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[发明专利]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202011448904.2在审
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创新能源汽车智慧能源装备创新中心（江苏）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本发明针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本发明既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[发明专利]一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法-CN202310141543.4在审
发明人：蔡武;康建;杨天鹏;陈向东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司;马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法，涉及半导体光电器件技术；该元件包括：衬底以及在衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体；电压调控层包括由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层；第三禁带层的参数大于或等于第一禁带层的参数；第一禁带层的参数大于或等于第二禁带层的参数；第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；第三设定范围处于第二设定范围内；第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于第二禁带层的元素掺杂浓度；本发明在不影响光电性能情况下可控的调节工作电压。
一种具有电压调控半导体发光元件及其制备方法

[实用新型]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202022962171.6有效
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创移动能源创新中心（江苏）有限公司;万帮数字能源股份有限公司;万帮星星充电科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本实用新型针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本实用新型既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[发明专利]半导体结构-CN201010151192.8有效
发明人：王敬;许军;郭磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体结构，包括衬底，形成在衬底上的过渡层或绝缘层，依次形成在过渡层或绝缘层上的第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层、第二应变宽禁带半导体层，以及形成在第二应变宽禁带半导体层之上的栅堆叠，和形成在第一应变宽禁带半导体层、应变窄禁带半导体层和第二应变宽禁带半导体层之中的源极和漏极。该半导体结构不仅能抑制两种BTBT漏电的产生，另外还能在中间的应变窄禁带半导体层(例如应变Ge层或应变SiGe层)中产生空穴势阱，提高载流子的迁移率，改善器件性能。
半导体结构

[发明专利]宽禁带半导体器件及其制备方法-CN201410379970.7有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件及其制备方法

[发明专利]禁带带宽检测方法、装置、存储介质及电子设备-CN202310749839.4在审
发明人：王笑乙;马振宇;王正上;邱杨;陈龙庆;文蓉;崔旭东;张坤;邓勇;胡文宇 -专利权人：西南民族大学;攀枝花容则钒钛有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本申请提供一种禁带带宽检测方法、装置、存储介质及电子设备，设计材料检测领域。其中，电子设备获取样品的目标能谱数据；将目标能谱数据转换为样品的目标禁带图像；确定出目标禁带图像中的分界线条；将分界线线条对应的损失能量，确定样品中异质结的禁带带宽。如此，异质结构的禁带与其他物质的禁带之间具有明显的分界线的特点，能够获得样品中异质结的禁带带宽。
带宽检测方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器-CN202011553364.4在审
发明人：项晓东;顾川川;张鹏 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器，宽禁带半导体器件包括：泵浦光源和宽禁带半导体结构；泵浦光源用于出射泵浦光束；宽禁带半导体结构位于泵浦光束的传播路径上，用于接收泵浦光束并基于泵浦光束产生光生载流子；其中，泵浦光束的光子能量大于或者等于宽禁带半导体结构的能隙。本发明解决了现有技术中采用掺杂方式无法制备某些类型的宽禁带半导体以及由于掺杂导致宽禁带半导体材料缺陷降低应用性能的技术问题。
一种宽禁带半导体器件及其制备方法探测器调制器

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202110588011.6在审
发明人：赵晓龙;丁梦璠;龙世兵;徐光伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制备方法，光电探测器包括衬底、超宽禁带层、窄禁带层以及电极层，超宽禁带层用于响应深紫外波段的光谱，窄禁带层用于响应可见、红外至太赫兹波段光谱，电极沉积于超宽禁带层和/或窄禁带层
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型的异质结太阳能电池-CN201310310101.4有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[实用新型]一种新型的异质结太阳能电池-CN201320438944.8有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[发明专利]光解水制氢的催化电极及其制备方法-CN201410177232.4无效
发明人：戴海涛;张晓利;孙小卫;王树国 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：催化电极是宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体三层结构复合光电极。在透明导电电极上生长宽禁带半导体纳米线；在生长的宽禁带半导体纳米线表面，负载贵金属，形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构；在宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构上，覆盖CdS涂层，形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子本发明的宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体。宽禁带半导体纳米结构主要是为了提高表面积界面接触，随后贵金属纳米粒子的引入，不仅可以提高光能利用效率，提升了产氢量，而且大大增强了电极的耐腐蚀性能。
光解水制氢催化电极及其制备方法

[发明专利]宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法、一种光电极-CN200810000929.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种高转换效率量子点敏化的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法，以及采用这种宽禁带半导体纳米管/线阵列膜的光电极。本发明的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜，包括宽禁带半导体纳米管/线阵列和导电基底，所述宽禁带半导体纳米管/线阵列中填充有窄禁带半导体量子点纳米颗粒。本发明采用阳极氧化法制备宽禁带半导体纳米管/线阵列膜；用化学沉积法制备窄带半导体量子点敏化的纳米管/线阵列膜。采用本发明这种宽禁带纳米管/线阵列膜的光电极应用于光电化学池中，光电转换效率得到很大提高。
宽禁带半导体纳米阵列及其制备方法一种电极

[实用新型]宽禁带半导体器件-CN201420436988.1有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司;星野政宏
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种宽禁带半导体器件，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本实用新型的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件

[发明专利]安检禁限带物品积分报警方法及装置-CN202111340679.5在审
发明人：王小书;白伟;伍柳伊;杨国元;王洪亮;彭凯贝;史雅静;魏昊;朱建生;史天运;姜利;方凯;吕晓军;李超;李海江 -专利权人：中国铁道科学研究院集团有限公司电子计算技术研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G08B21/18 文献下载
摘要：本发明涉及铁路安检技术领域，提供一种安检禁限带物品积分报警方法及装置。该积分报警方法包括：将旅客携带的物品按照禁带物品和限带物品进行分类；设定积分阈值，将禁带物品的积分设定为超过阈值的任意值，将限带物品的积分设定为不超过阈值的任意值；计算该名旅客携带物品的总积分，且当该名旅客未携带禁带物品时本发明利用积分系统，对禁带物品和限带物品进行赋值；对于监测到的禁带物品，则直接判断积分超过阈值，进行报警；对于没有携带禁带物品的，则判断积分始终不超过阈值，不进行报警；通过积分系统对旅客携带物品进行统计
安检禁限带物品积分报警方法装置

[发明专利]一种光电极的制备方法-CN200910092312.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛;高显峰 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电极的制备方法，首先在导电基底上制备宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列，然后在减压条件下利用近空间升华法将窄禁带半导体纳米颗粒填充到宽禁带半导体纳米管或纳米线阵列中，得到窄禁带半导体和宽禁带半导体异质结薄膜光电极窄禁带半导体纳米颗粒加强了宽禁带半导体纳米阵列膜对可见光的响应，该光电极对可见光的吸收明显增强，从而提高了光电转换效率。
一种电极制备方法

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