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[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN202280007352.2在审
发明人：佐藤祐介;佐藤贵则;神永贤吾 -专利权人： JX金属株式会社
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制溅射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金溅射靶及其制造方法。该溅射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且余量由不可避免的杂质组成的烧结体构成，Cu和Al的含量(at％)满足0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70的关系式，相对密度为95％以上。
溅射及其制造方法

[发明专利]一种低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法-CN202210714592.8有效
发明人：蔡新志;童培云;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法，属于半导体材料技术领域，所述的低钪铝钪合金靶材缺陷处理方法，包括以下步骤：(1)将浇铸得到的铝钪合金靶坯进行热轧或锻造处理；(2)将步骤(1)热轧或锻造处理后的靶坯进行热处理；(3)将步骤(2)热处理后的靶坯进行C扫描缺陷，并标记缺陷类型和位置；(4)将靶坯有缺陷的位置根据缺陷类型进行选择热轧或锻造；(5)将步骤(4)热轧或锻造处理后的靶坯再次进行C扫描，将靶坯加工至成品。本发明通过在热轧或者再经过HIP处理之后，经过C扫描，确认缺陷，并标记缺陷类型和位置，针对靶坯有缺陷的位置根据缺陷类型进行选择热轧或锻造，能够有效的消除缺陷，提升靶坯的质量。
一种低钪铝钪合金缺陷处理方法

[发明专利]溅射装置及使用其形成半导体结构的方法-CN202310720707.9有效
发明人：王晋;黄峰;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法，所述溅射装置包括至少一个溅射腔室，且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板，且可绕沿第一方向的旋转轴旋转，第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面，其中承载台包括被配置为安装基板的基板安装区；靶材结构在第一方向上与承载台相对设置，且包括靶材溅射区，靶材溅射区是被配置为在溅射工艺中向位于承载台上的基板提供靶材粒子的区域，其中靶材溅射区与基板安装区在第一方向上交叠，且在平行于承载台的主表面的第二方向上延伸超出基板安装区的边缘。本公开实施例的溅射装置可提高溅射工艺在深孔侧壁镀膜的能力。
溅射装置使用形成半导体结构方法

[发明专利]一种铝钪合金溅射靶的制备方法及应用-CN202010114483.3有效
发明人：闫建平;柳术平;吴承永;陈卫平;王晓平 -专利权人：湖南东方钪业股份有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铝钪合金溅射靶的制备方法及应用，Sc的含量为8at％～53at％，致密度99％，Al、Sc元素的质量百分数之和99.9％，氧含量50ppm，适合用于形成压电性材料薄膜的溅射。根据Sc含量的不同对工艺进行调整，操作简单，氧含量低，致密度高，成分均匀无偏析现象。
一种合金溅射制备方法应用

[发明专利]一种铜铬镍合金背板及其制备方法和应用-CN202310992603.3在审
发明人：姚力军;潘杰;周友平;陈勇军;庞学功;陆彤 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司;丹东华强有色金属加工有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铬镍合金背板及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：(1)对铜铬镍铸锭进行预热锻打后冷却，得到坯料；(2)对所述坯料进行热处理后冷却，进行压延处理；(3)对压延处理后坯料进行固溶热处理冷却，进行整平处理；(4)对整平处理后的坯料进行时效热处理后冷却，车削定型得到所述铜铬镍合金背板，本发明采用常规生产设备加工制造高纯铜溅射靶材用铜铬镍合金背板，工艺相对简单，生产过程中对设备要求低，同时制造的背板内部组织均匀、细小。
一种镍合金背板及其制备方法应用

[发明专利]一种提高奥氏体不锈钢火箭橇滑块表面性能的方法-CN202310887728.X在审
发明人：林乃明;吴玉程;王玮华;严凯;李小凯;袁烁;王振霞 -专利权人：太原理工大学;航宇救生装备有限公司
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高奥氏体不锈钢火箭橇滑块表面性能的方法，属于高速重载极端工况条件下使用的金属材料强韧化和金属材料表面改性技术领域。本申请在织构化的奥氏体不锈钢表面以不同比例的NiTi合金靶材作为源极，利用表面等离子合金化法在奥氏体不锈钢表面沉积制备合金涂层，等离子表面合金化是利用氩等离子体的溅射轰击作用在工件极表面形成具有一定厚度的合金涂层，既能保证涂层和工件极之间的良好结合，又能保证所制备的涂层具备高的硬度。
一种提高奥氏体不锈钢火箭橇滑块表面性能方法

[发明专利]使用间距补偿降低靶材寿命内的基板温度不均匀性-CN202280019563.8在审
发明人：苏哈斯•班加罗尔•乌梅什;普雷塔姆·拉奥;希里什语•A•佩特;张富宏;基索尔•库马尔•卡拉提帕拉比尔;马丁·李·瑞克;仲兰兰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：在此提供处理多个基板的方法及设备。在一些实施方式中，在物理气相沉积(PVD)腔室中处理多个基板的方法包括：在设置于PVD腔室中的溅射靶材的寿命的至少一部分期间，在对应的一系列的基板上执行一系列的再流处理，其中在PVD腔室中的基板至靶材距离及在PVD腔室内的支撑件至靶材距离各自被控制成溅射靶材的寿命的函数。
使用间距补偿降低寿命温度不均匀

[发明专利]一种锆钇铬合金溅射靶材的加工工艺-CN202310979383.0在审
发明人：张凤戈;张学华;魏铁峰;张欠男;岳万祥;施政;孟晓亭 -专利权人：苏州六九新材料科技有限公司;北京安泰六九新材料科技有限公司;涿州安泰六九新材料科技有限公司
申请日： 2023-08-05 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及溅射靶材加工技术领域，具体公开了一种锆钇铬合金溅射靶材的加工工艺。加工工艺包括如下步骤：将72.5‑79重量份的锆块、16‑22重量份的钇块、2.5‑7.5重量份的铬块混合，获得混合料；在惰性气体保护、电磁搅拌下，将混合料升温熔融，获得金属混合液；将金属混合液于锭模中浇注，脱锭模，降温至室温，获得合金锭；将合金锭进行热处理，获得锆钇铬合金溅射靶材。该加工工艺获得的锆钇铬合金溅射靶材，平均晶粒粒度＜50μm、钇加工损失率＜5%，确保锆钇铬合金溅射靶材中钇含量，降低钇资源浪费，而且锆钇铬合金溅射靶材具有高致密度、无气孔、无偏析、无裂纹、组织均匀、易于加工的优点，满足市场需求。
一种锆钇铬合金溅射加工工艺

[发明专利]提高海水液压泵奥氏体不锈钢摩擦配副表面性能的方法-CN202310887784.3在审
发明人：林乃明;吴玉程;王焕焕;刘志奇;曾群锋 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高海水液压泵奥氏体不锈钢摩擦配副表面性能的方法，属于金属材料强韧化和金属材料表面改性技术领域。该方法首先对奥氏体不锈钢进行仿生表面织构化处理，然后利用表面等离子合金化技术在织构化不锈钢表面沉积制备渗钽涂层，利用等离子表面合金化技术在工件极表面形成具有一定厚度的渗镀层，既能保证涂层和工件极之间的牢固结合，又能保证所制备涂层具备高的硬度。
提高海水液压泵奥氏体不锈钢摩擦表面性能方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202180093627.4在审
发明人：中畑俊彦;桥本一义;山口晴正 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提高覆膜的台阶覆盖性。本发明使用具有第一电极、第二电极、第一供电源、第二供电源、相位调节器的成膜装置。第一供电源包含：输出第一高频电力的第一高频电源，和在第一高频电源与第一电极之间连接的第一匹配电路器。第二供电源包含输出与第一高频电力周期相同且比第一高频电力低的第二高频电力的第二匹配电路器。从第二高频电源输出第二高频电力，并且操作相位调节器对第一高频电力的相位与第二高频电力的相位设置相位差θ。检测在第二高频电源的输出阻抗与第二高频电源所连接的负载侧阻抗匹配的状态下的、与相位差θ相应的第二高频电力的电压值Vpp和第一可变电容的电容值C1。组合相位差θ的规定范围中的电压值Vpp和电容值C1来选择。
方法装置

[发明专利]一种铝基合金靶材及其制备方法-CN202310959111.4在审
发明人：张凤戈;岳万祥;魏铁峰;张欠男;孟晓亭;施政;张学华 -专利权人：苏州六九新材料科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及靶材技术领域，具体公开了一种铝基合金靶材及其制备方法。本申请提供的铝基合金靶材的制备方法包括以下步骤：首先将金属粉末装入模具中，在400‑520℃下进行真空脱气烧结，获得料坯，然后直接将所述料坯热挤压成型，获得铝基合金靶材；以金属粉末100at%计，所述金属粉末中包含60at%以上铝粉；余量选自铬粉、钛粉、硅粉、钨粉、钒粉、硼粉、钽粉、钇粉、铌粉、钼粉和锆粉中的一种或多种；本申请还提供了利用上述方法获得的铝基合金靶材。本申请提供的铝基合金靶材的制备方法设备成本低、工艺流程短，且获得的铝基合金靶材金相组织均匀、致密度高、综合力学性能优异。
一种合金及其制备方法

[发明专利]一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法-CN202311046387.X在审
发明人：姚力军;潘杰;黄洁文;廖培君;吴东青 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将钽粉原料经脱氢处理后，进行氢气还原，得到低氧钽粉；所述低氧钽粉的氧含量≤300ppm；(2)所述低氧钽粉依次进行冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，得到半导体用低氧粉末冶金钽靶。本发明所述的制备方法操作简单，通过将钽粉原料进行氢气还原，控制钽粉中的氧含量≤300ppm，后续通过冷等静压处理、脱气处理和热等静压处理，解决了粉末冶金钽靶氧含量偏高的问题，具有大范围推广应用前景。
一种半导体低氧粉末冶金制备方法

[发明专利]真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质-CN202311100788.9在审
发明人：张小舟;胡彬彬;顾云;吴青山 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种真空溅射镀膜机台的晶圆传送方法及传送装置、存储介质，晶圆传送方法应用于晶圆传送装置，晶圆传送装置包括机械手，机械手具有中心线；晶圆传送方法包括：控制机械手夹持第一晶圆和第二晶圆，并使第一晶圆和第二晶圆各自到机械手的中心线的距离相同，且第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上的位置不同；控制机械手驱使第一晶圆和第二晶圆均围绕中心线转动，并使第一晶圆和第二晶圆在平行中心线的方向上无交叠。本发明通过控制使机械手夹持的两片晶圆在平行机械手中心线的方向上无交叠，来避免其中一片晶圆的夹持结构掉落颗粒物到另一片晶圆的表面，以保证晶圆的洁净度。
真空溅射镀膜机台传送方法装置存储介质

[发明专利]一种溅镀装置-CN202311032149.3在审
发明人：段烨;吴泓均;张良煜;詹晓魁;姚敦斌;李秋慧;沈滟滟;谢琦;陈乐怡;朱沈甜;杨思彤 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅镀装置，包括：溅镀室，溅镀室两侧壁分别开设有进气口和出气口，溅镀室内设有升降组件，升降组件上设有平面移动组件，平面移动组件上设有轮台，轮台上设有多级阴极板，溅镀室内顶面设有多级阳极板，多级阴极板与多级阳极板之间形成溅镀区域，进气口朝向溅镀区域，多级阳极板外圈套设有表面电阻传感器；供气机构，供气机构包括溅镀控制系统和气体供给组件，气体供给组件与进气口连通，溅镀控制系统与气体供给组件电性连接；排气机构，排气机构包括预警系统和气体排出组件，气体排出组件与出气口连通，预警系统与气体排出组件电性连接，本发明能够减少能源消耗，提高工作效率，提高材料的均匀性，防止靶材中毒的发生。
一种装置

[发明专利]靶材以及黑化膜-CN202310365619.1在审
发明人：户塚巡;下村恭平 -专利权人：大同特殊钢株式会社
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种溅射用靶材，具有由CuaNibCoc表示的组成，a以at％表示Cu的比率、b以at％表示Ni的比率、c以at％表示Co的比率，a+b+c＝100、0.30≤a/(a+b+c)≤0.70、10≤b≤65、0.1≤c；以及一种黑化膜，由组成由(CuaNibCoc)100‑xOx表示的金属氧化物构成，a以at％表示Cu的比率、b以at％表示Ni的比率、c以at％表示Co的比率、x以at％表示O的比率，其特征在于，a+b+c＝100、0.30≤a/(a+b+c)≤0.70、10≤b≤65、0.1≤c、30≤x≤50。
以及黑化膜

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