[发明专利]形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法无效
申请号: | 200880122202.6 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101903993A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 大江贵裕;君岛美树 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/368 | 分类号: | H01L21/368;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 宋鹤;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及形成半导体薄膜的方法和制造薄膜半导体器件的方法,提供一种用于形成半导体薄膜的方法,其能抑制由于受热导致的迁移率降低和由于迁移率降低导致的特性劣化,并且能够通过更简单的工艺形成具有改善的耐热性的半导体薄膜。在衬底上涂覆或印刷通过混合包括有机半导体材料在内的多种有机材料所制备的溶液以形成薄膜,并且通过干燥薄膜的过程使得所述多种有机材料发生相分离。结果,获得多层结构的半导体薄膜,其中,由有机绝缘材料组成的中间层被夹在两个半导体层中间。 | ||
搜索关键词: | 形成 半导体 薄膜 方法 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种用于形成半导体薄膜的方法,包括:通过在衬底上涂覆或印刷溶液而形成薄膜,所述溶液是通过混合包括有机半导体材料在内的多种有机材料所制备的;以及在用于干燥所述薄膜的过程中使得所述多种有机材料发生相分离,以形成多层结构的半导体薄膜,所述多层结构的半导体薄膜包括由所述有机半导体材料组成的半导体层。
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- 本发明提供一种化合物半导体的制造方法、光电转换装置的制造方法以及半导体形成用溶液。化合物半导体层的制造方法具备如下步骤:使包含I-B族元素及III-B族元素中至少一方的金属原料以金属状态溶解于包含含有硫属元素的有机化合物及路易斯碱性有机化合物的混合溶剂中以制作半导体形成用溶液的步骤;使用该半导体形成用溶液制作皮膜的步骤;以及对该皮膜进行热处理的步骤。
- 制造多成分薄膜的方法-201110048467.X
- 萧满超;杨柳;雷新建;I·布查南 - 气体产品与化学公司
- 2011-02-23 - 2011-08-24 - H01L21/368
- 本发明提供了制备多成分薄膜的方法。本发明描述了用于沉积多成分薄膜的方法和液基前体组合物。在一个实施方式中,本发明所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。
- 通过转动耦合环而形成的静电吸盘和热边环之间的可调节热接触-200980136685.X
- 亨利·S·波沃尔尼;安德烈亚斯·菲舍尔 - 朗姆研究公司
- 2009-09-23 - 2011-08-17 - H01L21/368
- 披露了一种供静电吸盘之用的可转动设备,该静电吸盘配置用于将衬底固定在等离子环境中。该可转动设备包括静电吸盘的第一部分,该第一部分具有至少一个表面,该表面上具有可变热接触区域。静电吸盘的第二部分具有至少一个表面,该表面上具有可变热接触区域。该第二部分的至少一个表面被配置成与第一部分的至少一个表面热接触,以便控制衬底表面的热梯度。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造