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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN202310161578.4在审
发明人：中川崇;佐佐木伸也;道田典明;山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明能够在实现衬底温度的低温化的同时对形成于衬底上的膜进行均匀地处理。本发明具备：将形成有处理对象膜和作用对象膜的衬底搬入处理室内的工序；对前述作用对象膜照射电磁波的工序；和利用前述电磁波的照射使前述作用对象膜发热，利用已发热的前述作用对象膜对前述处理对象膜进行加热，从而有指向性地进行改性处理的工序。
衬底处理方法半导体器件制造记录介质装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN202310157803.7在审
发明人： 山本克彦;西堂周平;中川崇;柳泽爱彦;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，其能够防止由热处理引起的基板的翘曲、破裂。基板处理装置具有：处理室，其对基板保持部所保持的多个基板进行处理；电磁波产生器，其向处理室内供给电磁波；以及气体供给部，其从多个气体供给口向多个基板之间供给冷却气体，其中，多个气体供给口被设置成与保持所述多个基板的间隔对应。
处理装置半导体制造方法以及记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质-CN201910173220.7有效
发明人： 山本克彦;定田拓也;角田彻;堀井贞义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。本发明提供能够提高使用过氧化氢进行的基板处理的品质的技术。本申请的半导体装置的制造方法具有：第一工序，对于在表面形成了含硅膜的基板，供给含有水和第一浓度的过氧化氢的第一处理气体；以及第二工序，在第一工序之后，对于基板供给含有水和比第一浓度更高的第二浓度的过氧化氢的第二处理气体。
半导体装置制造方法处理以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质-CN202210869045.7在审
发明人： 山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质，能够消减非活性气体的消耗量。本申请提供一种基板处理装置，具有：处理基板的处理室、向处理室供给处理气体的处理气体供给部、能够与处理室连通的搬运室、向搬运室供给非活性气体的第一非活性气体供给部、从搬运室对气氛进行排气的第一排气部和将由第一排气部排出的非活性气体供给至处理室或处理室的下游部的第二非活性气体供给部。
处理装置半导体制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN202180041030.5在审
发明人： 山本克彦;山崎惠信;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供一种技术，具备：对基板进行处理的反应室；向处理室供给微波的微波振荡器；和构成为能够控制微波振荡器以进行加热处理和改性处理的控制部，在加热处理中，一边将微波维持为第1微波输出，一边以规定次数或第1规定时间重复供给第1微波的供给时间和比供给时间短的停止第1微波的停止时间并向基板供给而进行加热，在改性处理中，一边将微波维持为比第1微波输出高的第2微波输出，一边以第2规定时间向基板供给而进行改性。
处理装置半导体器件制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202210551509.X在审
发明人：佐佐木伸也;道田典明;山本克彦;中川崇;汤浅和宏 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够一边实现基板的温度的低温化一边对形成于基板的膜进行改性处理。本发明的技术具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向处理室供给电磁波，当对基板照射电磁波时，作用对象膜发热，对处理对象膜进行改性处理。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202210138220.5在审
发明人：栗林幸永;上田立志;山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板处理装置和方法、半导体器件的制造方法及记录介质。提供一种能够对在基板支承部的基板载置面内的外周部分较薄地沉积的膜进行清洗的基板处理装置。基板处理装置具备：对产品基板进行处理的处理室；设于处理室内、且具有供所述产品基板载置的基板载置面的基板支承部；在基板载置面载置有产品基板的状态下向处理室供给处理气体的处理气体供给部；以及在基板载置面载置有虚设基板的状态下供给清洗气体的清洗气体供给部，虚设基板构成为在支承于基板载置面的状态下虚设基板的外周不与基板载置面接触。
处理装置方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201711083945.4有效
发明人： 山本克彦;柄泽元;丰田一行 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供一种能够适当且高效率地进行基于自组装光刻的构图的半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。包括：将形成有引导图案的衬底收容于处理室的工序；第一处理工序，向处理室供给针对衬底进行亲水化处理或疏水化处理的任意一方的第一处理气体的等离子体；第二处理工序，在第一处理工序之后，向处理室供给针对衬底进行亲水化处理或疏水化处理的任意另一方的第二处理气体的等离子体；以及在第二处理工序之后，向衬底的面上的未形成引导图案的部分涂布含有二种以上的有机材料的光致抗蚀剂材料的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]声音信号控制装置、声音信号控制系统以及计算机可读取的记录介质-CN202011226822.3在审
发明人： 山本克彦 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H04R3/00 文献下载
摘要：本公开涉及声音信号控制装置、声音信号控制系统以及计算机可读取的记录介质。本公开的声音信号控制装置具备具有硬件的处理器，处理器根据输出声音信号的声音处理装置中的声音输出的设定信息来处理由生成声音信号的声音信号生成装置生成的声音信号，使所述声音处理装置输出与处理后的声音信号相应的声音。
声音信号控制装置控制系统以及计算机读取记录介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201710517086.9有效
发明人： 山本克彦;大桥直史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。随着衬底处理温度变高，提高工艺的再现性·稳定性。本发明具有：将形成有有机材料膜的衬底收容在处理室内的工序，向所述衬底供给含有金属的气体的工序，向所述衬底供给第一含氧气体和稀释气体的工序，所述稀释气体包括第二含氧气体和非活性气体中的至少任一种，重复工序，对下述工序进行重复：供给所述含有金属的气体的工序，供给所述第一含氧气体和所述稀释气体的工序，及在所述重复工序中，使所述第一含氧气体的供给流量与所述稀释气体的供给流量相等或大于所述稀释气体的供给流量。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序-CN201780088300.1在审
发明人：角田彻;奥野正久;山本克彦;定田拓也;堀井贞义 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：具有以下工序：将表面形成有含有硅氮烷键的膜的基板加热至第一温度，并对基板供给含有过氧化氢的第一处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第一工序；以及，在第一工序之后，将基板加热至比第一温度高的第二温度，并对基板供给含有过氧化氢的第二处理气体，从而对含有硅氮烷键的膜进行改性的第二工序。
硅氮烷键过氧化氢的处理气体基板加热对基板改性基板处理装置半导体装置表面形成制造

[发明专利]稠合杂环化合物的晶体-CN201280029988.3有效
发明人： 山本克彦 -专利权人：武田药品工业株式会社
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明涉及用作精神分裂症等的预防性或治疗性药物的1-乙基-7-甲基-3-{4-[(3-甲基-3H-咪唑并[4,5-b]吡啶-2-基)氧基]苯基}-1,3-二氢-2H-咪唑并[4,5-b]吡啶-2-酮的晶体，其显示在粉末X-射线衍射中在面间距(d)为13.59±0.2和时具有特征峰的X-射线粉末衍射图。
杂环化合物晶体

[发明专利]半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件-CN201110309216.2有效
发明人： 山本克彦;竹林雄二;斋藤达之;奥野正久 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本公开的一些实施方式提供了半导体器件制造方法、衬底处理装置和半导体器件。一种半导体器件制造方法，包括：将衬底加载到处理室中，在该衬底上形成了高k膜；通过在衬底上辐射微波而加热高k膜；以及从处理室卸载该衬底。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]燃料电池系统-CN200580042355.6无效
发明人： 山本克彦;弓田修;蟹江尚树;吉田尚弘 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种简单的燃料电池系统，此外，还将提供一种运转结束时等可以减少燃料气体消耗量的燃料电池系统作为课题。燃料电池系统(1)具有从储存燃料气体的燃料气体供给源(21)延伸至燃料电池(2)的气体入口(2a)的供给配管(22)、和从燃料电池(2)的气体出口(2b)延伸至汇合到供给配管(22)的汇合点(A)的循环配管(23)。在供给配管上(22)的汇合点(A)的上游侧设置调压阀(42)及截止阀(43)。供给配管(22)的汇合点(A)的下游侧与循环配管(23)总是处于连通状态。
燃料电池系统

[发明专利]超耐热蛋白酶基因-CN96192260.5无效
发明人：高藏晃;森下三保;山本克彦;三田正范;浅田起代藏;纲泽进;加藤郁之进 -专利权人：宝酒造株式会社
申请日： 1996-11-07 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： C12N15/57 文献下载
摘要：具有SEQIDNO：1、3或5中描述的氨基酸序列的超耐热蛋白酶或其功能等价物；编码相同蛋白酶的超耐热蛋白酶基因；和通过培养含有这些基因的转化子制备超耐热蛋白酶的方法。
耐热蛋白酶基因

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