[发明专利]采用受控声光调制器负载的激光脉冲选取有效
申请号: | 200480018419.4 | 申请日: | 2004-05-05 |
公开(公告)号: | CN1813339A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 孙云龙;B·E·尼尔森;D·M·海明威;孙蕾 | 申请(专利权)人: | 电子科学工业公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/08;H01S3/00;B23K26/38 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 激光装置(126)及声光调制器(AOM)(10)以规律性及相同恒定高重复率的脉冲传送,以提供可变非照射间隔(50)的工作激光输出(40),而不牺牲激光脉冲对脉冲能量稳定度。当要求工作激光输出(40)时,RF脉冲(38)与激光输出(24)重合施加于AOM(10),以传送其至目标。当不要求工作激光输出(40)时,RF脉冲(38)与激光输出(24)非重合施加于AOM(10),使其被阻隔。所以,不论如何随机要求工作激光输出(40),AOM(10)上的平均热负载保持恒定。通过控制施加的RF脉冲(38)功率,AOM(10)也可以控制工作激光输出(40)的能量。当RF功率改变时,RF脉冲(38)的RF持续时间(44)被修改以保持恒定的平均RF功率。 | ||
搜索关键词: | 采用 受控 声光 调制器 负载 激光 脉冲 选取 | ||
【主权项】:
1.一种降低工作激光输出的负载变化与不希望有的失真的方法,其实施于基于激光的系统中;该基于激光的系统产生脉冲激光发射并包括外腔光学调制器,用以根据控制指令,提供输出发射状态及输出阻隔状态;所述输出发射状态让激光输出能够以工作激光输出的形式传送至目标;所述输出阻隔状态主要防止工作激光输出传送至目标;所述激光系统在其运行期间,将变化的热负载条件,作为连续输出发射状态之间不均匀间隔的结果,施加至所述外腔光学调制器;所述变化的负载条件造成不希望有的工作激光输出失真;所述方法包括:以基本恒定的激光输出重复率,产生一系列激光输出,其中,相邻的所述激光输出是由基本均匀的激光输出间隔彼此分隔开的;施加RF脉冲至所述外腔光学调制器,以RF脉冲重复率产生一系列输出发射状态,其中,相邻的所述输出发射状态是由充分均匀的RF脉冲间隔彼此分隔开的,以维持所述外腔光学调制器的热负载变动处于预定的操作容差范围内;以及定时产生RF脉冲,并根据控制指令而定时产生所述激光输出;用于在非重合RF脉冲期间,实现输出发射状态与对应的激光输出不重合,以防止工作激光输出;并用于在重合RF脉冲期间,实现输出发射状态与对应的激光输出的重合,以达到用不同的工作激光输出间隔来照射各目标。
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- 本公开提供了动态激光辅助蚀刻方法。一种蚀刻方法,包括:在晶圆上形成多个半导体区域;将晶圆置于蚀刻室中;使用加热源整体加热晶圆;以及将激光束投射到晶圆上。当晶圆既被加热源加热又被激光束加热时,在晶圆上的多个半导体区域被蚀刻。
- 发光元件的制造方法-201810993769.6
- 山口一树;竹田阳树;住友新隆 - 日亚化学工业株式会社
- 2018-08-29 - 2023-06-13 - H01L21/268
- 本发明提供一种能够提升生产性的发光元件的制造方法。根据实施方式,发光元件的制造方法包括激光照射工序和分离工序。激光照射工序对具有第一面的衬底照射激光。激光照射工序包括沿多个第一线以激光进行扫描的第一照射工序和沿多个第二线以激光进行扫描的第二照射工序。多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列。多个第二线沿第二方向延伸且沿第一方向排列。多个第一线的第一间距大于多个第二线的第二间距。第一照射工序中的激光的照射的间距为2.0μm以下。分离工序沿多个第二线将晶片分离成多个条后,沿多个第一线将条分离成多个发光元件。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造