[发明专利]制造装置及制造方法以及制造系统在审
| 申请号： | 201610284030.9 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106098622A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 传藤胜则;石桥干司 | 申请（专利权）人： | 东和株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 郑建晖;苏萌 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题为不发生旋转刀的蛇行而切断厚度厚的被切断物。解决手段是使用厚度t1薄、刀头伸出量L1短的旋转刀8a和厚度t2厚、刀头伸出量L2长的旋转刀8c，分2个阶段切断厚度厚的封装基板1。首先，使用具有薄厚度t1、短刀头伸出量L1的旋转刀8a，沿着多个虚拟切断线5切削封装基板(被切断物)1具有的全部厚度中的一部分厚度，从而形成切削槽10。接着，通过使用厚厚度t2、长刀头伸出量L2的旋转刀8c，沿着多个切削槽10切削封装基板1具有的全部厚度中的剩余部分，从而切断封装基板1。通过分2个阶段切断厚度厚的封装基板1，可减小各切削步骤中的加工负荷。因此，可防止旋转刀8a、8c的蛇行。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 装置 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种在通过切断被切断物而制造多个制品时使用的制造装置，其具备：工作台，其上放置有具有多个虚拟切断线的所述被切断物；第1切断机构，切断所述被切断物；第2切断机构，切断所述被切断物；和移动机构，其移动所述工作台以及所述第1切断机构和所述第2切断机构中的至少一个，使所述工作台和所述切断机构的位置关系发生相对变化；所述制造装置的特征在于，其具备：圆盘状的第1旋转刀，其设置在所述第1切断机构；1组第1固定构件，其将所述第1旋转刀夹持固定；圆盘状的第2旋转刀，其设置在所述第2切断机构；1组第2固定构件，其将所述第2旋转刀夹持固定；第1露出部，为所述第1旋转刀从所述第1固定构件露出而成；第2露出部，为所述第2旋转刀从所述第2固定构件露出而成；其中沿着所述第2旋转刀直径方向的所述第2露出部的长度长于沿着所述第1旋转刀直径方向的所述第1露出部的长度；通过第1旋转刀沿着所述多个虚拟切断线切削所述被切断物的全部厚度中的一部分厚度而形成多个切削槽；通过第2旋转刀沿着所述多个切削槽切削所述被切断物的全部厚度中的剩余厚度而切断所述被切断物，从而制造所述多个制品。
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- O.布兰克 - 英飞凌科技奥地利有限公司
- 2019-02-20 - 2019-08-27 - H01L21/78
- 一种半导体晶片（200）具有：半导体本体（10）；半导体本体（10）上的绝缘层（11）；具有功率半导体管芯（100）的有效区域（210），该有效区域（210）形成半导体本体（10）的一部分；邻近有效区域（210）布置的划线区域（220）；钝化结构（13），其被布置在绝缘层（11）上方并且以便暴露绝缘层（11）的一部分（111），暴露部分（111）由钝化结构（13）的终止边缘（131）终止；光学可检测的参考特征（12），其被配置成在晶片分离处理阶段期间用作参考位置。光学可检测的参考特征（12）：（i）被包括在有效区域（210）中，（ii）从终止边缘（131）在空间上移位，以及（iii）通过钝化结构（13）暴露。
- 处理晶圆的方法-201910110077.7
- 卡尔·海因茨·普利瓦西尔;R·齐默尔曼;星野仁志 - 株式会社迪思科
- 2019-02-11 - 2019-08-23 - H01L21/78
- 本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆在一个侧面(1)上具有包括多个器件(27)的器件区域(2)。该方法包括：提供保护膜(4)；将保护膜施加到晶圆的一个侧面(1)或晶圆的与一个侧面相对的侧面(6)，使得至少保护膜的前表面(4a)的中央区域与晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面直接接触。该方法还包括：将保护膜附接至晶圆的一个侧面或晶圆的与一个侧面相对的侧面，使得保护膜的周边部分的至少一部分沿着晶圆的整个圆周附接至晶圆的侧边缘(5)的至少一部分。晶圆的侧边缘从晶圆的一个侧面延伸到晶圆的与一个侧面相对的侧面。而且，该方法包括：处理晶圆的一个侧面/或晶圆的与一个侧面相对的侧面。
- 柔性显示面板的制造方法-201910506215.3
- 白雪;马俊才;梅文娟;唐如稳 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
- 2019-06-12 - 2019-08-23 - H01L21/78
- 本公开是关于一种柔性显示面板的制造方法，涉及显示技术领域。该制造方法包括：在一硬质的基板上形成升华层；在升华层远离基板的表面形成柔性衬底；在柔性衬底远离基板的表面形成显示器件层；通过热传导的方式对升华层进行加热，直至升华层升华；升华层的材料的升华点高于显示器件层的加工温度，且低于柔性衬底开始熔化的温度；将柔性衬底与基板分离。本公开的制造方法可将柔性显示面板与基板分离，且避免显示器件损坏。
- 元件单元-201821870784.3
- 詹富豪;林鑫利 - 昱鑫制造股份有限公司
- 2018-11-14 - 2019-08-20 - H01L21/78
- 本实用新型提供一种元件单元，其包括基板以及设置在基板的第一表面上的至少一功能层。基板与所述至少一功能层具有至少一切割侧。在所述至少一切割侧处，所述至少一功能层的侧壁包括至少一连续曲面、斜面或纵面，基板的侧壁包括至少一连续曲面、凹陷部终点以及纵面。在基板的所述至少一连续曲面与所述至少一功能层的所述至少一连续曲面、所述斜面或所述纵面之间有交界。凹陷部终点位于基板的所述至少一连续曲面与基板的纵面之间。凹陷部终点与第一表面的最小距离小于基板的厚度的二分之一。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
