[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510195898.7 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN105321998A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 伊牧 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含第一半导体层、绝缘栅结构、第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区。绝缘栅结构形成于沟槽形态中，此沟槽形态嵌入第一半导体层中。第一半导体区、第二半导体区及轻掺杂半导体区形成于第一半导体层中。第二半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。第二半导体区形成于轻掺杂半导体区上，轻掺杂半导体区形成于第一半导体区及绝缘栅结构之间，且轻掺杂半导体区接触第一半导体区及绝缘栅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，包含：一第一半导体层，具有一第一导电性类型；一绝缘栅结构，形成于一沟槽形态中，该沟槽形态嵌入该第一半导体层中；一第一半导体区，具有一第二导电性类型，并形成于该第一半导体层中；一第二半导体区，具有该第一导电性类型，并形成于该第一半导体层中，其中该第二半导体区接触该第一半导体区及该绝缘栅结构；以及一轻掺杂半导体区，具有该第二导电性类型，并形成于该第一半导体层中，其中该第二半导体区形成于该轻掺杂半导体区上，该轻掺杂半导体区形成于该第一半导体区及该绝缘栅结构之间，该轻掺杂半导体区接触该第一半导体区及该绝缘栅结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510195898.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件和电子设备
- 下一篇：包括场电极的半导体器件
- 同类专利
- 一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管-201710091494.2
- 陈文锁;廖瑞金;蒲贤洁;曾正;邵伟华;李辉 - 重庆大学
- 2017-02-20 - 2019-11-12 - H01L29/739
- 本发明公开了一种自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管；所述自驱动阳极辅助栅横向绝缘栅双极型晶体管以SOI为衬底，采用自驱动阳极辅助栅极的设计结构，在保证器件较小关断时间的前提下，可以消除器件导通时的负阻效应，提高器件的工作稳定性；此外，该器件可以采用现有常规集成电路制造工艺步骤实现，并且这种器件设计还可以减小器件的横向尺寸，提高电流导通能力。
- 具有改进稳定性的功率半导体器件及其生产方法-201510929113.4
- J.卢茨;E.佩尔特曼;H-J.舒尔策 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2015-12-15 - 2019-11-12 - H01L29/739
- 本发明涉及具有改进稳定性的功率半导体器件及其生产方法。一种功率半导体器件包括第一触点、第二触点、布置在第一触点和第二触点之间的半导体体积。该半导体体积包括用于在功率半导体器件的操作期间对在半导体体积中形成的电场进行空间划界的n掺杂场阻止层、重p掺杂区和邻近的重n掺杂区，所述重p掺杂区和重n掺杂区一起形成隧道二极管，该隧道二极管位于场阻止层附近或者与场阻止层相邻或者场阻止层内，以及其中所述隧道二极管被适配为通过快速提供空穴来提供保护以免由于在异常操作条件中出现电子流而引起的对所述器件的损坏。进一步地，提供了用于生产这样的器件的方法。
- 一种绝缘栅双极晶体管-201920220837.5
- 陈石元 - 深圳市鑫飞宏电子有限公司
- 2019-02-21 - 2019-11-08 - H01L29/739
- 一种绝缘栅双极晶体管，本实用新型涉及半导体器件技术领域，硅片的下表面设有导电层，导电层内设有数个一号通道和数个二号通道，二号通道设于相邻两个的一号通道之间；导电层的下侧设有衬底，衬底与导电层之间夹设有硅片氧化层；硅片上侧内的左右两侧均设有基底区，基底区内设有发射极区；硅片上表面的左右两侧均设有正面金属电极，左右两侧的正面金属电极之间设有多晶硅栅极层，多晶硅栅极层设于硅片上表面的中部，多晶硅栅极层与硅片上表面之间夹设有栅极氧化层；多晶硅栅极层的外侧设有介质层；通过特殊的结构使得器件的导通损耗得到改善，提高了器件的可靠性，保证了器件的使用寿命。
- 垂直导电功率器件及其制作方法-201510325803.9
- 郑大燮;刘博;司徒道海 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2015-06-12 - 2019-11-05 - H01L29/739
- 一种垂直导电功率器件及其制作方法。其中，对于功率器件，将单一性质的缓冲层改为具有不同性质的第一区与第二区，当功率器件打开时，第一区与第二区相比，集电区的载流子更适于通过两者中的一个进入漂移区，当功率器件截止时，第一区与第二区相比，电场更适于终止在两者中的另一个中。上述方案的好处在于：例如第一区相对第二区，功率器件导通时，集电区中的载流子更多在前者通过，这能降低整个功率器件的导通压降；第二区与第一区相比，功率器件截止时，电场更多终止在前者中，这能提高整个功率器件的击穿电压及减小关断时间。
- 绝缘栅双极型晶体管以及电子设备-201920447809.7
- 秦博;肖秀光 - 比亚迪股份有限公司;深圳比亚迪微电子有限公司
- 2019-04-03 - 2019-11-05 - H01L29/739
- 本实用新型公开了绝缘栅双极型晶体管及电子设备。该绝缘栅双极型晶体管包括：集电区、漂移区和基区，发射区，所述发射区位于所述基区在远离所述漂移区的一侧；栅极结构，所述栅极结构位于所述基区远离所述漂移区的一侧，覆盖所述基区的部分表面且与所所述发射区相接触；发射电极，所述发射电极位于所述栅极结构远离所述基区的一侧，且与所述栅极结构绝缘设置，并与所述基区相接触，电阻层，所述电阻层位于所述基区远离所述漂移区的一侧，所述电阻层与所述发射电极、所述发射区和所述基区接触，并与所述栅极结构之间绝缘设置。缘栅双极型晶体管结构简单，电阻层无需额外引入构图工艺形成，可防止器件发生闩锁。
- 半导体装置以及半导体装置的制造方法-201580023346.6
- 平林康弘;町田悟;山下侑佑 - 丰田自动车株式会社
- 2015-02-27 - 2019-11-05 - H01L29/739
- 本发明提供一种能够抑制回扫的半导体装置。该半导体装置具有半导体基板，半导体基板具有IGBT区和二极管区。在对从表面朝向背面的方向上的n型杂质浓度分布进行观察时，在阴极区与缓冲区的边界处形成有n型杂质浓度的极小值。在缓冲区内形成有n型杂质浓度的极大值。在缓冲区与阴极区中的至少一方内形成有与周围相比以高浓度分布有晶体缺陷的晶体缺陷区域。对从表面朝向背面的方向上的晶体缺陷的浓度分布进行观察时的晶体缺陷的浓度的峰值被形成在与具有n型杂质浓度的极大值的一半的n型杂质浓度的位置相比靠背面侧的区域内。
- 功率半导体元件-201810515442.8
- 陈劲甫 - 力智电子股份有限公司
- 2018-05-25 - 2019-10-29 - H01L29/739
- 本发明提供一种功率半导体元件，包括基底定义有有源区与终端区。终端区环绕有源区。第一外延层配置在有源区与终端区的基底上。第二外延层配置在第一外延层上。第二外延层中包括第一终端沟槽、第二终端沟槽以及第三终端沟槽。第一终端沟槽配置在终端区中且邻近有源区。第二终端沟槽配置在终端区中。第三终端沟槽配置在终端区中。第二终端沟槽位于第一终端沟槽与第三终端沟槽之间。第三终端沟槽具有第三电极，其电性连接至漏极。本发明可改善终端区中的沟槽电极的边缘处的电场扭曲现象，进而提升功率半导体元件的击穿电压。
- 一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法-201710781882.3
- 张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成 - 西安交通大学
- 2017-09-02 - 2019-10-29 - H01L29/739
- 本发明提供一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法，器件包括源极、第一导电类型源区接触、第二导电类型基区、重掺杂第二导电类型沟槽区、第一导电类型多晶硅栅极、第二导电类型多晶硅栅极、槽栅介质、第二导电类型栅氧保护区、第一导电类型包裹区、第一导电类型漂移区、第二导电类型衬底和漏极。本发明所述第一导电类型多晶硅栅极与第二导电类型多晶硅栅极形成的空间电荷区，减小了栅极与漏极的耦合，因而降低了器件栅电荷；第一导电类型包裹区可以减小第二导电类型栅氧保护区在漂移区中形成的空间电荷区，并且能够有效传输电流，因而可以降低器件导通电阻；重掺杂第二导电类型沟槽区有效屏蔽栅氧电场，保护栅氧。
- 半导体装置-201580036816.2
- 三角忠司 - 丰田自动车株式会社
- 2015-05-08 - 2019-10-29 - H01L29/739
- 本发明提供一种能够通过温度传感器而适当地实施温度检测的半导体装置。在本说明书所公开的半导体装置(2)中，表面绝缘膜(70)中的第一部分(70a)(即，沿着表面电极(40)的位于温度传感器(50)侧的第一边(40a)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第一宽度(W1)，与表面绝缘膜(70)中的第二部分(70b)(即，沿着表面电极(40)的第二边(40b)而延伸的部分中的、形成在有源区(100)的上部处的部分)的第二宽度(W2)相比而较宽。
- 半导体器件-201920090693.6
- 拉尔夫·N·沃尔;李孟佳 - 半导体元件工业有限责任公司
- 2018-07-02 - 2019-10-25 - H01L29/739
- 本实用新型提供了一种半导体器件，其特征在于，包括：三个端子；三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中漂移区包括上漂移层、下漂移层；以及上漂移层和下漂移层之间的多个隐埋结层，其中，中间漂移层将每对相邻隐埋结层分隔开，上漂移层和下漂移层具有第一掺杂类型，每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，第一材料具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且第二材料具有第一掺杂类型并且具有与上漂移层和下漂移层不同的掺杂浓度，以及隐埋结层的散布图案相对于彼此不对准。该新颖的隐埋结架构使半导体器件能够通过掺杂材料和反向掺杂材料的散布图案来解决开关损耗和性能退化的技术问题。
- IGBT器件及其形成方法-201810322007.3
- 刘剑 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
- 2018-04-11 - 2019-10-22 - H01L29/739
- 本发明提供了一种IGBT器件及其形成方法。由于IGBT器件的终端区中，其场板结构是嵌入到衬底中，从而使场板结构相对于衬底表面的高度大大降低，如此有利于缩减终端区和有源区之间的高度差异，进而可改善后续的工艺中由于较大的高度差而使得制备难度较大的问题。
- 半导体装置以及半导体装置的制造方法-201510270742.0
- 内藤达也 - 富士电机株式会社
- 2015-05-25 - 2019-10-22 - H01L29/739
- 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，能实现精细化，并防止阈值电压和导通电压的上升，并且能防止破坏耐量的降低。n+型发射极区域(6)和p++型接触区域(7)在沟槽呈条状延伸的第一方向上交替重复配置于夹在槽栅之间的台面部上。p+型区域(8)覆盖n+型发射极区域(6)与p++型接触区域(7)的接合界面的下侧端部。在形成该槽栅结构时，利用第一离子注入在台面部沿第一方向以规定间隔选择性地形成n+型发射极区域(6)。接着，利用第二离子注入在台面部的整个面上形成比n+型发射极区域(6)要浅的p+型区域(8)。接着，利用第三离子注入在p+型区域(8)的内部选择性地形成p++型接触区域(7)。之后，使n+型发射极区域(6)与p++型接触区域(7)扩散并接触。
- 分立双矩形栅控U形沟道源漏双隧穿晶体管及其制造方法-201711046246.2
- 靳晓诗;高云翔;刘溪 - 沈阳工业大学
- 2017-10-31 - 2019-10-15 - H01L29/739
- 本发明涉及一种分立双矩形栅控U形沟道源漏双隧穿晶体管及其制造方法，所述晶体管具有能够使晶体管源漏两侧同时发生隧穿效应的矩形栅电极结构特征和能够实现源漏互换双向导通的左右对称的结构特征，矩形栅电极对单晶硅薄膜两侧垂直部分形成三面包裹，因此具有较强的栅控能力，可实现低亚阈值摆幅特性；具有能够阻止源漏掺杂区的多数载流子流过晶体管的势垒调控栅结构特征。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
- 一种IGBT单元-201920512094.9
- 邱瑞鑫;车兰秀;徐之文;薛英杰 - 广州华工科技开发有限公司
- 2019-04-15 - 2019-10-15 - H01L29/739
- 本实用新型实施例公开了一种IGBT单元，所述IGBT单元包括：散热基板、第一焊锡层、第一铜箔、绝缘基板、第二铜箔、第二焊锡层、芯片、铝线和散热布，所述散热布贯穿所述第二铜箔的第一极体、绝缘基板、第一铜箔和第一焊锡层，并连接到所述散热基板上。在本实用新型实施例中通过散热布贯穿IGBT单元的各个功能层，可以将芯片上所产生的热量传导至散热基板上，实现热量快速的散发，由于散热基板是一个承载基板，其散热面积大，具有良好的散热功效。
- 半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置-201910060925.8
- 佐藤宪一郎 - 富士电机株式会社
- 2019-01-23 - 2019-10-11 - H01L29/739
- 本发明提供一种能够适当地检测温度的半导体装置、半导体封装、半导体模块及半导体电路装置。所述半导体装置具备设置有晶体管部和二极管部的半导体基板，所述半导体装置具备：温度检测部，其设置于半导体基板的上表面的上方，且在预先确定的长边方向具有长边；上表面电极，其设置于半导体基板的上表面的上方；以及一个以上的外部布线，其包括与上表面电极连接的连接部分，将上表面电极与半导体装置的外部电路电连接，温度检测部以在长边方向上遍及一个以上的晶体管部以及一个以上的二极管部的方式配置，在俯视时，至少一个外部布线的连接部分配置于温度检测部的周围。
- 具有dV/dt可控性和低栅极电荷的IGBT-201910249737.X
- A.菲利普;R.巴伯斯克;C.耶格尔;J.G.拉文;H.梅克尔 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2019-03-29 - 2019-10-11 - H01L29/739
- 提供了一种具有势垒区的IGBT。IGBT的功率单位单元具有可以二者延伸到势垒区中的至少两个沟槽。所述至少两个沟槽可以二者具有耦合到IGBT的控制端的相应沟槽电极。例如，沟槽电极被结构化以便减少IGBT的总体栅极电荷。势垒区可以是p掺杂的并且通过漂移区竖直限域，即在延伸方向上并且对向延伸方向。势垒区可以电气浮置。
- 具有反向续流能力的IGBT及其制造方法-201610566543.9
- 柯行飞 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2016-07-19 - 2019-10-11 - H01L29/739
- 本发明公开了一种具有反向续流能力的IGBT，包括：正面MOS结构，N型漂移区，背面集电极结构；背面集电极结构包括N+缓冲层，P+注入层和背面金属层。P+注入层的图形结构通过在半导体衬底正面形成的凹槽进行定义，N+缓冲层的结深大于所述凹槽的深度，P+注入层小于所述凹槽的深度并位于凹槽之间的半导体衬底的N+缓冲层的背面；背面金属层完全填充凹槽且延伸到凹槽外的整个半导体衬底背面。本发明还公开了一种具有反向续流能力的IGBT的制造方法。本发明不需要采用背面光刻和去胶工艺就能集成具有反向续流能力的二极管结构，工艺简单，成品率高，能提高可制造性。
- 碳化硅半导体装置的制造方法-201580022557.8
- 栗林秀直;宫崎正行 - 富士电机株式会社
- 2015-11-12 - 2019-10-11 - H01L29/739
- 在正面元件结构形成后，从n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)离子注入p型杂质。接下来，从n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)照射激光，使p型杂质活化而形成p型集电层(4)。接下来，在n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)形成势垒金属层，并进行势垒金属层的烧结。接下来，从n‑型碳化硅基板(11)的背面(11b)侧进行以比p型集电层(4)深的位置为射程(17)的质子注入(16)。接下来，通过炉退火对n‑型碳化硅基板(11)整体进行加热，并通过使质子施主化来形成n+型场截止层(3)。此时，通过使残留在质子通过区(14)的无序减少来使n‑型碳化硅基板(11)的晶态恢复。由此，能够稳定地避免产生电气特性不良。
- 一种埋沟式SiC IGBT常关器件-201822220913.0
- 谢龙飞;叶娜;曹琳;李碧珊 - 西安中车永电电气有限公司
- 2018-12-27 - 2019-10-08 - H01L29/739
- 本实用新型提供了一种埋沟式SiC IGBT常关器件，其结构包括p+衬底层、n‑漂移区、p+注入区、n‑耗尽区、p+隔离区、p‑生长区、n注入区、n+发射极区和n埋沟区。本实用新型提供的埋沟式SiC IGBT常关器件，能够在导通时沟道远离SiC/SiO2界面一定的距离以减小界面态的影响，从而提高沟道处载流子的迁移率，同时本实用新型提出的器件为常关型，易于控制和应用。
- 一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管-201910692880.6
- 刘俊杰;林信南;王曦;董树荣;卫荣汉 - 北方民族大学
- 2019-07-30 - 2019-10-01 - H01L29/739
- 本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种低功耗绝缘栅极区双极型晶体管，包括N‑漂移区，所述N‑漂移区的一侧设有集电极区，N‑漂移区的另一侧设有栅极区，在所述栅极区旁靠近集电极区的一侧设有发射极区，在所述发射极区靠近集电极区的一侧设有绝缘槽势垒，且所述绝缘槽势垒与发射极区贴合。本发明处于导通状态时，空穴分布在N‑漂移区，绝缘槽势垒不会阻断电子电流，但可以可以阻断大部分的空穴电流，这样就可以实现空穴存储，即N‑漂移区内的空穴密度会增加，那么从MOS沟道注入的电子可以增加，电导调制作用增强，通过这种方式，可以降低晶体管器件的导通电阻，同时在保持开关损耗不增加的情况下，降低了导通损耗。
- 一种载流子存储增强的绝缘栅双极型晶体管-201710404322.6
- 黄铭敏 - 四川大学
- 2017-06-01 - 2019-10-01 - H01L29/739
- 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，发射区采用了具有比其它半导体区更高禁带宽度的半导体材料，基区与发射区形成正向导通电压较高的异质PN结，基区与发射极之间通过一个二极管或两个同向串联的二极管或两个以上同向串联的二极管相连，基区与发射极之间的二极管通路的正向导通电压小于基区与发射区形成的异质PN结的正向导通电压。在正向导通时，基区与发射极之间的二极管导通，基区的电位抬高，从而使漂移区的少数载流子在靠近基区附近的存储效果得到增强。与传统绝缘栅双极型晶体管器件相比，本发明的绝缘栅双极型晶体管器件可以获得更低的导通压降。
- 一种横向绝缘栅双极型晶体管-201710328723.8
- 张金平;赵倩;刘竞秀;李泽宏;任敏;张波 - 电子科技大学
- 2017-05-11 - 2019-09-27 - H01L29/739
- 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体的说是涉及一种横向绝缘栅双极型晶体管。本发明在传统阳极短路LIGBT结构的基础上，在器件漂移区内集电极一端形成隔离介质槽，在隔离介质槽另一端形成集成PMOS结构，并使集成PMOS结构与阳极短路N+区串联，同时在集成PMOS结构的栅极和LIGBT器件的发射极之间引入集成电容结构。本发明结构通过集成PMOS和电容形成的自偏置效应，在导通状态下，具有与传统LIGBT相同的工作状况，具有相同的导通压降并且在导通过程中不存在负阻现象；在阻断状态下，具有更高的击穿电压；同时在关断过程中，具有更快的关断速度和更低的关断损耗。
- 半导体装置-201910194403.7
- 近藤圭一;妹尾贤;细川博司 - 丰田自动车株式会社
- 2019-03-14 - 2019-09-24 - H01L29/739
- 本发明的半导体装置具备：半导体基板、被设置于半导体基板的上表面上的多个沟槽、覆盖沟槽的内表面的绝缘膜、被配置于沟槽内的控制电极、上部电极和下部电极。半导体基板的二极管区具有：n型的旁路区，其与绝缘膜相接，并且与上部电极连接；p型的阳极接触区，其与上部电极连接；p型的体区，其被配置于旁路区与阳极接触区的下侧，且在旁路区的下侧处与绝缘膜相接；n型的漂移区，其在体区的下侧处与绝缘膜相接；n型的阴极区，其被配置于漂移区的下侧，且与下部电极连接。阳极接触区的下端的位置与旁路区的下端的位置相比靠下侧。
- 一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法-201611099482.6
- 刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震 - 株洲中车时代电气股份有限公司
- 2016-12-02 - 2019-09-24 - H01L29/739
- 本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT及其制备方法，包括：步骤1，在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入；步骤2，对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀之后，沉积栅氧化层；步骤3，在栅氧化层上沉积N型掺杂的多晶硅层；步骤4，在N型掺杂的多晶硅层上沉积P型掺杂的多晶硅层，P型掺杂的多晶硅层将沟槽填满；步骤5，在P型掺杂的多晶硅层上生长多晶硅氧化层；步骤6，对完成多晶硅氧化层生长的IGBT器件主体进行源极注入，形成源极区；步骤7，对形成源极区的IGBT器件主体进行钝化层淀积与刻蚀，形成栅电极和阴极接触区。通过在栅极的沟槽内设置内嵌二极管，增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻，遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。
- 具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件-201610553186.2
- R.巴布尔斯克;J.G.拉文 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2016-07-14 - 2019-09-17 - H01L29/739
- 提供了具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件。一种半导体器件（500）包括晶体管单元（TC），其当施加到栅电极（155）的栅电压超过第一阈值电压（Vthn）时将第一负载电极（310）与漂移结构（120）连接，漂移结构（120）与本体区（115）形成第一pn结（pn1）。在第一负载电极（310）的垂直投影中并且与第一负载电极（310）电连接的第一辅助单元（AC1）配置为至少在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。第二辅助单元（AC2）配置为当在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中栅电压低于比第一阈值电压（Vthn）低的第二阈值电压（Vthp）时以高发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中，并且当栅电压超过第二阈值电压（Vthp）时以低发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。
- 功率器件及其制备方法-201611042864.5
- 王培林 - 王培林
- 2016-11-21 - 2019-09-13 - H01L29/739
- 本公开提供功率器件及其制备方法。功率器件包括：第一器件，具有多个第一源区并具有多个第一沟槽，多个第一沟槽把多个第一源区彼此电学隔离；至少一个第二器件，具有多个第二源区并具有多个第二沟槽，多个第二沟槽把多个第二源区彼此电学隔离，其中，第二器件内嵌在第一器件中并且第二器件的第二沟槽与第一器件的相应的第一沟槽相连通，并且第二器件的第二源区与第一器件的第一源区之间有金属间距区，该金属间距区内有另外的P+扩散区以作为第二器件和第一器件之间的电阻性隔离。
- 一种二维材料/半导体异质结隧穿晶体管及制备方法-201710454662.X
- 黄如;贾润东;黄芊芊;赵阳;王慧敏;陈诚 - 北京大学
- 2017-06-15 - 2019-09-13 - H01L29/739
- 本发明公开了一种基于二维材料/半导体异质结的隧穿场效应晶体管及其制备方法。通过能带设计使得关态时该器件形成交错式能带结构，即二维材料和半导体材料之间不存在隧穿窗口，能够获得极低的关态电流。施加栅压能够调控二维材料/半导体异质结处的能带对准方式，使得器件在开态时形成错层式能带结构，有效隧穿势垒高度为负值；同时，载流子从源区隧穿到沟道区，能够实现直接隧穿，可获得大的开态电流。该器件采用高掺杂的三维半导体材料作为源区材料，其与金属源电极等势，同时由于二维材料的厚度超薄，栅压可调控二维材料以及二维材料/半导体异质结界面处的能带，可获得理想的栅控能力。本发明工艺简单，与传统的半导体工艺兼容性大。
- 一种沟槽接发射极的功率半导体器件版图结构-201822023719.3
- 孔梓玮;蒋兴莉;王思亮;胡强 - 成都森未科技有限公司
- 2018-12-04 - 2019-09-06 - H01L29/739
- 本申请涉及半导体制造领域，特别是一种沟槽接发射极的功率半导体器件版图结构，其包括芯片版图底版，所述芯片版图底版的上表面淀积有栅极跑道，所述芯片版图底版的上表面开设有多个第一圈栅极槽与第二圈栅极槽，且第二圈栅极槽设置在相邻的两个第一圈栅极槽之间；所述第二圈栅极槽位于栅极跑道内圈中，与栅极跑道呈非接触状态，所述第二圈栅极槽的首尾两端与多晶硅孤岛相连。本申请可以非常容易的实现浮空区域内沟槽接入发射极，对工艺的要求非常简单，与现有工艺在沟槽宽度较窄时也完全兼容。同时也一样达到提高器件开关速度，降低器件开关损耗的目的。
- 一种感应加热用IGBT单管-201822032825.8
- 刘星义;李向坤;刘传利;徐金金;王琪;赵在海 - 科达半导体有限公司
- 2018-12-05 - 2019-09-03 - H01L29/739
- 一种感应加热用IGBT单管，与整流桥外形相同，其特征在于所述的背面为铜基板，铜基板与DBC基片之间为焊片A，DBC基片与IGBT芯片之间为焊片B，7只管脚从左至右分别为IGBT控制端、IGBT高压端、IGBT低压端、整流桥高压输出端、整流桥输入端1、整流桥输入端2、整流桥低压输出端；优点为：降低了了生产焊接难度，节约空间，散热性能好。
- 半导体装置和电子设备-201810153665.4
- 大泷健嗣;押野雄一;森川直树;刘会涛 - 三垦电气株式会社
- 2018-02-22 - 2019-08-30 - H01L29/739
- 本申请实施例提供一种半导体装置和电子设备，该半导体装置包括：沟槽，其位于半导体衬底中；第一绝缘体，其填充所述沟槽的至少一部分；第二绝缘体，其位于所述第一绝缘体上部，与所述第一绝缘体共同填充所述沟槽；第一电极，其至少覆盖所述第二绝缘体的上表面，其中，所述第二绝缘体的至少所述上表面中磷的浓度低于所述第一绝缘体中磷的浓度。根据本申请，在电极和具有较高磷浓度的绝缘体之间设置具有较低磷浓度的绝缘体，由此，减少绝缘体中较高浓度的磷对电极的腐蚀，提高半导体装置的可靠性。
- 专利分类
