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[发明专利]一种半导体器件及其制备方法和应用-CN202310864998.9在审
发明人：徐广源;张童;郭凯;王充;樊怡翔;张晓娜;俄文文;李开心;顾哲凯;侯杰;张志;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和应用，半导体器件包括：复合载体，所述复合载体包括衬底和模板层，所述复合载体中包括具有张应力的区域和具有压应力的区域；有源层，用于注入的载流子的复合；第一半导体层，用于向所述有源层注入N型载流子；第二半导体层，用于向所述有源层注入P型载流子；第一电极，用作所述第一半导体层的能量传输，第一电极在所述复合载体上表面的投影落在所述压应力的区域内，或与其重合；第二电极，用作所述第二半导体层的能量传输，第二电极在所述复合载体上表面的投影落在所述张应力的区域内，或与其重合。
一种半导体器件及其制备方法应用

[发明专利]电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的紫外LED外延片-CN202310876822.5在审
发明人：贾晓龙;张童;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体外延片制备技术领域，涉及一种电子阻挡层的生长方法及含此电子阻挡层的外延片，所述电子阻挡层(6)的生长方法包括以下步骤：1)、在反应室温度为1000℃‑1200℃、反应室压力为30mbar‑200mbar的条件下生长Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)；2)、在反应室温度为900℃‑1150℃，反应室压力为50mbar‑150mbar的条件下在所述Al组分渐变的电子阻挡层(6.1)上生长多量子垒电子阻挡层(6.2)。其可改善现有紫外LED的p型电子阻挡层对电子溢出阻挡效果不足的问题，提高紫外LED的发光效率。
电子阻挡生长方法紫外 led 外延

[发明专利]基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管及其制备方法-CN202210260818.1在审
发明人：伊晓燕;徐思远;张逸韵;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于氧化镓纳米线的鳍式场效应晶体管，包括：衬底；绝缘介质层，设置在所述衬底上；至少一根氧化镓纳米线，作为导电沟道，设置在所述绝缘介质层上；金属层，设置在所述绝缘介质层上；栅极介质层，设置在所述至少一根氧化镓纳米线上；以及栅极金属层，设置在所述栅极介质层上。
基于氧化纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种高寿命LED芯片结构及其制备方法-CN202311007594.4在审
发明人：郭凯;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明属于LED芯片技术领域，具体涉及一种高寿命LED芯片结构及其制备方法，包括第一电极、电流扩展层、钝化层、第二电极、第一半导体接触层、第一半导体层、量子发光层、第二半导体层、缓冲层、蓝宝石衬底，所述第一半导体接触层的下方设置有第一半导体层，所述第一半导体层的下方设置有量子发光层，所述量子发光层的下方设置有第二半导体层，所述第一半导体接触层上生长有电流扩展层，所述电流扩展层和第二半导体层上生长有钝化层。本发明通过制备衬底导热通道，将外延层与封装基板连接，使器件在工作中产生的热能通过本发明设计的导热通道导出，从而有效解决传统正装结构衬底导热差的问题，进而提升器件使用寿命。本发明用于LED芯片的制备。
一种寿命 led 芯片结构及其制备方法

[发明专利]氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法-CN202110669326.3有效
发明人：伊晓燕;林辰;詹腾;刘志强;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓和石墨烯混合集成光电芯片及其制备方法，该光电芯片包括芯片主体和覆盖在芯片主体上的钝化层；芯片主体包括衬底，第一线圈金属层、肖特基二极管、发光二极管、电容下电极金属层、底金属层、肖特基接触金属层均设置在衬底上；肖特基接触金属层延伸至肖特基二极管上表面；电容下电极金属层延伸至肖特基二极管表面；电容下电极金属层与电容上电极金属层之间设置第一介质隔离层；电容上电极金属层延伸至发光二极管上表面；底金属层延伸至发光二极管的上表面；衬底上的底金属层上设置第二介质隔离层；第二线圈金属层设置在第二介质隔离层上，并与底金属层连接；第一线圈金属层、电容上电极金属层、底金属层、第二线圈金属层上均设置石墨烯层。
氮化石墨混合集成光电芯片及其制备方法

[发明专利]一种氮化铝衬底模板的制作方法-CN202110701036.2有效
发明人：贾晓龙;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝衬底模板的制作方法，包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；(2)、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内，在氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；(3)、在MOCVD炉内，对第一低温氮化铝层的表面进行高温蚀刻，以在第一低温氮化铝层的表面刻蚀出分布均匀且大小一致的孔洞；(4)、在MOCVD炉内，继续在高温蚀刻后的第一低温氮化铝层上生长第二低温氮化铝层。其能消除氮化铝衬底模板表面的裂纹，提升UVC‑LED各项光电参数及芯片可靠性，并且，其可以直接在MOCVD炉内进行，制造成本低，可以应用于大批量快速生产。
一种氮化衬底模板制作方法

[发明专利]具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法-CN202310697593.0在审
发明人：俄文文;王雪;郭凯;张晓娜;李开心;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明属于芯片制备技术领域，具体涉及具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法，包括基底、氮化铝层、N半导体结构、量子阱结构、P半导体结构、N欧姆接触电极、N填平结构和P欧姆接触电极，N半导体结构上刻蚀有台面，N欧姆接触电极蒸镀在N半导体结构的台面上，N填平结构蒸镀在N欧姆接触电极上，P半导体结构上刻蚀有台面，P欧姆接触电极蒸镀在P半导体结构的台面上。本发明在N欧姆接触电极上生长N填平结构，消除了电极焊盘之间的高度差，使电极焊盘处于同一平面。并且本发明在电极焊盘上刻蚀出齿轮状焊接图形，提高了固晶与共晶的稳定性，提高了芯片的推力值。本发明用于倒装发光二极管芯片的制造。
具有推力发光二极管芯片及其制备方法

[实用新型]一种倒装深紫外发光二极管芯片-CN202221763494.5有效
发明人：张向鹏;李勇强;郭凯;张晓娜;王雪;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倒装深紫外发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括深紫外LED外延片及n电极(202)和p电极(203)，深紫外LED外延片包括n‑AlGaN层(103)和p‑AlGaN层(106)且n电极(202)设置在n‑AlGaN层(103)上，p电极(203)设置在p‑AlGaN层(106)上，倒装深紫外发光二极管芯片的蚀刻台面侧壁的倾角为10°‑40°，n电极(202)和p电极(203)上都设有一个加厚电极(204)且p电极(203)上方的加厚电极覆盖倒装深紫外发光二极管芯片中的整个p‑AlGaN层(106)的上方和刻蚀台面侧壁的上方。其能在不增加光刻次数和不增加芯片成本的前提下，提高芯片亮度5‑20％，提高芯片性能。
一种倒装深紫发光二极管芯片

[实用新型]一种AlGaN基UV-LED芯片结构-CN202320764231.4有效
发明人：王雪;张晓娜;郭凯;俄文文;李开心;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型属于芯片结构技术领域，具体涉及一种AlGaN基UV‑LED芯片结构，包括衬底、AlN层、n型半导体层、量子阱层、p型半导体层、p型帽层，所述衬底上设置有AlN层，所述AlN层上设置有n型半导体层，所述n型半导体层上设置有量子阱层，所述量子阱层上设置有p型半导体层，所述p型半导体层上设置有p型帽层。本实用新型采用镜面全反射芯片结构，将芯片发出的光全部反射至衬底出光面，避免TM模式的影响，可有效的提升芯片的光提取效率；并且本实用新型全反射扩展层的金属面积相比常规结构扩展层的面积大，有利于芯片散热，改善芯片的可靠性。
一种 algan uv led 芯片结构

[发明专利]一种集成式倒装LED芯片的制备方法-CN202310442549.5在审
发明人：郭凯;王雪;张向鹏;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体制备技术领域，涉及一种集成式倒装LED芯片的制备方法，其包括以下步骤：1)、提供外延片；2)、形成n接触电极平台(201)；3)、形成分割槽(202)；4)、制备n接触电极(301)；5)、制备p接触电极(401)；6)、蒸镀DBR薄膜(501)；7)、沉积第一绝缘钝化层(502)；8)、暴露n接触电极(301)；9)、制备n连接电极(601)；10)、沉积第二绝缘钝化层(701)；11)、暴露p接触电极(401)；12)、制备p连接电极(702)；13)、沉积第三绝缘钝化层(801)；14)、暴露P连接电极(702)和n连接电极(601)；15)、制备p焊盘电极(802)和n焊盘电极(901)。其能有效稳定产品性能及生产良率。
一种集成倒装 led 芯片制备方法

[发明专利]红外探测器及其制备方法-CN202310279623.6在审
发明人：贾春阳;张逸韵;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本公开提供一种红外探测器及其制备方法，该红外探测器包括：衬底，设置于衬底上的势垒绝缘缓冲层，以及至少一个叠层单元，该至少一个叠层单元均匀设置于势垒绝缘缓冲层上，每个叠层单元均包括：超晶格吸收区，设置于势垒绝缘缓冲层上的中间位置，p型接触区，设置于超晶格吸收区一侧面，n型接触区，设置于超晶格吸收区另一侧面，该另一侧面与p型接触区所在的侧面对应，金属电极，分别设置于p型接触区和n型接触区上，势垒绝缘保护层，设置于超晶格吸收区上，钝化保护层，设置于势垒绝缘保护层上，掩膜保护层，分别设置于势垒绝缘缓冲层上的两侧位置、p型接触区的侧面、n型接触区的侧面以及钝化保护层上。该红外探测器结构简单，响应速度快。
红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种全无机紫外LED封装结构及封装方法-CN202310136310.5在审
发明人：杨涛;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安半导体技术研究院有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种全无机紫外LED封装结构(5)及封装方法，所述封装结构包括盖板(1)、LED支架(2)和紫外LED芯片(4)，盖板(1)包括玻璃片(101)和金属围挡(102)，金属围挡(102)内具有空腔(105)，玻璃片(101)和金属围挡(102)通过无机焊料(103)焊接在一起，LED支架(2)上侧设有盖板焊盘(201)和芯片焊盘(202)、下侧设有电极(203)且电极(203)与芯片焊盘(202)相连，盖板(1)和紫外LED芯片(4)分别焊接在盖板焊盘(201)和芯片焊盘(202)上且紫外LED芯片(4)位于空腔(105)内。其能有效解决紫外LED存在的有机材料老化黄化、长期使用信赖性差的技术问题，并能够提高紫外LED的可靠性和降低紫外LED无机封装的成本。
一种无机紫外 led 封装结构方法

[发明专利]一种深紫外LED芯片的封装结构及封装方法-CN202310106236.2在审
发明人：贾晓龙;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种深紫外LED芯片的封装结构及封装方法，所述封装结构包括LED芯片和陶瓷基底，所述LED芯片的蓝宝石衬底（1，10）的竖向截面向外延伸，所述陶瓷基底（3，30）的上部的形状与所述LED芯片的蓝宝石衬底（1，10）的形状相对应且所述陶瓷基底（3，30）中设有金属电极（4，40），所述LED芯片的外延层（2，20）通过AuSn焊料（5，50）与所述金属电极（4，40）焊接在一起，并且，所述LED芯片的蓝宝石衬底（1，10）与所述陶瓷基底（3，30）的上部之间通过密封胶（6，60）密封在一起。其可解决现有深紫外LED芯片封装时存在的有机和无机封装问题，降低深紫外LED芯片的封装工艺难度，提高深紫外LED的出光率。
一种深紫 led 芯片封装结构方法

[发明专利]紫外LED匀光装置及其应用-CN201911093963.X有效
发明人：闫建昌;刘春岩;薛斌;郭亚楠;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：一种紫外LED匀光装置及其应用，该紫外LED匀光装置包括匀光杯，起匀光作用；设置在匀光杯内壁上的匀光杯一级台阶和匀光杯二级台阶；第二层匀光膜，设置在匀光杯二级台阶上，用于实现第一步匀光；第一层匀光膜，设置在匀光杯一级台阶上，用于实现第二步匀光；紫外LED，作为光源；以及铝基板，设置在匀光杯底部，用于固定紫外LED。本发明的紫外LED匀光装置工作电流小，装置温度低，实现过程简单，生产周期短，可应用在需要紫外LED匀光的领域，成本低廉，能够被大部分厂家和适用人群接受。
紫外 led 装置及其应用

[实用新型]防雷元件的测试装置-CN202222331645.6有效
发明人：王平波;李晋闽;姜晓帅 -专利权人：王平波
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防雷元件的测试装置，包括用于检测防雷元件的直流参数的测试仪和多个防雷元件检测回路，各防雷元件检测回路均与测试仪连通且两两之间并联设置，各防雷元件检测回路上均设有用于与防雷元件连接导通的测试夹件以及用于控制防雷元件检测回路通断的开关。本方案通过上述设置，相较于之前的直接由测试仪检测的方式，无需在检测完成后重新实现测试仪和防雷元件导通，减少了测试的时间，操作简单方便，也减少了测试所需的用工成本，提高检测效率和提高测量的精度高，能够满足企业的生产需要。
防雷元件测试装置

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