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- [发明专利]具有栅极连接栅格的垂直晶体管-CN202280019458.4在审
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T·奈尔;H·德维利斯绸威尔;F·阿勒斯坦
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半导体元件工业有限责任公司
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2022-02-15
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2023-10-27
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H01L29/739
- 在一个总体方面，一种半导体器件(100)可包括设置在半导体区的有源区(110)中的多个垂直晶体管段(200,300)。该多个垂直晶体管段可包括相应栅电极(206b,306b)。第一电介质(415,915,1015)可设置在该有源区上。导电栅格(130,230,330,430,630,930,1030)可设置在该第一电介质上。该导电栅格可以使用穿过该第一电介质形成的多个导电触点(430a,630a,930a,1030a)与相应栅电极电耦接。第二电介质(925)可设置在该导电栅格和该第一电介质上。导电金属层可设置在该第二电介质层上。该导电金属层可包括一部分(951)，该部分使用穿过该第二电介质形成的通往该导电栅格的至少一个导电触点(930a)通过该导电栅格与相应栅电极电耦接。
- 具有栅极连接栅格垂直晶体管
- [发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201910317942.5有效
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上马场龙;高桥彻雄;古川彰彦
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三菱电机株式会社
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2019-04-19
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2023-10-27
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H01L29/739
- 本发明的目的在于，在将晶体管区域和二极管区域一起设置于一个半导体衬底之上的半导体装置中，在二极管的恢复动作时实现良好的耐受性。半导体基体(30)在IGBT区域(1)以及二极管区域(2)中具有n‑型漂移层(3)，在IGBT区域(1)中具有：p型基极层(4)，其形成于n‑型漂移层(3)之上；p+型扩散层(5)以及n+型发射极层(6)，它们选择性地形成于p型基极层(4)之上，与p型基极层(4)相比p型杂质浓度高；以及栅极电极(9)，其隔着栅极绝缘膜(8)与p型基极层(4)相对，在二极管区域(2)中具有形成于n‑型漂移层(3)之上的p‑型阳极层(19)。p+型扩散层(5)与p‑型阳极层(19)相比p型杂质浓度高，p+型扩散层(5)随着接近二极管区域(2)而变浅，且p型杂质浓度变小。
- 半导体装置以及制造方法
- [发明专利]半导体装置-CN201980032573.3有效
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大仓康嗣
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株式会社电装
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2019-03-27
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2023-10-24
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H01L29/739
- 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202310181488.1在审
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御田村直树
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富士电机株式会社
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2023-02-20
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2023-10-20
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H01L29/739
- 本发明提供一种半导体装置，其具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板；台面部，其在所述半导体基板，设置于所述多个沟槽部之间；以及正面金属层，其设置于所述半导体基板的上方，所述多个沟槽部具有：栅极沟槽部，其具有栅极导电部和栅极绝缘膜；以及虚设沟槽部，其具有虚设导电部和虚设绝缘膜，所述正面金属层具有：上侧区域，其与邻接于所述虚设沟槽部的所述台面部的上表面接触；以及埋入区，其埋入于所述半导体基板，并与所述台面部的侧壁以及所述虚设导电部接触。
- 半导体装置
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