[发明专利]一种选择性转移半导体器件的方法和基板在审
| 申请号： | 201811620158.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585617A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;马非凡;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性转移半导体器件的方法和基板，属于半导体技术领域。所述方法包括：提供一半导体器件阵列，半导体器件阵列包括多个半导体器件，多个半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件；将多个半导体器件转移到临时基板上，临时基板与多个半导体器件之间通过粘结层固定连接；去除多个半导体器件之间的粘结层，粘结层分成多个粘结块；在各个半导体器件和对应的粘结块上铺设保护层，第一半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积小于第二半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积；通过未铺设保护层的区域湿法腐蚀粘结块；利用拾取头转移第一半导体器件，留下第二半导体器件。本发明实现成本和实现难度大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 粘结块 粘结层 铺设 半导体器件阵列 选择性转移 临时基板 上保护层 保护层 半导体技术领域 湿法腐蚀 拾取头 基板 去除 | ||
【主权项】：
1.一种选择性转移半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体器件阵列，所述半导体器件阵列包括衬底和间隔设置在所述衬底上的多个半导体器件，所述多个半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件；将所述多个半导体器件一起从所述衬底上转移到临时基板上，所述临时基板与所述多个半导体器件之间通过粘结层固定连接；去除位于所述多个半导体器件之间的粘结层，所述粘结层分成与所述半导体器件一一对应的多个粘结块，各个所述粘结块位于对应的所述半导体器件和所述临时基板之间；在各个所述半导体器件和对应的粘结块上铺设保护层，所述第一半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积小于所述第二半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积；通过未铺设所述保护层的区域湿法腐蚀所述粘结块，去除所述第一半导体器件对应的粘结块，留下所述第二半导体器件对应的粘结块；利用拾取头转移所述第一半导体器件，留下与所述临时基板通过粘结块固定连接的第二半导体器件。
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