin 二极管毫米波失真集成电路制作方法

[发明专利]一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法-CN201810811349.1有效
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;宓珉翰;周小伟;侯斌;祝杰杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于肖特基二极管的毫米波线性化方法，包括：制备GaN基微波功率器件，测试得到GaN基微波功率器件的输入阻抗；制备肖特基二极管，测试得到肖特基二极管的输出阻抗；将肖特基二极管的输出阻抗与GaN基微波功率器件的输入阻抗共轭匹配；将GaN基微波功率器件与肖特基二极管通过键合互连。本发明实施例，减小了器件空间面积，可以提升线性度补偿并增强可调性，在高频和宽带环境下都可以发挥最佳效应，进一步提高器件集成度和工作速度。
一种基于肖特基二极管毫米波线性化方法

[发明专利]一种基于氮化镓的毫米波过保护电路及其制备方法-CN201811379063.7在审
发明人：杨凌;马晓华;芦浩;侯斌;宓珉翰;周小伟;祝杰杰;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备方法，包括制作正向PIN二极管、反向PIN二极管和GaN基高频器件，并将正向PIN二极管和反向PIN二极管并联后通过金属互联工艺与GaN基高频器件连接，完成基于氮化镓的毫米波过保护电路的制备。本发明实施例，通过采用并联的正向PIN二极管和反向PIN二极管的电路结构，可以实现电路的自我保护；通过采用低电容材料BN，减小了栅漏寄生电容，降低了器件的频率损耗，适用于高频工作环境，满足器件能够承受正反向大功率信号的冲击。
正向电路毫米波高频器件氮化镓并联制备金属互联工艺栅漏寄生电容大功率信号电路结构频率损耗自我保护低电容正反向减小制作

[发明专利]基于垂直PIN二极管双向限幅电路及制作方法-CN201810811159.X在审
发明人：马晓华;杨凌;郭建新;郝跃;祝杰杰;周小伟;侯斌;宓珉翰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于垂直PIN二极管双向限幅电路的制作方法，包括步骤：刻蚀AlGaN势垒层，在GaN缓冲层上形成正向PIN二极管制作区域和反向PIN二极管制作区域；在刻蚀后的AlGaN势垒层上制作GaN基高频器件；在正向PIN二极管制作区域制作正向PIN二极管；在反向PIN二极管制作区域制作反向PIN二极管；在GaN基高频器件、正向PIN二极管和反向PIN二极管上制作互联层，完成双向限幅电路的制作。本发明实施例的双向限幅电路具有电路面积小、低开态电阻、低关态电容等优点，在大功率信号冲击时的承受能力较强，能够满足高频率、高功率电子器件的需求。
制作正向双向限幅电路高频器件刻蚀高功率电子器件大功率信号承受能力开态电阻高频率互联层电容关态垂直电路

[发明专利]一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510694895.8在审
发明人：张鹏;宓珉翰;何云龙;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin‑HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明在Fin‑HEMT器件中加入了T型栅结构，能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积，同时由于电流主要在T型栅金属的上层传导，有效的降低了Fin‑HEMT器件的实际栅金属长度，有效减小栅极分布寄生电阻，提高器件的微波性能。
一种基于 gan 异质结材料 fin hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844869.9在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后在Fin结构的栅位置形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。本发明使用耐氯基气体刻蚀的SiN介质作为Fin的刻蚀掩蔽层，不但保证了Fin的有效宽度，而且能够形成侧壁陡直，形貌良好的Fin，同时SiN又是很好的GaN基异质结的钝化层，能够有效抑制GaN基HEMT器件的电流崩塌效应。
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法

[发明专利]一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件-CN201510688708.5在审
发明人：张鹏;宓珉翰;何云龙;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明在Fin-HEMT器件中加入了T型栅结构，能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积，同时由于电流主要在T型栅金属的上层传导，有效的降低了Fin-HEMT器件的实际栅金属长度，有效减小栅极分布寄生电阻，提高器件的微波性能。
一种基于 gan 异质结材料 fin hemt 器件

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844510.1在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后再在Fin结构的栅位置光刻形成金属栅图形，刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的SiN，然后在Fin结构侧壁形成介质层，最后在栅槽位置光刻栅图形，在整个结构表面进行金属蒸发，并剥离掉光刻胶，形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法

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