专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2021-07-20 公布专利
2021-07-16 公布专利
2021-07-13 公布专利
2021-07-09 公布专利
2021-07-06 公布专利
2021-07-02 公布专利
2021-06-29 公布专利
2021-06-25 公布专利
2021-06-22 公布专利
2021-06-18 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于多模半导体检验的光学模式选择-CN201980079468.5在审
  • --- 科磊股份有限公司
  • 2019-12-12 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 使用主要光学模式扫描一或多个半导体晶片或其部分以识别缺陷。使用电子显微镜选择并检视多个所述经识别缺陷,包含第一类别的缺陷及第二类别的缺陷。基于此检视,将所述多个缺陷的相应缺陷分类为所述第一类别或所述第二类别的缺陷。使用多个辅助光学模式使所述多个所述经识别缺陷成像。基于使用所述主要光学模式的所述扫描及使用所述多个辅助光学模式的所述成像的结果,选择用于结合所述主要光学模式使用的所述辅助光学模式中的一或多者。使用所述主要光学模式及所述一或多个所选择的辅助光学模式针对缺陷扫描生产半导体晶片。
  • 用于半导体检验光学模式选择
  • [发明专利]一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统-CN202110099524.0在审
  • 上海- 上海磬采电力科技开发有限公司
  • 2021-01-25 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统,包括主控器,和包括红外发射器、红外接收器,以及包括串行数据检测电路和污染程度分析电路;红外接收器将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给串行数据检测电路处理;所述串行数据检测电路的输出端电性连接所述污染程度分析电路的输入端;所述串行数据检测电路将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路进行分析;所述污染程度分析电路分析由所述串行数据检测电路传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。本发明能够给工作人员对不同污染程度的晶圆片进行差别性清洗提供直观提示。
  • 一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统
  • [发明专利]分析装置和图像生成方法-CN201980079096.6在审
  • --- 东京毅力科创株式会社
  • 2019-11-28 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明提供一种用于对检查对象体的检查结果进行分析的分析装置,所述检查对象体形成有分别具有在电气检查时因与探针接触而形成针迹的电极的多个检查对象器件,所述分析装置包括显示图像的显示部和生成所述显示部所要显示的图像的图像生成部,所述图像生成部基于关于所述针迹的检查结果的信息来生成分析用图像,所述分析用图像具有:针迹散点图的图像,其重叠地表示所述检查对象器件各自的所述针迹相对于所述电极的位置的;检查对象体映射图像,其表示有所述检查对象体的所述检查对象器件的形成面,且在与所述检查对象器件分别对应的位置显示了关于该检查对象器件的针迹检查结果;和所述电极的拍摄图像,所述针迹散点图的图像、所述检查对象体映射图像和所述拍摄图像各自的显示内容是相互联动的。
  • 分析装置图像生成方法
  • [发明专利]具有全晶片覆盖能力的极高敏感度混和式检验-CN201980078628.4在审
  • --- 科磊股份有限公司
  • 2019-11-06 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明揭示用于检测半导体样本上的缺陷的设备及方法。首先使用光学检验器以用经选择以检测在跨半导体样本的对应位置处的候选缺陷及扰乱点位点的积极预定义的阈值检验所述样本。高分辨率分布式探针检验器包含相对于所述样本移动以扫描及获得每一位点的高分辨率图像以检测且使所述候选缺陷位点与所述扰乱点位点分离的微型探针阵列。接着使用较高分辨率探针获得每一候选位点的较高分辨率图像,以获得每一位点的高分辨率图像,使不利地影响所述样本上的任何装置的操作的真实缺陷与所述候选缺陷分离。
  • 具有晶片覆盖能力极高敏感度混和检验
  • [发明专利]分析装置和图像生成方法-CN201980079433.1在审
  • --- 东京毅力科创株式会社
  • 2019-11-28 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明为分析装置,其用于对检查对象体的检查的状态进行分析,上述检查对象体形成有多个检查对象器件,上述检查使用探针卡进行,上述探针卡形成有多个与上述检查对象器件接触的探针,上述分析装置包括:显示图像的显示部;和图像生成部,其生成在上述显示部显示的图像,上述图像生成部基于上述探针卡的多个部分的上述探针的高度和上述检查对象体的多个部分的上述检查对象器件的高度中的至少任一者的检测结果,生成表示上述探针和上述检查对象器件中的至少任一者的高度的分布的高度分布图像。
  • 分析装置图像生成方法
  • [发明专利]芯片封装的工艺内测试方法及装置-CN202010075165.0在审
  • 台湾- 复格企业股份有限公司
  • 2020-01-22 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明提出一种芯片封装的工艺内测试方法及测试装置,该测试方法可在数个芯片封装尚未进行切割、单粒化前,对该数个芯片封装进行电性测试。该测试装置可包括一承载座及一测试结构,承载座承载相连接的数个芯片封装,该数个芯片封装包含一体相连的一电路基板及一体相连的一塑封体;测试结构承载于该承载座上、或设置于该承载座的上方,其中,该测试结构包含数个探针组,分别接触该数个芯片封装。
  • 芯片封装工艺测试方法装置
  • [发明专利]等离子体观测系统和等离子体观测方法-CN202110054765.3在审
  • --- 东京毅力科创株式会社
  • 2021-01-15 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 本发明提供一种等离子体观测系统和等离子体观测方法,用于进行处理容器内的等离子体的观测地点的确定和观测地点的等离子体的状态的判定。所述等离子体观测系统具有:等离子体处理装置,在该等离子体处理装置的处理容器内通过等离子体对基板进行处理;以及测定装置,其测定所述等离子体,其中,所述等离子体处理装置具有多个观测窗,所述多个观测窗能够观测所述处理容器中等离子体的发光状态,所述测定装置具有:受光器,其从多个观测窗接受在所述处理容器内交叉的多个光;以及控制部,其基于接受到的多个光来进行等离子体的观测地点的确定和所述观测地点的等离子体的状态判定。
  • 等离子体观测系统方法
  • [发明专利]用于监测纳米结构的方法-CN201980008042.0在审
  • --- 应用材料以色列公司
  • 2019-01-10 - 2021-07-23 - H01L21/66
  • 一种用于监测由多图案化处理形成的第一纳米结构的方法,该方法可包含:执行第一多个测量以提供第一多个测量结果;其中执行该第一多个测量包含:由具有不同的倾斜角的倾斜的带电粒子束来照射该第一纳米结构的第一侧壁的第一多个位置;以及通过硬件处理器来处理该第一多个测量结果,以确定该第一纳米结构的第一属性。
  • 用于监测纳米结构方法
  • [发明专利]一种半导体掺杂层厚度无损检测方法-CN202110423512.9在审
  • 福建- 瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
  • 2021-04-20 - 2021-07-20 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种外延层厚度无损检测方法,包括:获得外延层的掺杂浓度;获得反向偏置电压值V:使用探针与外延层接触,形成肖特基结,并对肖特基结施加逐步增大的反向偏置电压,记录下电流出现明显变化时的反向偏置电压值V;根据公式进行计算,得到d值即为外延层厚度。本发明所述外延层厚度无损检测方法,对于厚度在5微米以下的外延层,厚度检测精度为0.01微米,且最小的检测厚度为0.1微米,极大促进了外延层检测技术的拓展和准确性,具有高精度、无损检测的优势。
  • 一种半导体掺杂厚度无损检测方法
  • [发明专利]一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法-CN201810869324.7在审
  • 安徽- 安徽大华半导体科技有限公司
  • 2018-08-02 - 2021-07-20 - H01L21/66
  • 本发明公开了一种半导体芯片引脚成型缺陷检测的方法,利用机器视觉的优势,根据上位机触发信号,采集待测区域图像信息,并经过灰度化和去噪处理得到待处理的灰度化图像信息;根据半导体引线框架的共性特点找到每一工步ROI区域;在每一工步ROI区域内计算芯片数量、并找到每一芯片的ROI区域;再在每一芯片的ROI区域内计算芯片外形尺寸、塑封体尺寸、芯片引脚数、脚间距、跨度信息;与模板信息对比后,向上位机反馈检测结果。本发明通过这种逐层找到ROI区域再进行相关的待检项目检测的方法,极大降低算法的复杂度,提高算法效率,使得半导体芯片在切筋成型工序中是否有成型缺陷能得到快速、稳定的全部检测。
  • 一种半导体芯片引脚成型缺陷检测方法
  • [发明专利]有机半导体器件原位电学性能监测设备-CN202110464112.2在审
  • 江苏- 苏州大学
  • 2021-04-28 - 2021-07-20 - H01L21/66
  • 本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能监测设备,包括:真空腔体,提供器件制备及原位监测的真空环境;蒸发源,提供器件制备的原材料;检测组件,包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台,探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管,探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件,用于观察位于真空腔体内的探针的位置,调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点;监测仪器,与检测组件连接,获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中,实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号,获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。
  • 有机半导体器件原位电学性能监测设备
  • [发明专利]探针卡模块-CN202010066373.4在审
  • 台湾- 创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-01-20 - 2021-07-20 - H01L21/66
  • 本发明提供一种探针卡模块,包括探针卡组件及强化结构。探针卡组件包括相对的第一面与第二面及凸出于第一面的多个探针,其中第二面包括中央区及环绕中央区的周围区,且这些探针对第二面的投影位于中央区。强化结构配置于第二面,且包括立起于周围区且远离彼此的两支撑座及连接于两支撑座的弧形加固组件,其中弧形加固组件凸向中央区而抵靠于中央区。
  • 探针模块
  • [发明专利]板式PECVD设备的质量流量计的标定方法-CN201910623690.9在审
  • 河北- 晶澳太阳能有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
  • 2019-07-11 - 2021-07-20 - H01L21/66
  • 本发明涉及板式PECVD设备的质量流量计的标定方法,板式PECVD设备包括质量流量计M1至Mn,其中,n为3以上的自然数,标定方法包括如下步骤:步骤S1,释放反应腔体中的气体,使板式PECVD设备的反应腔体中的压力稳定至P0;步骤S2,经由质量流量计M1向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的气体,待反应腔体中的压力稳定后记录反应腔体中的压力为P1;步骤S3,重复步骤S1和步骤S2,分别记录经由质量流量计M2至Mn向板式PECVD设备的反应腔体中通入预定流量的所述气体后反应腔体中的压力P2至Pn;步骤S4,根据所测得的P1至Pn确定需要更换的质量流量计并进行更换。本发明实施例的标定方法较为准确的判断出异常的质量流量计并进行更换,保证了镀膜效果,且操作简单方便。
  • 板式pecvd设备质量流量计标定方法

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