[发明专利]集成半导体器件在审
| 申请号： | 201610207661.0 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN106057800A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | G·库拉托拉;F·卡尔曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及集成半导体器件。半导体器件包括第一半导体器件、第二半导体器件和第三半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件被集成以形成半桥。第三半导体器件是与半桥串联设置的常关型半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种集成半导体器件，包括：第一半导体器件；第二半导体器件；以及第三半导体器件，其中，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件被集成以形成半桥；并且其中，所述第三半导体器件包括被设置为与所述半桥串联的常关型半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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