[发明专利]包括半导体本体的二极管在审
| 申请号： | 201910455223.X | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110581165A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | B·科尼尔;P·斯托贝尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 50250 重庆西联律师事务所 | 代理人： | 唐超尘;刘贻行 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及包括半导体本体的二极管，半导体本体具有第一和第二半导体本体主侧面，半导体本体具有：第一半导体区；第二半导体区，其在半导体本体的内部区域中布置在第一半导体区上且不延伸远至半导体本体的半导体本体边缘；第三半导体区，其布置在第二半导体区上且具有比第二半导体区更高的掺杂浓度；第四半导体区，其在半导体本体边缘区域中布置在第一半导体区上且从第二半导体区在朝向半导体本体边缘的方向上延伸远至半导体本体边缘。半导体本体具有从形成第二半导体本体主侧表面区域的第三半导体区的平面外表面开始并且到达远至半导体本体边缘的切口，其沿着半导体本体边缘延伸，第二、第三和第四半导体区具有界定切口的相应的外部界面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体本体 半导体区 平面外表面 边缘区域 边缘延伸 内部区域 主侧表面 二极管 主侧面 界定 延伸 掺杂 外部 | ||
【主权项】：
1.一种二极管，其特征在于，所述二极管包括半导体本体(2)，所述半导体本体(2)具有第一半导体本体主侧(3)，与第一半导体本体主侧(3)相对布置的第二半导体本体主侧(4)，以及围绕半导体本体(2)周向延伸并连接第一半导体本体主侧(3)和第二半导体本体主侧(4)的半导体本体边缘(28)，其中半导体本体(2)具有第一导电类型的第一半导体区(5)，其中第一半导体区(5)的第一外表面(10)形成所述第一半导体本体主侧(3)，其中第一半导体区(5)的第二外表面(10′)形成所述半导体本体边缘(28)的一部分，其中半导体本体(2)具有第二导电类型的第二半导体区(6)，所述第二半导体区布置在半导体本体(2)的内部区域(IB)中的第一半导体区(5)上并且不延伸远至半导体本体边缘(28)，其中所述半导体本体(2)具有第二导电类型的第三半导体区(7)，所述第三半导体区布置在第二半导体区(6)上并且具有比第二半导体区(6)高的掺杂浓度，其中所述半导体本体(2)具有第一导电类型的第四半导体区(60)，所述第四半导体区在半导体本体边缘区域(25)中布置在第一半导体区(5)上并且从第二半导体区(6)在朝向半导体本体边缘(28)的方向上延伸远至半导体本体边缘(28)，其中所述半导体本体(2)具有从形成第二半导体本体主侧(4)的表面区域的第三半导体区(7)的平面外表面(16)开始并且到达远至半导体本体边缘(28)的切口(15)，所述切口沿着半导体本体边缘(28)延伸，其中第二半导体区(6)、第三半导体区(7)和第四半导体区(60)具有界定切口(15)的相应的外部界面(40，41，42)。/n
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