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- [实用新型]鳍式双极结型晶体管-CN201220499149.5有效
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夏维;陈向东
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美国博通公司
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2012-09-27
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2013-03-20
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H01L29/73
- 本实用新型提供了一种鳍式双极结型晶体管。根据一示例性实施方式,鳍式双极结型晶体管(BJT)包括宽集电极,其位于半导体衬底中。鳍式基极被置于宽集电极上方。此外,鳍式发射极和外延发射极被置于鳍式基极上方。鳍式BJT的窄基极-发射极结通过鳍式基极和鳍式发射极形成,以及外延发射极为鳍式BJT提供增强的电流传导性和减小的电阻。外延发射极可外延形成在鳍式发射极上,且可包括多晶硅。此外,鳍式基极和鳍式发射极各自可包括单晶硅。本实用新型提供了一种具有相比常规BJT改善后的性能的BJT,且该BJT的制造能与CMOS工艺结合。
- 鳍式双极结型晶体管
- [发明专利]多鳍式静态随机存取存储器单元的布局-CN201110085963.2有效
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廖忠志;沈政忠
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2011-04-02
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2012-01-11
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H01L27/02
- 本发明提供一种多鳍式静态随机存取存储器(SRAM)单元的布局。该SRAM单元包括半导体基底上的多个鳍式有源区,其中鳍式有源区包括一对相邻且具有第一间隔的鳍式有源区以及与相邻鳍式有源区间具有第二间隔的一鳍式有源区,该第二间隔大于该第一间隔;多个鳍式场效应晶体管,其形成于鳍式有源区上,其配置为交叉耦合的第一和第二反相器以存储数据,以及存取数据的至少一端口;第一接触窗,其配置于第一和第二鳍式有源区之间并同时电气接触该第一和第二鳍式有源区;以及一第二接触窗,其配置于并电气接触第三鳍式有源区本发明可缩减第一鳍式有源区的第一类型接触窗、第二鳍式有源区的第二类型接触窗以及SRAM单元面积,同时改进和保持SRAM单元的功能性和效能。
- 多鳍式静态随机存取存储器单元布局
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