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[发明专利]一种CuIn(S,Se)2-CN202310020417.3在审
发明人：陈王伟 -专利权人：陈王伟
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法，属于光伏材料及器件领域。所述方法包括以下步骤：在基底上沉积传输层或缓冲层；制备CuInS2反应前驱物溶液，将所述CuInS2反应前驱物溶液涂布在所述传输层或缓冲层上，干燥后形成前驱物薄膜；将硒粉或硒化氢与所述前驱物薄膜在惰性气体保护下加热进行反应；获得结晶性CuIn(S,Se)2薄膜材料。
一种 cuin se base sub

[发明专利]氧化镓膜的成膜方法-CN201911250102.8有效
发明人：永冈达司;西中浩之;吉本昌广 -专利权人：株式会社电装;国立大学法人京都工艺纤维大学
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及氧化镓膜的成膜方法。提出一种成膜方法，其中能够形成表面光滑的氧化镓膜。一种氧化镓膜的成膜方法，其具有在加热基体的同时，向所述基体的表面供给包含镓原子和氯原子的原料溶液的雾，由此在所述基体的所述表面上形成所述氧化镓膜的工序。所述原料溶液中的氯的摩尔浓度为所述原料溶液中的镓的摩尔浓度的3.0倍以上且4.5倍以下。
氧化方法

[发明专利]锌掺杂硫化镉薄膜的制备及在铜锌锡硫太阳能电池的应用-CN202210774999.X在审
发明人：郭杰;刘慧敏;吴冬梅 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种锌掺杂硫化镉薄膜的制备方法，且将其应用于铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(CZTS)太阳能电池；本发明采用CBD法将缓冲层Cd0.6Zn0.4S沉积在CZTS吸收层薄膜上；制备了具有CZTS/Cd0.6Zn0.4S结构的太阳能电池；经对比分析CZTS/Cd0.6Zn0.4S器件的转换效率(Eff)和填充系数(FF)分别由2.31％和31.06提高到4.88％和47.45。通过实验数据，我们得到了CdS/CZTS和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的导带偏移量(CBO)，CZTS/CdS异质结和CZTS/Cd0.6Zn0.4S异质结的CBO分别为0.51eV和0.22eV。
掺杂硫化薄膜制备铜锌锡硫太阳能电池应用

[发明专利]使用绿色溶剂制备CsPbBr3-CN202011584741.0有效
发明人：曹小兵;张国帅;郝雷;蔡一帆;蒋龙 -专利权人：五邑大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用绿色溶剂制备CsPbBr3钙钛矿的方法和器件，该方法包括以下步骤：取苯乙基溴化铵溶于异丙醇，形成PEABr/IPA溶液；取Pb(NO3)2水溶液制备形成Pb(NO3)2薄膜，然后在Pb(NO3)2层上滴加PEABr/IPA溶液，退火形成中间相；在中间相上滴加CsBr水溶液，热处理形成CsPbBr3钙钛矿。本发明利用苯乙基溴化铵补充溴源，同时苯乙基溴化铵与Pb(NO3)2形成的中间相利于制备出覆盖完全、晶粒粗大、表面平整的CsPbBr3薄膜，本发明的方法完全使用绿色的溶剂，具有环境友好、降低经济成本的优势，在太阳能电池等领域具有较好的应用前景。
使用绿色溶剂制备 cspbbr base sub

[发明专利]一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法-CN202211228067.1在审
发明人：谢剑;郭忠献;张凯;桃李;王浩;张军 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法。首先将碘化铅溶解并在恒温条件下搅拌均匀得到碘化铅前驱液；在碘化铅前驱液中加入沉淀剂，得到淡黄色絮状物，并对淡黄色絮状物离心处理得到淡黄色胶体状物质，淡黄色胶体状物质真空干燥得到碘化铅复合产物；基于碘化铅复合产物得到前驱旋涂溶液，将前驱旋涂溶液在衬底上进行旋涂制膜，并退火处理得到疏松的碘化铅薄膜层；将碘化铅薄膜层依次置于碘化铯溶液、溴化铯溶液中浸泡处理后退火得到无机钙钛矿薄膜，从而基于疏松的PbI2纳米结构，可以充分与碘化铯溶液、溴化铯溶液接触并反应，制备取向性好、物化稳定性优、结晶性高的一维无机钙钛矿纳米线材料。
一种无机钙钛矿纳米薄膜制备方法

[发明专利]二维钙钛矿形成用材料、层叠体、元件及晶体管-CN201680079184.2有效
发明人：松岛敏则;秦川江;安达千波矢 -专利权人：国立大学法人九州大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。
二维钙钛矿形成用材层叠元件晶体管

[发明专利]一种用于制备含锡钙钛矿的还原性溶剂及其应用-CN202210475195.X在审
发明人：杨世和;胡明钰 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于制备含锡钙钛矿的还原性溶剂及其应用。本申请用于制备含锡钙钛矿的还原性溶剂由熔点低于120℃的含酰肼基的有机化合物溶于有机溶剂而成，其中，有机溶剂为N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、N‑甲基吡咯烷酮和γ‑丁内酯中的至少一种。本申请的还原性溶剂，作为含锡钙钛矿前驱体溶液的溶剂使用时，能够有效的抑制Sn2+氧化，从而减少制备的含锡钙钛矿薄膜的锡缺陷。将由此制备的含锡钙钛矿薄膜应用于含锡钙钛矿太阳电池器件，能够有效的提高光伏器件的光电转化效率和稳定性。
一种用于制备含锡钙钛矿原性溶剂及其应用

[发明专利]五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法及硅异质结太阳电池-CN202210346605.0在审
发明人：王朋;刘粲;林宇昊;吴小平;徐凌波;林萍;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及五价金属元素掺杂氧化钼薄膜的制备方法及硅异质结太阳电池，制备方法包括：一、将钼粉溶解于无水乙醇中，然后滴入过氧化氢，搅拌至溶液呈蓝色，得到氧化钼溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于适量无水乙醇，搅拌至溶液澄清；三、取一定量的氧化钼溶液，按照一定摩尔比向其中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声至溶液澄清；四、将步骤三中的氧化钼溶液滴加到硅片表面，然后将硅片转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将硅片转移到加热台退火处理，即可得到均匀致密的五价金属元素掺杂的氧化钼薄膜。本发明减少氧化钼中的氧空位，制备的硅异质结太阳能电池效率较高。
金属元素掺杂氧化钼薄膜制备方法硅异质结太阳电池

[发明专利]钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用-CN202210346611.6在审
发明人：王朋;魏亚菊;吴越;吴小平;徐凌波;林萍;崔灿 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池领域，具体涉及钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜的制备方法及应用。制备方法包括：一、称取六氯化钨粉末，溶解于正丙醇，搅拌至溶液呈蓝色，获得六氯化钨溶液；二、称取五氧化二钒粉末、五氯化铌粉末或五氯化钽粉末，溶解于无水乙醇，搅拌30min至溶液澄清；三、向六氯化钨溶液中滴入五氧化二钒溶液、五氯化铌溶液或五氯化钽溶液，超声30min，获得含混合六氯化钨的混合溶液；四、将步骤三中的含混合六氯化钨的混合溶液均匀滴加到衬底表面，然后将衬底转移到匀胶机上旋涂，旋涂结束后将衬底转移到加热台低温退火，即可得到钒、铌或钽掺杂氧化钨薄膜。本发明有效减少了氧化钨中的氧空位。
掺杂氧化钨薄膜制备方法应用

[发明专利]一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法及二维材料半导体薄膜-CN202010537844.5有效
发明人：朱剑;高香香;尹君;卞刚 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明属二维半导体薄膜制备技术领域，具体涉及一种二维材料半导体薄膜的大规模制备及图案化方法，包括如下步骤：基板预处理；在预处理后的基板上用负胶光刻目标图案；在带有光刻胶图案的基板上用溶液自组装技术制备二维半导体薄膜：基板首先浸泡在聚二烯丙基二甲基氯化铵水溶液，然后浸泡在MoS2水溶液中，这个过程可多次重复；将基板上得到的薄膜在丙酮中浸泡去除光刻胶，最终得到目标MoS2图案。本发明的有益效果在于制备方法简单，可以在任何基板上操作；薄膜厚度可控，而且可以实现图案化；反应条件温和，在高性能二维半导体薄膜电子器件领域具有广阔的应用空间。
一种二维材料半导体薄膜大规模制备图案方法

[发明专利]硒化铅光敏薄膜及可集成光电导传感器的制备方法-CN202111568256.9在审
发明人：古瑞琴;高胜国;汪静;郭海周;杨志博 -专利权人：郑州炜盛电子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化铅光敏薄膜的制备方法，包括步骤：以可溶性铅盐、强碱、硒源和可溶性卤盐为原料，采用化学浴法在衬底上沉积形成卤素掺杂的硒化铅薄膜，制得铅盐薄膜基片；采用氧化剂溶液对所述卤素掺杂的硒化铅薄膜进行化学氧化，制得氧化薄膜基片，其中，所述氧化剂溶液为H2O2溶液或K2S2O8溶液；采用卤素混合气体对所述氧化薄膜基片进行敏化处理使得所述衬底上形成硒化铅光敏薄膜；其中，所述卤素混合气体为卤气与N2或O2的混合气体。由上述方法制备的硒化铅光敏薄膜能够提高其光电灵敏度、响应速度快和分辨率高，有效延长使用寿命。另外，本发明还提供一种利用上述硒化铅光敏薄膜制备可集成光电导传感器的方法。
硒化铅光敏薄膜集成电导传感器制备方法

[发明专利]用于在液-液界面处通过分散颗粒自组装制备半导体薄膜的基于溶液的沉积方法-CN201980096602.2在审
发明人：汉娜.约翰逊;萨钦.金杰;凯文.希瓦拉;丽贝卡.安妮.韦尔斯 -专利权人：丰田汽车欧洲股份有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在柔性基材上涂覆半导体/半导体前体颗粒的装置，其中所述装置包括：容器(5)，其被配置为容纳彼此基本不混溶的第一溶剂和第二溶剂；注射设备(15)，其被配置为注射预定体积的颗粒形式的至少一种层状半导体材料或其前体的分散体，所述注射发生在所述容器(5)内形成的并且在第一溶剂和第二溶剂之间的液‑液界面处，并在所述液‑液界面处形成颗粒膜；第一支撑设备(25)；基材提取设备；基材供应设备；压缩设备(55)，其被配置为减小颗粒之间的距离并将所述膜推动到所述基材上，其中所述压缩设备(55)包括安装在驱动装置(75)上的多个推动设备(65)，所述多个推动设备(65)被配置为使得所述多个推动设备(65)中的至少两个在所述驱动装置(75)的旋转期间可以至少部分地浸没在第二溶剂中，并且通过第二溶剂朝向第一支撑设备(25)移动。本发明还涉及用于制备半导体薄膜的方法。
用于界面通过分散颗粒组装制备半导体薄膜基于溶液沉积方法

[发明专利]氧化锌薄膜及其制备方法、量子点发光二极管-CN202010560048.3在审
发明人：郭煜林;吴龙佳;张天朔;李俊杰 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，提供了一种氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：配制氧化锌颗粒和卤离子有机盐的混合溶液；将所述混合溶液沉积在基板上，退火处理，制备氧化锌薄膜。本申请提供的氧化锌薄膜的制备方法，卤离子有机盐能够吸附在氧化锌的晶面，并显著调控薄膜晶型生长过程，从而优化氧化锌薄膜的成膜质量，提高氧化锌薄膜的电子传输性能。
氧化锌薄膜及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]涂布装置及涂布方法-CN201980051182.6在审
发明人：五十川良则 -专利权人：龙云株式会社
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：一种涂布装置，具备：处理室；喷嘴，在该处理室内沿涂布对象面相对移动并向该涂布对象面涂布结晶材料的溶液；内压调整部，调整处理室的内压；及控制部。并且，控制部在通过喷嘴进行溶液的涂布的情况下，利用内压调整部调整处理室的内压，从而使涂布于涂布对象面的溶液依次干燥而使结晶材料结晶生长。
装置方法

[发明专利]氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件以及电子装置-CN201580062190.2有效
发明人：下田达也;井上聪;深田和宏;西冈圣司;藤本信贵;铃木正博 -专利权人：国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社
申请日： 2015-10-05 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/368 文献下载
摘要：本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。
氧化物前驱半导体元件以及电子装置

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