[发明专利]半导体器件和方法在审

专利信息
申请号: 202010598629.6 申请日: 2015-07-31
公开(公告)号: CN111834296A 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 余振华;张宏宾;陈怡秀;杨固峰;邱文智 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L25/065;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3065
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明的实施例提供了半导体器件和制造方法。在实施例中,在半导体晶圆内形成第一半导体器件和第二半导体器件,并且图案化第一半导体器件和第二半导体器件之间的划线区。然后,在划线区内利用分割工艺以将第一半导体器件与第二半导体器件分割开。然后将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第二半导体衬底并且被减薄以从第一半导体器件和第二半导体器件去除延伸区。本发明涉及半导体器件和方法。
搜索关键词: 半导体器件 方法
【主权项】:
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