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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]器件结构及器件布局-CN201820047735.3有效
发明人：庞峰 -专利权人：南昌黑鲨科技有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型器件结构，包括：底层器件单元，所述底层器件单元焊接在印制电路板上；顶层器件单元，所述顶层器件单元焊接在所述底层器件单元上。本实用新型器件结构及器件布局充分利用高度的空间限制，在有限的空间内，增大布局的密度来减少器件的占板的面积，增大电池容量减少板子的走线及占板空间，有效减少了走线的长度，降低了阻抗，提升产品的竞争力。
底层器件器件结构本实用新型顶层器件器件布局占板走线焊接印制电路板电池容量空间限制有效减少板子阻抗

[发明专利]封装器件结构和封装器件-CN201710858919.8在审
发明人：张乃千;杨琼;张永胜;潘宇;马浩;吴星星 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层
第一电极封装器件引线段基板墙体第二电极电路设计需求方向延伸间隔设置位置间隔一端开口容置腔围设相交

[实用新型]封装器件结构和封装器件-CN201721218542.1有效
发明人：张乃千;杨琼;张永胜;潘宇;马浩;吴星星 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供一种封装器件结构和封装器件，该封装器件结构包括基板，围设于该基板上的墙体，墙体与基板形成一端开口的容置腔；间隔设置在墙体远离基板的一侧的两个第一电极层；与第一电极层相对的位置间隔设置的两个第二电极层
封装器件结构

[发明专利]NLDMOS器件结构-CN201310593998.6在审
发明人：邓樟鹏;苏庆 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种NLDMOS器件结构，包括P型衬底上部的多晶硅栅、高压P阱、高压N阱、P+扩散区、第一N+扩散区、第二N+扩散区和低压N阱组成，第一N+扩散区作为该LDMOS的源端，P+扩散区作为该LDMOS
nldmos 器件结构

[发明专利]功率器件结构-CN201410216638.9在审
发明人：徐帆;徐晓威;刘志东;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了DMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该DMOS结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。
功率器件结构

[发明专利]SOI器件结构-CN201711452955.0在审
发明人：沈立;陆宇;周润宝;沈金龙;程玉华 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司;上海芯哲微电子科技股份有限公司;上海北京大学微电子研究院
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能
散热性能高压器件结构介电常数差异场氧化层改变器件高压器件三层结构热导率半导体制造

[发明专利]LED器件结构-CN201310654326.1有效
发明人：刘亚柱;吕振兴;齐胜利 -专利权人：上海蓝光科技有限公司
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种所述LED器件结构，从下至上依次包括：半导体衬底、P型半导体层、发光层和N型半导体材料层，且暴露出部分N型半导体材料层。本发明通过在所述N‑线性金属电极部的正下方设置绝缘层，增加N型GaN层中电流分布均匀性，进而提高LED器件的亮度。
金属电极部电极绝缘层块形线形金属电极部互相连接金属层电流分布均匀性透明导电层方向延伸互相分离发光层衬底半导体暴露

[发明专利]ReRAM器件结构-CN201310121335.4有效
发明人：洪庄敏;库-米恩·昌;周峰 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：公开了一种ReRAM器件结构。电阻式随机存取存储器（ReRAM）包括第一金属层。所述第一金属层有第一金属以及在所述第一金属层上的金属氧化物层。所述金属氧化物层包括所述第一金属。
reram 器件结构

[发明专利]垂直器件结构-CN201410507489.1有效
发明人：王志豪;廖忠志;连万益;游家权;邱奕勋;蔡庆威;吴伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了垂直器件结构。本发明涉及具有在源极区和漏极区之间延伸的矩形垂直沟道条的垂直晶体管器件及其相关的形成方法。在一些实施例中，垂直晶体管器件包括设置在半导体衬底上方的源极区。垂直沟道条的矩形形状提供了具有更好性能和单元区域密度的垂直器件。
垂直器件结构

[发明专利]ESD器件结构-CN201810071115.8有效
发明人：邓樟鹏;苏庆;韦敏侠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ESD器件结构，包括：第一P‑LDMOS、第二P‑LDMOS和寄生SCR；所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS共用高压P阱(HVPW)，在第一P‑LDMOS漏极和第二P‑LDMOS漏极之间的高压P阱(HVPW)中设置N+区域形成的寄生SCR，所述第一P‑LDMOS和第二P‑LDMOS结构相同，以寄生SCR的N+区域为中心形成左右非对称结构。本发明能提高器件开启后的ESD能力，又能提高器件维持电压和电流，减小ESD器件的latch‑up风险的。
esd 器件结构

[发明专利]EDMOS器件结构-CN202010672175.2有效
发明人：刘俊文 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制作技术领域，具体涉及一种EDMOS器件。EDMOS器件结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的上层掺杂形成第一导电类型高压阱；轻掺杂第二导电类型漂移区，位于第一导电类型高压阱的上层；第一导电类型体区，位于第一导电类型高压阱的上层中，且与轻掺杂第二导电类型漂移区相邻；栅极结构，位于第一导电类型体区和轻掺杂第二导电类型漂移区的相邻界面上；漏极，位于轻掺杂第二导电类型漂移区中，远离栅极结构的一侧；控制栅，设置在轻掺杂第二导电类型漂移区上，位于栅极结构和漏极之间，用于分散轻掺杂第二导电类型漂移区中的电场分布本申请提供的EDMOS器件结构，可以解决相关技术中存在的导通电阻偏高，无法满足应用需求的问题。
edmos 器件结构

[发明专利]SOI器件结构-CN201010607818.1无效
发明人：张立君;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了半导体SOI高压器件结构及其制造方法，以改善其散热性能。其中该散热性能较好的SOI器件结构，包括改变高压SOI器件场氧化层所用材料，利用不同材料的热导率及介电常数差异，在不改变器件尺寸且不对SOI三层结构部分做改动的条件下，可以有效改善SOI高压器件散热性能
soi 器件结构

[实用新型]MEMS器件结构-CN201420635945.6有效
发明人：郑超;马军德 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-10-29 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MEMS器件结构，包括：第一半导体衬底；位于所述第一半导体衬底内的电极；位于所述第一半导体衬底上方、通过一锚点与所述电极相连接的微结构和位于所述微结构外围的第一焊垫；保护结构，所述保护结构位于所述微结构与所述第一半导体衬底之间在微结构与所述第一半导体衬底之间设置保护结构，所述保护结构在所述MEMS器件结构受到外力作用的时候，可以起到缓冲作用，有效地减小所述微结构在外力作用下震动的幅度，避免所述微结构因外力而造成破坏，进而提高了产品的良率和可靠性
mems 器件结构

[实用新型]器件安装结构-CN201420317863.7有效
发明人：丁世嘉;包宝军;潘峰 -专利权人：艾默生网络能源有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种器件安装结构，包括底座(100)、安装在所述底座(100)上的限位件(300)和从所述底座(100)一侧滑入滑出并用于承载器件(200)的滑动件(400)，滑入后，所述滑动件(400本实用新型提供了一种节省安装空间的器件安装结构。
器件安装结构

[实用新型]LED器件结构-CN201320868199.0有效
发明人：唐超;李刚;高海生;郑继均;李东明 -专利权人：四川新力光源股份有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： F21V8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及LED领域，公开了一种LED器件结构。该LED器件结构包括外壳和导光柱，所述导光柱包括板体、位于板体上表面的柱体以及与柱体对应的位于板体下表面的光源口，所述柱体位于外壳上的导光孔中，所述导光孔周围的外壳内壁上与板体对应位置开设有点胶槽。这种LED器件结构拥有较高的绝缘电阻和较高的电气强度，能够达到安规要求；减少了在电路板上点胶等绝缘处理工序，给后期调整及修改带来便利，从而提高了生产效率；在现有电路设计的基础上就可达到较高的电气强度，不用为通过安规测试而改变原有电路设计
led 器件结构

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