[发明专利]具有有源漂移区带的半导体布置在审

专利信息
申请号: 201380007424.4 申请日: 2013-01-30
公开(公告)号: CN104106133A 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: R.魏斯 申请(专利权)人: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/40
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;胡莉莉
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种半导体器件布置包括:半导体层;和至少一个串联电路,具有第一半导体器件和n多个第二半导体器件,其中,n>1。所述第一半导体器件具有负载路径以及在所述半导体层中所集成的有源器件区域。每个第二半导体器件具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域以及在第一负载端子和第二负载端子与控制端子之间的负载路径。所述第二半导体器件使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件的负载路径。每个第二半导体器件使得其控制端子连接到其它第二半导体器件之一的负载端子。所述第二半导体器件之一使得其控制端子连接到所述第一半导体器件的负载端子之一。所述布置还包括:边沿端接结构。
搜索关键词: 具有 有源 漂移 半导体 布置
【主权项】:
一种半导体器件布置,包括:半导体层(100);至少一个串联电路(1),具有第一半导体器件(2)并且具有n多个第二半导体器件(31‑3n),其中,n > 1,所述第一半导体器件具有(2)负载路径并且具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域,所述第二半导体器件(31‑3n)中的每一个具有在所述半导体层中所集成的有源器件区域并且具有在第一负载端子和第二负载端子(321‑32n,331‑33n)与控制端子(311‑31n)之间的负载路径,所述第二半导体器件(31‑3n)使得其负载路径串联连接并且串联连接到所述第一半导体器件(2)的负载路径,所述第二半导体器件(31‑3n)中的每一个使得其控制端子(311‑31n)连接到其它第二半导体器件(31‑3n)之一的负载端子,并且所述第二半导体器件(31‑3n)之一使得其控制端子(311‑31n)连接到所述第一半导体器件(2)的所述负载端子(22,23)之一;以及边沿端接结构(4)。
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  • TFT背板的制作方法及TFT背板-201610399170.0
  • 周星宇 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-06-07 - 2019-04-02 - H01L21/84
  • 本发明提供一种TFT背板的制作方法及TFT背板。本发明的TFT背板的制作方法,通过在缓冲层上制作包括含氧非晶硅薄膜以及位于所述含氧非晶硅薄膜上的不含氧非晶硅薄膜的非晶硅薄膜,使得采用硼离子诱导固相晶化法对所述非晶硅薄膜进行晶化处理时,由于所述非晶硅薄膜与缓冲层的接触界面为含氧非晶硅薄膜,而含氧非晶硅薄膜在高温结晶过程中不容易产生晶核,从而使得晶核的产生仅发生在非晶硅薄膜上表面的硼离子掺杂层中,并且自上而下发生结晶,晶粒质量好,薄膜均一性好,从而达到提高结晶质量及改善均一性的效果。本发明的TFT背板,制程简单,其中的多晶硅层的结晶质量与均一性较好,提升了TFT的性能,增强其驱动效果。
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