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[发明专利]内容推荐系统、内容推荐方法、内容库、用于生成内容库的方法和目标输入用户接口-CN202280018430.9在审
发明人： 胜原真央 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06Q50/10 文献下载
摘要：[问题]为了推荐适合各个用户的内容。[解决手段]一种内容推荐系统，包括：生命特征量生成器，该生命特征量生成器获取时间顺序生命数据，该时间顺序生命数据是由生命传感器连续地并且按时间顺序感测的关于用户的生命数据，并且该生命特征量生成器从所述时间顺序生命数据生成时间顺序生命特征量数据；情绪估计计算器，该情绪估计计算器从所述时间顺序生命特征量数据生成作为所述用户的情绪的估计值的估计情绪值；推荐引擎，该推荐引擎获取从用户接口终端装置输入并且指示由所述用户设定为目标的情绪的目标情绪值，并且从内容库选择用于使所述估计情绪值到达所述目标情绪值的内容；和内容推荐部，该内容推荐部将所选择的内容推荐给所述用户接口终端装置。
内容推荐系统方法用于生成目标输入用户接口

[发明专利]生物电位测量电极和生物信息测量设备-CN202280017115.4在审
发明人： 胜原真央;佐佐木僚 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： A61B5/256 文献下载
摘要：根据本公开实施例的电极设置有：基板，电路安装在基板上；第一电极单元，第一电极单元被设置到基板并且电连接到电路；以及第二电极单元，第二电极单元具有导电形和弹性，并且与活体接触，第一电极单元的至少一部分嵌入在第二电极单元中。
生物电位测量电极信息设备

[发明专利]生物信息测量装置-CN202080008560.5在审
发明人： 胜原真央;吉藤一成;八木下雄贵;大川刚史 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： A61B5/25 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的生物信息测量装置设有一个或多个与生物体接触的测量通道，以及与生物体接触的基准通道。生物信息测量装置还设有：差分电路，其生成与从测量通道获得的测量信号与从基准通道获得的基准信号之间的差分对应的生物信号；以及切换机构，其切换生物体与测量通道和基准通道之间的接触阻抗。
生物信息测量装置

[发明专利]生物电位测量电极和生物电位测量仪器-CN201980031325.7在审
发明人： 胜原真央;佐佐木僚 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： A61B5/0408 文献下载
摘要：本发明使得可以在不减小可靠性的情况下实现用户便利性和测量准确性两者。根据本发明的生物电位测量电极在与生物体接触的至少一部分中包括：主要由预定的树脂材料、橡胶或弹性体组成的基材树脂层；以及包含在基材树脂层中的导电颗粒。导电颗粒均具有预定的基材颗粒和表面处理区域，在表面处理区域中，基材颗粒的表面的至少一部分被预定的材料涂覆或取代。
生物电位测量电极仪器

[发明专利]电极和传感器-CN201980012432.5在审
发明人： 胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2019-02-05 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： A61B5/0408 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的电极设有：第一导电材料；非极化并且具有离子键合的第二导电材料；以及基材，包括所述第一导电材料和所述第二导电材料，并且具有所述第一导电材料和所述第二导电材料之间的浓度比彼此不同的第一区域和第二区域。
电极传感器

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和电子装置-CN201210184596.6有效
发明人： 胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法和电子装置，该薄膜晶体管包括有机半导体层，由含有至少能与蚀刻气体反应的金属元素和半金属元素的至少一种的含金属材料形成；彼此间隔开的源电极和漏电极；以及有机导电层，介于有机半导体层与源电极和漏电极之间的有机半导体层与源电极和漏电极的重叠区域中，并且有机导电层由不含有能与蚀刻气体反应的金属材料或半金属材料的至少一种的非含金属材料形成。
薄膜晶体管及其制造方法电子装置

[发明专利]电子器件和半导体器件的制造方法-CN201210235274.X有效
发明人： 胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本公开涉及电子器件和半导体器件的制造方法。所述电子器件至少包含第一电极；第二电极，其被设置成与所述第一电极间隔开；和活性层，其被设置在所述第一电极上方至所述第二电极上方并且由有机半导体材料形成。电荷注入层形成在所述第一电极和所述活性层之间以及所述第二电极和所述活性层之间，并且所述电荷注入层由通过被氧化而电传导率的值增加了的有机材料形成。
电子器件半导体器件制造方法

[发明专利]电子器件、电子器件制造方法和图像显示装置-CN201380010609.0无效
发明人： 胜原真央;福田敏生 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子器件，该电子器件包括电极结构(11，14)、绝缘层(12)和活性层(13)。所述活性层(13)是由有机半导体材料形成的，优选地是由PXX基化合物形成的。与所述活性层(13)接触的绝缘层(12B)是由环状环烯烃聚合物或环状环烯烃共聚物形成的。
电子器件制造方法图像显示装置

[发明专利]显示装置和电子设备-CN201280057633.5有效
发明人：野田真;胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置(1)，包括：具有开口(19M)的绝缘层(19)；以及包括功能层(15)并设置在所述绝缘层的开口中的发光元件(10)，所述功能层设置在第一电极(14)和第二电极(16)之间并包括发光层。所述绝缘层包括低折射率层，所述低折射率层由折射率比包含在所述功能层中并接近所述绝缘层的层(15A)的折射率低的材料制成。
显示装置电子设备

[发明专利]二氧杂蒽嵌蒽化合物、层压结构及其形成方法、以及电子器件及其制造方法-CN201280049303.1无效
发明人：小林典仁;五十岚绘里;胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-10-04 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C07D495/22 文献下载
摘要：提供了一种例如用以下结构式（1）表示的二氧杂蒽嵌蒽化合物。
二氧杂蒽嵌蒽化合物层压结构及其形成方法以及电子器件制造

[发明专利]晶体管、其制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法-CN201310359072.0无效
发明人：野元章裕;胜原真央;栗原研一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-08-16 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本技术公开了一种能够以高成品率制造的晶体管、晶体管的制造方法、半导体装置的制造方法和显示装置的制造方法。制造晶体管的方法包括：形成栅电极；形成有机绝缘膜和有机半导体膜的层叠膜，所述层叠膜经由其间的栅绝缘膜与所述栅电极相对；以及使所述有机半导体膜图案化。
晶体管制造方法半导体装置显示装置

[发明专利]有机薄膜的形成方法、有机薄膜的形成装置以及有机器件的制造方法-CN201180039625.3无效
发明人：后藤修;保原大介;野元章裕;村上洋介;富谷茂隆;小林典仁;清水圭辅;胜原真央;大江贵裕;川岛纪之;高桥由佳;福田敏生;石井由威 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机薄膜形成方法，能够在控制厚度和尺寸的同时轻松快速地形成单晶有机薄膜。在将有机溶液提供给由温度可控的支撑件支撑的成膜基板的一个表面（宽度较宽的溶液积蓄区以及宽度较窄并与所述溶液积蓄区连接的溶液限制区）之后，独立于所述支撑件温度可控的移动体沿所述支撑件的表面移动，同时保持与所述有机溶液接触。将所述支撑件的温度设定为位于关于所述有机溶液的溶解度曲线和超溶解度曲线之间的温度，并将所述移动体的温度设定为比溶解度曲线的温度高的一侧上的温度。
有机薄膜形成方法装置以及器件制造

[发明专利]电子装置和半导体基板-CN201210295862.2有效
发明人： 胜原真央;汤本昭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及半导体基板和电子装置。所述半导体基板包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。所述电子装置包括光源和上述薄膜晶体管，从所述光源生成的光作为所述外部光。本发明的所述半导体基板和所述电子装置能够确保所述有机半导体层的电特性。
电子装置半导体

[发明专利]薄膜元件组装体-CN201210135457.4有效
发明人：汤川弦;八木岩;野田真;胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-03 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜元件组装体，其包括具有可挠性的基材和设置在所述基材的第一表面上的多个薄膜元件，其中，在所述基材中，在设有多个薄膜元件的第一区域的外侧形成有未设置薄膜元件的第二区域，并且其中，在所述基材的第一表面的第二区域、或者第二表面的第二区域、或者第一表面和第二表面每一者的第二区域中形成有凸部。由于凸部形成在基材的未设置薄膜元件的第二区域中，因而即使当卷取薄膜元件组装体时，也能够可靠地防止基材的第二表面与形成在第一表面上的多个薄膜元件接触，并且能够向薄膜元件组装体赋予进一步的耐久性。
薄膜元件组装

[发明专利]半导体装置、显示装置和电子装置-CN201110215052.7无效
发明人： 胜原真央 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了半导体装置、显示装置和电子装置。该半导体装置包括：栅极电极，设置在基板上；栅极绝缘膜，覆盖所述栅极电极；有机半导体层，设置为在所述栅极电极的宽度内叠置在所述栅极电极上方，所述栅极绝缘膜插设在该有机半导体层和所述栅极电极之间；以及源极电极和漏极电极，在所述栅极电极在所述栅极电极的宽度方向上夹在该源极电极和该漏极电极之间的状态下，该源极电极和该漏极电极各自具有设置为在所述有机半导体层上彼此相对的端部。
半导体装置显示装置电子

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