“H01L21/268”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果451个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法-CN202310787715.5在审
发明人：刘翠翠;郭刚;史慧琳;张付强;刘建成 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善碳化硅肖特基二极管抗单粒子效应能力的方法，属于半导体材料技术领域，该方法包括：S1、将待辐照SiC JBS器件分组，将同型号器件固定在多自由度样品运动控制平台上；S2、对样品辐照靶室抽真空；S3、改变加速器质子束流参数，开展不同辐照条件下的验证实验，确定改善SiC JBS器件抗单粒子效应能力的最优参数；S4、重复步骤S1‑S3，获得改善不同型号器件抗单粒子效应能力的最优参数；S5、针对某个型号器件，设置与之匹配的最优加速器质子束流参数，开展批量化辐照；S6、辐照结束后对器件进行室温退火，最后进行电学性能测试和抗单粒子效应能力验证。本发明提供的方法能够快速批量完成SiC JBS半封装器件、裸片以及晶圆的抗单粒子效应能力改善。
一种改善碳化硅肖特基二极管粒子效应能力方法

[发明专利]多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法-CN202311182005.6在审
发明人：何力;温书育;朱元昊;任慧雪;伍绍腾;骆军委 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法，包括：对半导体晶体表面进行离子注入，在半导体晶体表面形成非晶掺杂区；向非晶掺杂区进行多次脉冲激光辐照退火，以使非晶掺杂区在亚熔化状态发生重结晶，激活非晶掺杂区的离子。同时避免了表面烧蚀、蒸发效应以及熔体冷却再生引起杂质偏析效应，使得重结晶过程中的掺杂原子损失大幅降低。
多次脉冲熔化准分子激光退火方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体制造装置-CN202310398499.5在审
发明人：三神和章;石井智洋;中村胜光;金田和德 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法及制造装置，即使对于产生了裂缝的基板，也能够对不良情况进行抑制，并且进行激光退火处理。对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的激光的光量的时间积分的方式，使激光在基板的主面之上扫描，对基板进行激光退火处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及半导体器件制造方法-CN201880054960.2有效
发明人：铃木祐辉;藤贵洋;三上贵弘;山口芳広;清水良 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2018-02-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：根据一种实施方式的激光照射装置(1)包括用于产生激光的激光生成装置(14)以及用于浮起待施加所述激光的处理对象(16)的浮起单元(10)。所述浮起单元(10)包括第一区域和第二区域，所述第一和第二区域设置为使得在平面视角下，所述激光的焦点与所述第一区域重叠，且所述激光的焦点与所述第二区域不重叠。所述第二区域的表面部分由金属构件形成。
激光照射装置方法以及半导体器件制造

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202310350521.9在审
发明人：中林正助;长屋正武;笹冈千秋;恩田正一;小岛淳;河口大祐;杉浦隆二;油井俊树;原佳祐;荒谷知巳 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社;国立大学法人东海国立大学机构;浜松光子学株式会社
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种改善晶圆马鞍形翘曲变形的方法-CN202310893581.5在审
发明人：李哲轩;任堃;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开一种改善晶圆马鞍形翘曲变形的方法，包括以下步骤：步骤一，量测晶圆翘曲情况；步骤二，在晶圆背面形成保护氧化层和激光吸收层；步骤三，在晶圆背面垂直于X方向切槽处理；步骤四，在晶圆背面形成应力调整层；步骤五，在晶圆背面进行化学机械研磨。本发明通过对晶圆背面切槽处理以及对应力调整层的设计区域进行激光退火，以使应力调整层发生压缩应力，从而有效改善各向异性翘曲。防止由于晶圆翘曲造成的产品良率下降，甚至停机、掉片的现象发生，能够降低成本，提高生产效率。该方法较传统方法相比简单易加工，且效果显著。
一种改善马鞍形变形方法

[发明专利]卡盘板、退火装置及退火方法-CN201880074747.8有效
发明人：田中哲平 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：在退火对象物与保持台之间配置有卡盘板。卡盘板具有使从退火对象物放射而朝向保持台的热辐射光衰减的功能。若使用该卡盘板，则能够提高通过检测热辐射光来测定温度的精确度。
卡盘退火装置方法

[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN202310161578.4在审
发明人：中川崇;佐佐木伸也;道田典明;山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明能够在实现衬底温度的低温化的同时对形成于衬底上的膜进行均匀地处理。本发明具备：将形成有处理对象膜和作用对象膜的衬底搬入处理室内的工序；对前述作用对象膜照射电磁波的工序；和利用前述电磁波的照射使前述作用对象膜发热，利用已发热的前述作用对象膜对前述处理对象膜进行加热，从而有指向性地进行改性处理的工序。
衬底处理方法半导体器件制造记录介质装置

[发明专利]一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法-CN201911317475.2有效
发明人：杨曲;周波;马春华;林锦辉 -专利权人：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种无需人工操作、实现方便、性能可靠、高效精确的一种准分子激光退火制程OED的自动校正方法，包括：采用Mura的量化方法获取实时Mura值，并将所述Mura值上报给控制系统；将所述Mura值与预设的Mura值范围进行对比，若超出范围，则控制所述准分子激光退火装置校正最佳能量密度，其中校正方法为：（1）提供表面具有一非晶硅层的基板，且该非晶硅层区分有多个区域；（2）分别利用不同的能量密度的准分子激光照射各该区域；（3）采用Mura的量化方法量化各该区域的Mura值，且具有最小Mura值的区域所对应的准分子激光的能量密度即为最佳能量密度；（4）准分子激光退火装置利用步该最佳能量密度的准分子激光照射具有非晶硅层的产品基板。
一种准分子激光退火 oed 自动校正方法

[发明专利]基于高温计的动态表面扫描方法及系统-CN202210252731.X在审
发明人：杨增辉;吕壮;陈洁;袁果 -专利权人：北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造技术领域，提供一种基于高温计的动态表面扫描方法及系统，通过获取扫描装置的晶圆上待扫描的所有点的补偿流程、热量释放时间以及扫描焦点位置以及扫描分组，确定动态表面扫描的全流程；然后通过扫描装置按照所涉及的动态表面全流程进行扫描。本发明通过对各点进行双线插值的实时补偿并精确获取焦点，使得晶圆的不同位置的镍化硅合成均匀；通过进行扫描流程的整体设计，避免了激光功率的频繁升降，进而大大降低了因频繁升降功率导致的硅片或者其他部位的损坏，甚至导致金属离子释放污染硅片的现象的发生概率；达到了扫描点遍布晶圆表面，且充分激活掺杂的离子的的技术效果。
基于高温动态表面扫描方法系统

[发明专利]运送装置、运送方法及用于制造半导体装置的方法-CN202280012371.4在审
发明人：山口芳广;藤贵洋;今村博亮 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：根据一实施例，一种构造成运送基板(100)以便用激光照射基板(100)以形成线状照射区域(15a)的运送装置包括：悬浮单元(10)，其构造成使所述基板在所述基板悬浮单元的上表面上方悬浮；保持机构(12)，其构造成保持基板(100)；以及移动机构(13)，其构造成在从垂直于线状激光的长度方向的方向倾斜的方向上移动保持机构(12)，以便改变激光在基板(100)中的照射位置。
运送装置方法用于制造半导体

[发明专利]太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202211485637.5在审
发明人：李文琪;赵世杰;张晓雯;杨洁;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，包括：提供基底，基底具有相对的第一表面以及第二表面；在第一表面形成沿背离基底方向层叠的掺杂层以及第一钝化层，掺杂层与基底构成PN结；在第二表面形成第二钝化层；采用烧结工艺在第一钝化层表面形成多条间隔排布的第一栅线电极，以及在第二钝化层表面形成多条间隔排布的第二栅线电极；在同一工艺步骤中，对第一栅线电极和第一栅线电极的邻近区域进行激光工艺，以及在第一栅线电极与第二栅线电极之间通入反向电流以使PN结反向偏置，邻近区域定义为：距离第一栅线电极边缘预设距离以内的区域。本申请实施例有利于提高制备的太阳能电池的光电转换性能。
太阳能电池制备方法

[发明专利]激光退火加工装置、半导体装置的制造方法及非晶硅的结晶化方法-CN201780044336.X有效
发明人：郑石焕;町田政志 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工装置，具备：产生激光束的激光光源；第一分束器，激光束入射到该第一分束器；第二分束器，通过了第一分束器的激光束入射到该第二分束器；以及控制从第二分束器射出的激光束的能量密度的均束器，从均束器输出的激光束包括p偏光成分和s偏光成分，优选地，p偏光成分和s偏光成分的能量强度之比在被处理体面上为0.74以上且1.23以下。
激光退火加工装置半导体制造方法非晶硅结晶

[发明专利]激光退火系统及其退火方法-CN202210190773.5在审
发明人：黄元昊;周伟;刘晓;董洪波;赖勇;苏海业;罗闻 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光退火系统及其退火方法，所述退火系统包括：吸盘、激光辐射模块、高温测量模块、误差测量模块与前馈补偿模块；吸盘用于放置衬底；激光辐射模块用于发出激光辐射对衬底进行退火；高温测量模块用于测量衬底表面温度；误差测量模块用于获得高温测量补偿信息；前馈补偿模块根据所述衬底表面温度、所述高温测量补偿信息，调整所述激光辐射模块发出的激光辐射，从而提高温度测量的准确性，进而提升闭环反馈控制的准确性，提高退火均匀性。
激光退火系统及其方法

[发明专利]激光退火装置、带晶化膜基底的检查方法及半导体器件制造方法-CN201780051430.8有效
发明人：大森贤一;郑石焕;佐藤亮介;町田政志 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：根据本发明实施方式的激光退火装置(1)包括：激光光源(11)，用于发出激光光束(L1)，以使得基底(100)上的非晶膜(101a)结晶化并形成多晶硅膜(101b)；投影透镜(13)，用于会聚所述激光光束，以对硅膜(101)进行照射；探测光源，用于发出探测光束(L2)；光电检测器(25)，用于对透过硅膜(101)的探测光束(L3)进行检测；处理装置(26)，用于计算所述光电检测器所输出的检测信号的检测值的标准差，并根据该标准差，判断所述硅膜(101)的结晶状态。
激光退火装置带晶化膜基底检查方法半导体器件制造

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 451 条