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[发明专利]一类含有吩噻嗪的共轭稠合大环材料及其制备方法和应用-CN202210058052.9有效
发明人：陆雪峰;刘云圻;朱江玙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C07D513/22 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，具体为一类含有吩噻嗪的共轭稠合大环材料及其制备方法和应用。该类材料结构如式Ⅰ）或式Ⅱ）所示，包含不同几何大小的全稠合大环，其中：R1为C1‑C30烷氧基，R2为C1‑C30烷烃基、C1‑C30烷氧基或取代芳基。全稠合大环可以看作石墨烯、富勒烯、碳纳米管等纳米碳材料的片段，在有机光电材料和器件领域有潜在应用。本发明将吩噻嗪单元引入全稠合大环，能够增强结构单元间的相互作用，促进分子内和分子间的电荷传输，应用在有机场效应晶体管中,载流子迁移率可达10‑3 cm2V‑1s‑1。本发明原料结构简单、易于纯化，具有步骤少、成本低、易于制备等优点。#imgabs0#
一类含有吩噻嗪共轭稠合大环材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法-CN202210281947.9在审
发明人： 刘云圻;刘国才;郭云龙 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于准分子紫外光制备高密度柔性有机电化学晶体管的方法。本发明首先创新了有机电化学晶体管的器件结构，将晶体管的活性层与源漏电极合为一体，以缩小器件尺寸提高密度；采用172nm准分子紫外光实现对器件电极、活性层、沟道等图案化，相比于传统光刻技术减少了制备流程，低成本、简单易行；该技术可控地搭建沟道长度2～15μm的器件，且在＜1V电压下即可正常工作；并有效地将有机电化学晶体管的栅电解质层图案化，解决了器件间的共栅连通问题，最终器件的密度可控在每平方厘米15,000～105,000个，并成功地从硬质基底上剥离下来，形成柔性可贴合的电化学器件；该发明有利的推动了电化学晶体管在信息技术、生物传感等领域的应用。
一种基于分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管方法

[发明专利]一种新型导电一维π-d共轭纳米带金属有机框架材料及制备方法-CN202210276145.9在审
发明人：陈建毅;商圣从;杜长胜;刘友星;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型导电一维π‑d共轭纳米带金属有机框架材料及其制备方法。以Cu(CH3COO)2·H2O、1,5‑二氨基‑4,8‑二羟基‑9,10‑蒽二酮为原料制备得到。本发明采用简单的溶液法制备了新型的一维金属有机框架材料，常压进行，温度不超过100℃，制备流程简单易行可进行大量生产；本发明采用简单的两相界面法制备了新型的一维金属有机框架薄膜材料，该方法常温常压进行，制备条件温和；本发明所制备的新型一维π‑d共轭纳米带金属有机框架材料晶体结晶度高，长度最大超过100微米以上；本发明所制备的新型一维π‑d共轭纳米带金属有机框架材料薄膜结晶度高，容易转移，厚度可控，适应器件制作需求。
一种新型导电共轭纳米金属有机框架材料制备方法

[发明专利]基于弹性体/量子点杂化介电材料的低压可拉伸有机晶体管及其制备方法-CN202210263038.2在审
发明人：郭云龙;王成彧;刘凯;边洋爽;赵志远;潘兴浩;钟成;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于弹性体/量子点杂化介电材料的低压可拉伸有机晶体管。其自下至上依次包括可拉伸衬底、可拉伸栅电极、可拉伸杂化聚合物介电层、可拉伸聚合物半导体层以及位于同一平面的可拉伸源电极和可拉伸漏电极，其中，该晶体管为底栅顶接触结构。本发明通过优化弹性体聚合物与量子点共混条件及调控量子点在弹性体中微相分离和聚集行为，从而制备了一种超柔性(拉伸应变600％)、高介电常数的大面积杂化聚合物薄膜。基于此聚合物介电薄膜，所制备的可拉伸有机晶体管不仅呈现出低操作电压(低于5伏)、高载流子迁移率、高开关电流比、低阈值电压和低亚阈值斜率，而且也具有良好的性能稳定性、透光度、皮肤共形性以及优异的耐拉伸应变能力。
基于弹性体量子点杂化介电材料低压拉伸有机晶体管及其制备方法

[发明专利]一类含有杂原子的共轭稠环大环材料及其制备方法和应用-CN202111291930.3有效
发明人：陆雪峰;刘云圻;张宁 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07D487/08 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，具体为一类含有杂原子的共轭稠环大环材料及其制备方法和应用。该类材料结构如下所示，其中X为O或S，R1、R2、R3独立地为烷烃基或芳烷基，其拓扑结构、吸收光谱和荧光光谱可通过不同种类和数目的杂原子来调节。本发明原料结构简单、价廉易得，易于纯化，具有成本低，易于制备等优点。此外，共轭稠合大环材料具有独特的电子结构和纳米孔结构，是一类优良的载流子传输材料，将这一类共轭稠合大环材料应用到场效应晶体管器件中，可获得超过0.2 cm2 V‑1 s‑1的迁移率。
一类含有原子共轭稠环大环材料及其制备方法应用

[发明专利]一类基于苯并二噻吩的共轭大环材料及其制备方法和应用-CN202210084941.2有效
发明人：陆雪峰;刘云圻;安冬月 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体材料和有机超分子功能材料技术领域，具体为一类基于苯并二噻吩的共轭大环材料及其制备方法和应用。该类材料结构如式Ⅰ）所示，其中n为大于等于2的整数，R1、R2独立的选自烷烃基或者芳基。本发明以苯并二噻吩双硼酯和3,6‑二溴菲为起始原料，通过一步Suzuki偶联反应即可得到单元数不同的各种共轭大环（n=2,3,4,5......)，具有成本低，产率高，易于制备等优点。此外，共轭大环材料具有独特的电子结构和纳米孔结构，在有机场效应晶体管和超分子组装中具有极大的应用前景。）
一类基于噻吩共轭材料及其制备方法应用

[发明专利]基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管-CN202210031484.0在审
发明人： 刘云圻;潘志超;郭云龙;刘凯;匡俊华;刘国才;郭安康;秦铭聪 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K50/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全层异质结的低压高性能有机发光晶体管(OLETs)。该OLET采用全层异质结结构，自上至下依次包括漏电极、漏电极修饰层、电子传输层、发光层、源电极、源电极修饰层、空穴传输层、绝缘层、栅电极和玻璃衬底。该OLET采用非平面非对称电极的器件结构，栅电极采用高导电材料和高透光材料组成的双层异质结结构；绝缘层采用高介电常数材料和高疏水材料组成的双层异质结结构；传输层采用高电荷传输材料和能级匹配材料组成的双层异质结结构；发光层采用P型主客体掺杂和N型主客体掺杂的双层异质结结构。该全层异质结的OLETs，同时实现了低压、高亮度、高外量子效率、大开口率、高稳定性和性能均一的OLETs。
基于全层异质结低压性能有机发光晶体管

[发明专利]一种实现高性能可拉伸电致发光聚合物半导体薄膜的掺杂结构及其应用-CN202210015790.5在审
发明人： 刘云圻;刘彦伟;郭云龙 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K85/10 文献下载
摘要：本发明提供一种实现高性能可拉伸电致发光聚合物半导体薄膜的掺杂结构，以实现发光聚合物半导体的机械性能和半导体性能的同时提升，并将其应用于可拉伸光电器件中。具体为：采用具有一定组装能力的发光聚合物半导体(如高分子量的(L‑SY‑PPV)与PAN共混，混合薄膜具有低尺度三维贯穿纳米网络结构，该结构可以同时兼顾发光聚合物半导体的电致发光特性和机械特性，该纳米限域结构薄膜自上而下均匀分布，纳米纤维的尺度为20nm～50nm之间，纳米纤维和无定型结构互穿堆积，形成互穿网络结构。基于该结构的可拉伸发光半导体有望用于新型柔性显示应用中。
一种实现性能拉伸电致发光聚合物半导体薄膜掺杂结构及其应用

[发明专利]基于萘二酰亚胺的共轭大环材料及其制备方法-CN202210234167.9有效
发明人：陆雪峰;刘云圻;孙钰涛;朱江玙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C07D487/22 文献下载
摘要：本发明公开了一类基于萘二酰亚胺的共轭大环材料及其制备方法。该类材料结构通式见式Ⅰ）或式Ⅱ），其中，式Ⅰ）所示的萘二酰亚胺与菲单元构成的环状分子的基本组成单元数n为2、3和4，式Ⅱ）所示的萘二酰亚胺与苯单元构成的环状分子的基本组成单元数m为3、4和5，R1选自直链或支链烷基，R 2选自芳烃或直链或支链烷基。本发明共轭大环化合物以1,8‑萘二酸酐为起始原料，通过Suzuki偶联制备得到；本发明制备方法简单，可通过调控共轭大环中萘二酰亚胺单元个数，调控分子的HOMO和LUMO能级；因其分子内纳米孔大小可调控，可与不同客体分子进行超分子组装，在气体分离等领域有良好的应用前景。
基于萘二酰亚胺共轭材料及其制备方法

[发明专利]四氰基取代双缩苊醌酰亚胺有机材料及其制备方法与应用-CN202210689420.X有效
发明人：赵岩;陈华杰;杨鑫;吴锃;刘云圻 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C07D471/06 文献下载
摘要：本发明属于有机光电材料技术领域，具体为四氰基取代双缩苊醌酰亚胺有机材料及其制备方法与应用。本发明的四氰基取代双缩苊醌酰亚胺有机材料，利用苊醌酰亚胺的二酮碳基与乙腈基的活性亚甲基通过Knoevenagel缩合反应引入氰基而得到，是一种有机小分子电子传输材料；可提高目标分子的电子亲和力以及调控材料的能级和光谱吸收；拓宽分子π‑共轭骨架并对称引入四个氰基，以增强分子间作用力，并保持分子骨架的平面性以改善分子间的堆积模式。该有机小分子材料具有吸电能力强、骨架共轭大、溶解性良好、热稳定性优异以及吸光能力强等优点，制备方法简单高效、重复性好和普适性高，可用于制备有机场效应晶体管等，具有广泛应用前景。
四氰基取代双缩苊醌酰亚胺有机材料及其制备方法应用

[发明专利]一种大面积均匀单层石墨烯薄膜的制备方法-CN202011576672.9有效
发明人：武斌;姚文乾;张家宁;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备大面积均匀单层石墨烯薄膜的方法。该方法将电化学抛光后的单晶基底铜(111)放入高温管式炉，采用化学气相沉积法即可得到大面积均匀单层石墨烯薄膜。本发明利用两步碳源供给，先高碳源生长多层石墨烯大面积薄膜，继而降低碳源，并维持小碳源的长时间供给，多层区域优先刻蚀，最终会达到刻蚀与生长的动态平衡，得到大面积连续单层石墨烯薄膜。
一种大面积均匀单层石墨薄膜制备方法

[发明专利]一种基于脱溴反应的化学气相沉积制备晶圆级有机分子薄膜的方法-CN202111367216.8在审
发明人：武斌;姚文乾;杨贺;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于脱溴反应的化学气相沉积制备晶圆级有机分子薄膜的方法。以含溴官能团有机小分子作为前驱体，利用化学气相沉积法，在铜的催化作用下使分子脱溴发生聚合，形成二维周期性结构的大面积连续的二维层状薄膜，即大面积、连续的、有机分子薄膜。本发明针对一类难溶的有机小分子，可制备大面积的薄膜，且厚度为纳米级可控，而现有有机薄膜制备方法多为旋涂法和溶液法，旋涂法要求具有一定溶解性，溶液法对薄膜的厚度可控性有限。
一种基于反应化学沉积制备晶圆级有机分子薄膜方法

[发明专利]一种原位生长石墨烯二维共价有机框架复合材料及其制备方法-CN202110147552.5有效
发明人：陈建毅;白一超;刘友星;刘明辉;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C08L87/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速原位生长石墨烯二维共价有机框架复合材料的方法。该方法，包括：1)将单体tert‑butylpyrene tetraone(t‑BPT)溶于乙酸和乙醇的混合溶液中，超声均匀分散；2)将单体triphenylene hexamine(TPHA)和一定比例的氧化石墨烯(GO)溶于乙酸和去离子水的混合溶液中，超声均匀分散；3)将所述步骤1)中的溶液缓慢滴入所述步骤2)中溶液，搅拌30‑600min。将过滤得到的沉淀在氢气的氛围下升温至200‑700℃，保持3‑20小时，得到石墨烯共价有机框架(COF‑rGO)复合材料。该复合材料具有丰富的活性位点和高导电性，同时制备方法简单，可以作为能源电池的电极材料。
一种原位生长石墨二维共价有机框架复合材料及其制备方法

[发明专利]一种二维希夫碱共价有机框架聚合物薄膜及其制备方法-CN202110135910.0有效
发明人：陈建毅;刘明辉;刘友星;白一超;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维希夫碱共价有机框架聚合物薄膜及其制备方法。该方法包括如下步骤：将蒸镀有前驱体的衬底和挥发性前驱体于同一封闭装置中相距放置并加热，使得所述对苯二甲醛挥发并在所述蒸镀有前驱体的衬底上生长，得到所述二维希夫碱类共价有机框架聚合物薄膜。本发明制备二维希夫碱类共价有机框架聚合物薄膜方法，具有操作简单、反应速度易控制、反应时间短，且本发明二维希夫碱类共价有机框架聚合物薄膜形貌均匀，厚度易控制，可在多种衬底上进行生长；能广泛用于制备气体分离、海水淡化、纳米催化材料、药物输送、锂离子电池、场效应晶体管材料。
一种维希共价有机框架聚合物薄膜及其制备方法

[发明专利]双吡啶并三唑半导体聚合物及其制备与应用-CN202011237822.3有效
发明人： 刘云圻;杨杰;杨学礼;陈金佯;蒋雅倩;李一帆;郭云龙 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供一种双吡啶并三唑聚合物及其制备方法与应用。双吡啶并三唑聚合物其结构通式如式I所示。式I中，R为碳原子总数为1‑40的直链或支链烷基；Ar选自如下基团中的任意一种:本发明设计合成了一种新型双吡啶并三唑(bis‑triazolopyridine，简称BTP)受体及聚合物，并研究了其在有机场效应晶体管中的应用。测试结果表明该类聚合物表现出优异的p型半导体性质。本发明的双吡啶并三唑类聚合物进一步拓展了半导体聚合物材料的种类，在有机光电器件中具有良好的应用前景。
吡啶半导体聚合物及其制备应用

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