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[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种ZrS3-CN202310405533.7在审
发明人：周杨波;刘广健;肖志林;廖霞霞;张家玮;柯明杰 -专利权人：南昌大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明属于二维材料晶体管器件领域，公开了一种ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管及其制备方法。本发明通过直接氧化法，结合电子束刻蚀和真空镀膜技术制得ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。该制备方法操作简单，成本低、耗时短，只通过一次样品转移即制备出了ZrS3/ZrO异质结且可实现大量异质结同时制备；与常规的异质结制备方法不同，本发明首次提出通过热氧化处理沟道材料表层以获得介电层，且无需考虑介电材料与沟道材料的晶格匹配和结合性问题，制得的ZrS3/ZrO异质结顶栅场效应晶体管。
一种 zrs base sub

[发明专利]多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201710637095.1在审
发明人：吴绍飞 -专利权人：吴绍飞
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，亚阈特性好，可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。
异质结第一层钝化层高电子迁移率晶体管鳍式结构栅电极沟道微波功率器件饱和电流发明器件沟道器件亚阈特性低功耗低噪声两侧壁漏电极能力强源电极顶层衬底可用源漏栅长覆盖制作

[发明专利]多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201710885205.6在审
发明人：刘梅 -专利权人：南京誉凯电子科技有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，亚阈特性好，可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。
异质结第一层钝化层高电子迁移率晶体管鳍式结构栅电极沟道微波功率器件饱和电流发明器件沟道器件亚阈特性低功耗低噪声两侧壁漏电极能力强源电极顶层衬底可用源漏栅长覆盖制作

[发明专利]多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201510846159.X在审
发明人：王冲;魏晓晓;郝跃;何云龙;郑雪峰;马晓华;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和源漏栅电极，源电极和漏电极分别位于SiN钝化层两侧顶层AlGaN势垒层上，其特征在于：第一层AlGaN/GaN异质结与SiN钝化层之间设有GaN层和AlGaN势垒层，形成第二层AlGaN/GaN异质结(3)；栅电极覆盖在第二层异质结顶部和第一层及第二层异质结的两侧壁。本发明器件栅控能力强，饱和电流大，亚阈特性好，可用于短栅长的低功耗低噪声微波功率器件。
沟道结构 algan gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]一种基于介质图形化技术的氮化镓器件及其制备方法-CN202111301490.5有效
发明人：王鑫华;刘新宇;黄森;魏珂;蒋其梦;殷海波;樊捷;邓可心;景冠军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化镓器件包括：基质层、(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层、源电极、漏电极和栅电极，(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层覆盖在基质层上面，源电极和漏电极分别设置在(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层两端，栅电极设置在源电极和漏电极之间，源电极和栅电极之间的(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有LPCVD‑氮化硅材料层，漏电极和栅电极之间的至少部分(Al,In)GaN/GaN异质结沟外延材料层表面设置有非LPCVD工艺生长的钝化层。
一种基于介质图形技术氮化器件及其制备方法

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202022808021.X有效
发明人：邓士锋;赵亚婷;陆悦;夏正月;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，所涉及的异质结太阳能电池具有设置于硅衬底受光面一侧的第一透明导电膜层以及设置于硅衬底背光面一侧且方阻小于第一透明导电膜层方阻的第二透明导电膜层，第一透明导电膜层与第二透明导电膜层上还分别设置有第一集电极与第二集电极，第二集电极具有设置于第二透明导电膜层上的铝副栅；本实用新型将传统异质结太阳能电池的背面银副栅更换为铝副栅，能够大幅降低异质结太阳能电池的制作成本；而且由于位于背光面的第二透明导电膜层相对位于受光面的第一透明导电膜层具有更小的方阻，即使将异质结太阳能电池中的传统背面银副栅更换为铝副栅，也能满足异质结太阳能电池背面电流的顺畅传输。
异质结太阳能电池

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202022499721.5有效
发明人：许涛;邓士锋 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，其包括电池片本体、设置于所述电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、以及设置于所述电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层，所述异质结太阳能电池还包括设置于所述第一透明导电膜层和/或所述第二透明导电膜层表面的复合主栅，所述复合主栅包括第一栅线层以及设置于所述第一栅线层背离所述电池片本体一侧表面的第二栅线层，所述第二栅线层覆盖所述第一栅线层于宽度方向上相对的两侧表面；本实用新型所涉及异质结太阳能电池中，提供了一种不同于传统低温浆料所印制主栅结构的复合主栅，为异质结太阳能电池的集电极制作提供更多选择。
异质结太阳能电池

[发明专利]一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法-CN202211481267.8在审
发明人：叶继春;杜浩江;盛江;王太强;廖明墩;曾俞衡;刘伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法，硅异质结光伏电池包括准异质结电池片、第一镍种子层、第二镍种子层、第一铜栅线层和第二铜栅线层，准异质结电池片的透明导电氧化物层经过化学溶液处理。本发明利用化学试剂对硅异质结电池表面TCO进行预处理以调节其润湿性及功函数，随后连续电镀Ni种子层及Cu层，并化学镀Sn层，最后退火处理完成电池制备，该金属化方法具有成本低，粘附力好，栅线均匀性好，接触电阻率低等优点
一种硅异质结光伏电池及其金属化处理方法

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010754118.9有效
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开一种硅异质结太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以提高硅异质结太阳能电池的可靠性。太阳能电池的制作方法包括：提供一异质结硅基底；异质结硅基底具有相对的第一面和第二面；在第一面上依次形成第一透明导电膜和第一电极栅线；在第一透明导电膜以及第一电极栅线上形成第一钝化膜；在第一电极栅线的至少第一焊接区域上涂覆第一刻蚀浆料硅异质结太阳能电池采用上述制作方法制作。
硅异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110251405.9无效
发明人：朱俊;郝兰众;李言荣;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管，属于微电子技术领域。包括(0001)晶向的GaN薄膜和AlxGa1-xN(0＜x≤1)薄膜形成的GaN异质结；在AlxGa1-xN薄膜上具有栅、源、漏电极，在栅电极与AlxGa1-xN薄膜之间具有栅介质薄膜；所述栅介质薄膜或者是由于LNO或LTO铁电薄膜中的C+方向铁电自发极化的作用，导致AlGaN/GaN异质结中的2DEG被完全耗尽，从而使得本发明提供的铁电薄膜栅GaN异质结场效应晶体管表现出常关特征，即形成增强型器件。本发明提供的铁电薄膜栅增强型GaN异质结场效应晶体管具有结构简单的特点，且实现工艺简单、重复性好、稳定性和可靠性高。
一种薄膜增强 gan 异质结场效应晶体管

[发明专利]一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法-CN201910374122.X在审
发明人：李效民;黎冠杰;陈永博;朱秋香;赵俊亮;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铁电栅GaN基增强型HEMT器件的异质结构及其制备方法，所述异质结构包括：AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底，以及依次生长在所述AlGaN/GaN/Si异质结半导体衬底中AlGaN层表面的MgO外延薄膜界面层和BaTiO3铁电薄膜栅介质。
一种用于铁电栅 gan 增强 hemt 器件结构及其制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202211621931.4在审
发明人：宿世超;王伟;刘刚 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明涉及异质结太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，其中，异质结太阳能电池包括N型晶体硅片；N型晶体硅片的受光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；背光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；隔离薄膜层完全覆盖所述副栅线，所述隔离薄膜层包括第一隔离薄膜子层、第二隔离薄膜子层及第三隔离薄膜子层；该方法控制生产成本前提下提高电池的转化效率，同时解决副栅线使用银包铜浆料氧化失效问题。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元-CN200510082811.1有效
发明人：蔡一茂;单晓楠;周发龙;李炎;黄如;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用P⁺N⁺P⁺不同掺杂的多晶硅或者宽禁带材料+窄禁带材料+宽禁带材料结构组成浮栅，导带和价带的能级上有至少两个异质结，该异质结使浮栅的能带形成能谷。实现了闪存存储单元存储的电子被浮栅的异质结限制在浮栅的能谷中，大大地增加了闪存的保持特性。而且在相同编程环境下，大大提高了闪存单元的编程速度和效率，降低了编程功耗。
闪存存储单元及其制备方法一种

[发明专利]一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法-CN201510844510.1在审
发明人：张鹏;何云龙;宓珉翰;张濛;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaN基HEMT器件的Fin-HEMT器件及其制备方法，首先在GaN基异质结表面生长SiN层作为掩蔽层，然后光刻出Fin图形，并依次刻蚀SiN层和GaN基异质结层，形成Fin结构，最后再在Fin结构的栅位置光刻形成金属栅图形，刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的SiN，然后在Fin结构侧壁形成介质层，最后在栅槽位置光刻栅图形，在整个结构表面进行金属蒸发，并剥离掉光刻胶，形成金属栅；其中，刻蚀SiN层和GaN基异质结分别在不同的刻蚀工艺气体下进行。
一种基于 gan hemt 器件 fin 及其制备方法