[发明专利]一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201510281169.3 申请日: 2015-05-28
公开(公告)号: CN104867836B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 杨尊先;郭太良;胡海龙;周雄图;严文焕;刘佳慧 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L21/368 分类号: H01L21/368;H01L33/44
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350002 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明涉及一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,分别以金属量子点层作为等离子激元增强层、以有机高分子化合物作为隔离层、以CdSe量子点/有机高分子复合膜层作为光致发光层,制备等离子体激元增强量子点光学膜。本发明所提出的制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用简单的旋涂工艺技术,实现复合膜中各个膜层厚度精确可控,分散性良好,充分利用高分子有机物对金属量子点与半导体量子点间距的阻隔和调控,实现金属量子点对半导体量子点处光场强度分布等参数有效控制,有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。
搜索关键词: 一种 等离子体 增强 量子 光学 制备 方法
【主权项】:
一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法,其特征在于,按照如下步骤实现:S1:以一ITO玻璃为衬底,通过旋涂成膜工艺,制备金属量子点膜层,并将该金属量子点膜层作为等离子激元增强层;S2:在覆盖有所述金属量子点膜层的ITO玻璃样片上制备有机绝缘隔离层;S3:在覆盖有所述金属量子点膜层以及所述有机绝缘隔离层的ITO玻璃样片上制备CdSe量子点膜层,并将所述CdSe量子点膜层和所述有机绝缘隔离层组成的复合膜层作为光致发光层;S4:通过有机物旋涂、封装工艺制备所述等离子体激元增强量子点光学膜;所述步骤S3还包括如下步骤:S31:将氧化镉粉末、1‑十四基磷酸以及三正丁基氧化膦在排空加热条件下混合,制备镉前驱体溶液;在氩气保护下将硒粉末溶于三丁基膦,制备硒前驱体溶液;在第一温度下,将所述硒前驱体溶液注入所述镉前驱体溶液中,并降温至第二温度,且以第一时间进行保温;去掉加热源,冷却降温至第三温度,并向包括所述硒前驱体溶液以及所述镉前驱体溶液的混合液中注入甲醇溶液,对应获取纳米晶沉淀,并经过离心和清洗处理获取CdSe量子点的氯仿或甲苯溶液,完成CdSe量子点溶液的制备;S32:采用旋涂成膜工艺,在覆盖有所述金属量子点膜层以及所述有机绝缘隔离层的ITO玻璃样片上将所述CdSe量子点溶液旋涂成膜,形成一层CdSe量子点膜层,制备覆盖有所述CdSe量子点膜层、所述有机绝缘隔离层以及所述金属量子点膜层的ITO玻璃样片。
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