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[发明专利]以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺-CN201910915534.X有效
发明人：金向华;高如天;王新喜;孙猛 -专利权人：金宏气体股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种以羰基硫和氮气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)在步骤(2)得到的衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；(4)以体积比为3‑5:5‑7的羰基硫和氮气作为双极型掺杂剂对步骤(3)得到的衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成双极型半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的双极型半导体材料层上制备源电极和漏电极。本发明中的方法与传统的结构结构设计相比，实现方式简单，同时避免了复杂的有机合成和分子设计过程。极大的简化了整个产品的设计历程。
羰基氮气作为掺杂有机场效应晶体管制备工艺

[发明专利]以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺-CN201910939257.6有效
发明人：金向华;高如天;王新喜;孙猛 -专利权人：金宏气体股份有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底，所述衬底具有绝缘层；(2)在步骤(1)提供的衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)以羰基硫作为界面改性剂对步骤(2)得到的衬底的修饰层进行改性；(4)在步骤(3)得到的衬底的修饰层上制备有机半导体材料层；(5)在步骤(4)得到的衬底的机半导体材料层上制备源电极和漏电极。本发明公开的以羰基硫作为界面改性剂的有机场效应晶体管制备工艺，利用COS气体的有机材料亲和性，改变ODTS表面界面的表面能，提高器件的成品率。
羰基作为界面改性有机场效应晶体管制备工艺

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法和显示器件-CN201911050005.4有效
发明人：叶向东;田波 -专利权人：西安建筑科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法和显示器件，首先在填充有纳米粒子的源/漏极模具和栅极模具上分别浇注聚合物溶液，固化后，翻模，得到源/漏极模板和栅极模板；然后分别在源/漏极模板和栅极模板表面制备金属层；接着将源/漏极金属层转印至柔性衬底上，然后在柔性衬底的金属层上制备绝缘层；最后将栅极金属层与制备有绝缘层的柔性衬底对准；将栅极金属层转印在柔性衬底上的绝缘层上，得到所述的有机薄膜晶体管；本发明通过利用增加聚合物模板有机薄膜晶体管源/漏极(或栅极)中纳米粒子含量来提高聚合物模板的杨氏模量并降低其热膨胀系数，限制聚合物模板在转移印刷过程中产生机械变形和热变形，实现有机薄膜晶体管高效、精确地转移印刷，从而生产电接触性良好的有机薄膜晶体管器件。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法显示器件

[发明专利]基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法-CN202010067488.5有效
发明人：胡来归;蔡依辰;金伟;刘冉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于液滴的有机分子薄膜及其微纳器件阵列的制备方法，配制有机分子溶液，在衬底上制备有机分子的成核位置，通过滴涂及衬底加热，快速生长膜薄，或在指定成核位置生长具有高结晶度和均匀性的定向分子器件阵列。与现有技术相比，本发明采用的选区生长法，不同于真空中热蒸发选区生长，可用溶液的形式快速直接地在电极上或电极间，选择性地生长高结晶、高取向性的均匀有机分子膜及其微纳器件阵列。
基于有机分子薄膜及其器件阵列制备方法

[发明专利]一种利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法-CN202210989704.0有效
发明人：李立强;王颜鹏;陈小松;孙首港;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法，属于有机半导体技术领域。所述利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法的步骤包括：先在自下而上包含衬底电极、介电层和有机半导体薄膜结构器件中的有机半导体薄膜上滴加无机盐溶液，再于衬底电极和无机盐溶液间施加正电压；除去无机盐溶液，干燥，得到耐高温有机半导体薄膜。本发明通过电润湿的方法，促进无机盐溶液对有机半导体薄膜的浸润能力，使无机盐溶液能够浸入有机半导体薄膜到晶界深处，并在干燥的过程中结晶析出无机盐晶粒，增加有机半导体聚集态结构变化的势垒，抑制薄膜在高温下的晶界迁移，有效的提高有机半导体薄膜的高温稳定性。
一种利用润湿提高有机半导体高温稳定性方法

[发明专利]一种高结晶度半导体膜转移制造方法-CN202011510746.9有效
发明人：朱国栋;陈秋松;刘蔚林 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-12-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，具体一种高结晶度半导体膜转移制造方法。本发明方法利用具有粘度调节特性的热剥离胶带，将在诱导结晶模板上制备的半导体薄膜转移到目标衬底上，实现半导体内高度结晶区域与载流子传输区域的重合，并控制半导体膜分子链的取向排列，优化载流子传输效率，以便获得高电性能的半导体器件，从而实现高电学性能半导体器件的可靠制造。
一种结晶度半导体转移制造方法

[发明专利]一种取向化气液界面聚合物半导体薄膜及其构筑方法和应用-CN202110685342.1有效
发明人：赵岩;吴阳江;杨龙飞;杨嘉易;陈秋远;刘云圻 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明属于有机电子领域，具体为一种取向化气液界面聚合物半导体薄膜及其构筑方法和应用。本发明是在长方形的气液界面处，滴加聚合物半导体溶液，聚合物半导体溶液所用的溶剂与去离子水不互溶，并在气液界面上迅速铺展开；经过溶剂挥发过程，快速形成聚合物半导体薄膜；聚合物半导体为主链骨架刚性较强，其主链骨架由给体和受体构成；本发明成膜速度快（40 s内），制备的薄膜厚度可低于10 nm，具有良好的分子取向性，同时能够转移于多种介电材料表面上，用于制备有机场效应晶体管。本发明的给体‑受体型共轭聚合物在柔性电子领域具有广阔的应用前景。
一种取向化气液界面聚合物半导体薄膜及其构筑方法应用

[发明专利]柔性场效应传感器及基于紫外光刻制备其的方法-CN202110971220.9有效
发明人：熊本海;王辉;陈睿鹏;赵一广;杨亮 -专利权人：中国农业科学院北京畜牧兽医研究所
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本公开提供一种基于紫外光刻制备柔性场效应传感器的方法及制备得到的柔性场效应传感器。方法包括提供硅烷化的疏水滤纸；将具有第一图案的掩膜版覆盖至硅烷化疏水滤纸表面进行紫外光刻处理，使疏水滤纸具有亲水区域；提供经过修饰材料修饰的半导体材料溶液；将具有第二图案的掩膜版覆盖至具有亲水区域的疏水滤纸表面，滴加碳纳米管溶液，形成半导体区域；将具有第三图案的掩膜版覆盖至具有导电区域的疏水滤纸表面，涂覆导电胶，形成导电胶区域；将具有第四图案的掩膜版覆盖至具有导电胶区域的疏水滤纸表面，涂有机硅胶，形成绝缘层。能够以滤纸为基底材料制备电性能良好且电阻可调节的柔性场效应传感器，且具有优良的可降解性。
柔性场效应传感器基于紫外光刻制备方法

[发明专利]有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板-CN202011339789.5有效
发明人：申丽萍;邢汝博;陈伟伟 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供的有机薄膜晶体管器件制备方法及显示面板，涉及半导体器件技术领域。通过在掩膜层上形成有机半导体层，再通过移除该掩膜层的方式形成有机半导体沟道层。上述形成有机半导体沟道层的方式相对于光刻形成有机半导体沟道层的方式，因形成过程不会涉及高温烘烤光刻胶层的工艺步骤，所形成的有机半导体沟道层中载流子的迁移率较高，有机薄膜晶体管器件的电学特性相对稳定。同时，上述形成有机半导体沟道层的方式，有效规避了制程环境因素(光、高温)对有机半导体沟道层形成的影响，有机半导体沟道层图形化过程更加简单，图形化效果更好。
有机薄膜晶体管器件制备方法显示面板

[发明专利]二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法-CN202210555197.X在审
发明人：张昕蔚;揭建胜;邓巍;雷贺蒙;张晓宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了二维有机半导体单晶薄膜、有机场效应晶体管的制备方法。该制备方法包括：在n型SiO2/Si基底上制备形成绝缘层，以得到基材；将基材放置在刮涂机的基板上，且使得基材与位于基板上方的刮刀之间的间距为预设间距；向基材和刮刀之间的间隙施加预设混合溶液，预设混合溶液为预设溶液与聚乙二醇辛基苯基醚的混合溶液，预设溶液为C8‑BTBT溶解在预设有机溶剂中的溶液；控制刮刀以预设速度运动，以使间隙附近形成的弯液面在刮刀的引导下快速结晶，从而形成二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜。制备获得的二维C8‑BTBT有机半导体单晶薄膜晶界和缺陷少，迁移率较高，足够实现很多应用，如有源矩阵、有机发光二极管、传感器和放大电路等的应用。
二维有机半导体薄膜有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用-CN202110030859.7有效
发明人：张钰;吴雨辰;江雷 -专利权人：季华实验室
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄一维有机单晶阵列薄膜及其制备方法和应用，包括以下步骤：（1）在基底上滴加第一有机半导体溶液；（2）取表面刻蚀有硅柱的另一氧化硅片，将刻蚀有硅柱的一面覆盖在第一有机半导体溶液之上，在50‑120℃下加热；（3）滴加第二有机半导体溶液，第二有机半导体溶液覆盖基底，在50‑120℃下加热。采用本发明所提供的制备方法得到的超薄一维有机单晶阵列薄膜，厚度薄，取向度好，有利于工业化大规模生产应用。
一种超薄有机阵列薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于溶剂工程的场效应晶体管及其制备方法-CN202210611959.3在审
发明人：赵奎;吴垠;丁自成;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于溶剂工程的场效应晶体管及其制备方法，该制备方法使用氯仿(CF)、溴萘(BrN)混合溶剂配置聚合物溶液，通过调控溶剂比例得到最佳的溶剂配方，使用刮涂法制备出高质量的大面积有机聚合物薄膜，以实现场效应晶体管载流子迁移率的大幅提升，进而得到高迁移率场效应晶体管，这将为推动场效应晶体管走向工业化生产、商业化应用提供一种新的思路和方法。
一种基于溶剂工程场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管及其制备方法-CN201811044695.8有效
发明人：邱松;金赫华;余小芹;吕前进 -专利权人：苏州希印纳米科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高性能单壁碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，该方法中制备金属电极与半导体层的接触区域的过程，包括将均匀分散在有机溶剂中的已经过分离提纯的半导体型单壁碳纳米管置于衬底上并烘干，制备碳管薄膜；利用等离子体对所获得的图案对待沉积电极区域进行局部刻蚀处理，通过调节等离子体处理过程中的气体流量、等离子体发生功率、刻蚀时间，以控制对碳管薄膜的局部刻蚀；在上述局部刻蚀的碳管薄膜上，沉积金属电极作为薄膜晶体管的源漏电极。本发明适于工业级批量制备高纯度半导体型单壁碳纳米管材料，使用这类半导体材料能够制备出高性能微纳米器件和复杂集成电路。
性能单壁碳纳米薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN202210485343.6在审
发明人：许金友;赵子豪;宋佳迅;王兴宇;张玲玉;宋健;廖记辉;周国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的表面制备纳米级沟道阵列，然后在该表面制备栅电极，再在栅电极的表面制备介质层；对介质层的表面进行疏水处理，然后通过物理气相沉积在其上制备有机半导体纳米线阵列层，最后在有机半导体纳米线阵列层的表面制备源电极和漏电极。通过该方法，可有效控制有机半导体纳米线阵列中的纳米线定向有序生长，进而可便于后续源漏电极的制作，整体制作流程简单，易于操作，生产效率高。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用-CN202010100313.X有效
发明人：李荣金;刘璇宇;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法和应用，制备方法包括：将10～20μl半导体溶液滴加至第一基液中，静置，得到第二基液，将PTS修饰载体垂直插入第二基液中，再以5～10um/s的速度将PTS修饰载体向上垂直提拉，在PTS修饰载体的表面获得超薄晶态连续有机半导体薄膜，其中，半导体溶液为半导体和有机溶剂的混合物，半导体溶液中半导体的浓度为0.5～1mg/mL，第一基液为四丁基溴化铵和水的混合物，第一基液中四丁基溴化铵的浓度为8～10mg/mL，有机溶剂为甲苯或氯苯。本发明运用较少的有机半导体生成了大面积连续半导体薄膜，可以应用到大面积集成电路的制备。
超薄晶态连续有机半导体薄膜及其制备方法应用

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