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[发明专利]机器学习方法、激光退火系统和激光退火方法-CN202180088721.0在审
发明人： 池上浩;水谷彬 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B23K26/03 文献下载
摘要：机器学习方法包含以下步骤：取得根据被照射到第1区域的照明光的反射光生成的图像数据，该第1区域是基板上的半导体膜的利用脉冲激光被进行激光退火后的区域；取得第1区域中的半导体特性的计测数据；生成将图像数据作为输入、将计测数据作为输出而对应起来的训练数据；以及根据训练数据进行使用神经网络的机器学习，生成学习完毕模型。
机器学习方法激光退火系统方法

[发明专利]激光退火装置-CN201680081336.2有效
发明人： 池上浩;大久保智幸;若林理 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：激光退火装置具备：CW激光装置，其输出对非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对已被进行了预热的非晶硅输出脉冲激光；光学系统，其将CW激光和脉冲激光引导至非晶硅；以及控制部，其控制CW激光的照射能量密度，以便将非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的非晶硅结晶。
激光退火装置

[发明专利]激光掺杂装置和半导体装置的制造方法-CN201680081317.X有效
发明人： 池上浩;诹访辉;若林理 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：激光掺杂装置具有：溶液供给系统，其对掺杂区域供给包含掺杂剂的溶液；脉冲激光系统，其输出透过溶液且包含多个脉冲的脉冲激光；第一控制部，其控制对掺杂区域照射的脉冲激光的脉冲数和掺杂区域中的脉冲激光的注量；以及第二控制部，其控制溶液的流速，以使得每次照射脉冲时在溶液内所产生的气泡从掺杂区域移开。
激光掺杂装置半导体制造方法

[发明专利]多晶膜、多晶膜的形成方法、激光晶化装置及半导体装置-CN202080084865.4在审
发明人：后藤顺;斋藤香织;池上浩 -专利权人：株式会社V技术;国立大学法人九州大学
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的多晶膜具备多个晶粒沿着膜面方向以相互邻接的方式均匀地配置且在划分相互邻接的一对所述晶粒彼此的晶界面中的所述膜面方向上的两端部配置有非晶体生长区域的结构。根据本发明，能够实现具有表面平坦性并具备均匀且稳定的电特性及高的机械特性的多晶硅薄膜、铝薄膜、铜薄膜等多晶膜、多晶膜的形成方法、用于多晶膜的制造的激光晶化装置、以及具备多晶膜的具有良好的电特性及高耐压特性的半导体装置。
多晶形成方法激光化装半导体装置

[发明专利]半导体晶体薄膜的制造方法和激光退火系统-CN201980090884.5在审
发明人：妹川要;纳富良一;若林理;池上浩 -专利权人：极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本公开的一个观点的半导体晶体薄膜的制造方法包含以下步骤：通过对非晶质半导体照射第1脉冲时间宽度的第1脉冲激光，使非晶质半导体多晶化；以及通过对多晶化的半导体晶体的区域照射比第1脉冲时间宽度短的第2脉冲时间宽度的第2脉冲激光，降低半导体晶体的脊的高度。
半导体晶体薄膜制造方法激光退火系统

[发明专利]金刚石平滑化方法-CN201880096204.6在审
发明人： 池上浩;吉武刚;片宗优贵;村泽功基 -专利权人：国立大学法人九州大学;国立大学法人九州工业大学;OSG株式会社
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：检测产生烧蚀的阈值能量密度Es，以基于该阈值能量密度Es设定的平滑化照射能量密度Ef进行平滑化处理，因此，即使产生烧蚀的阈值能量密度Es由于多晶金刚石膜的晶体尺寸、品位、掺杂元素等而不同，也能够始终以可产生烧蚀的平滑化照射能量密度Ef适当地进行平滑化处理。另外，平滑化照射能量密度Ef设定为阈值能量密度Es的1倍～15倍的范围内这一较低值，因此，抑制激光向多晶金刚石膜的内部的透射，优先抛光除去凹凸表面的凸部，能够以自凹凸表面至凹陷部的底部的抛光量及改性层厚度的合计尺寸为2.0μm以下这一较少的量，并且表面粗糙度Ra为0.2μm以下的方式进行平滑化处理。
金刚石平滑方法

[发明专利]激光照射系统-CN201780096121.2在审
发明人：若林理;池上浩;老泉博昭 -专利权人：极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种激光掺杂和后退火用的激光照射系统，其具有：A.激光装置，其产生紫外线区域的脉冲激光；B.载台，其使在半导体基板上形成至少包含作为掺杂剂的杂质元素的杂质源膜而构成的被照射物在至少1个扫描方向上移动；以及C.光学系统，其包含均束器，该均束器将脉冲激光的射束形状整形为矩形，生成沿扫描方向的第1射束宽度不同且与扫描方向垂直的第2射束宽度相同的激光掺杂用射束和后退火用射束。
激光照射系统

[发明专利]激光照射方法和激光照射系统-CN201780096139.2在审
发明人： 池上浩;若林理;老泉博昭;诹访辉 -专利权人：极光先进雷射株式会社;国立大学法人九州大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：一种激光照射方法，对在半导体基板上形成杂质源膜而构成的被照射物照射脉冲激光，其中，该激光照射方法包含以下步骤：A.读入照射到被照射物上所设定的矩形的照射区域的脉冲激光的每一个脉冲的注量和照射到照射区域的照射脉冲数，其中，在对被照射物照射照射脉冲数的脉冲激光的情况下，注量为杂质源膜产生烧蚀的阈值以上并且小于半导体基板的表面产生损伤的阈值；B.在设照射区域沿扫描方向的宽度为Bx、照射脉冲数为Nd、脉冲激光的反复频率为f的情况下，根据用Vdx＝f·Bx/Nd表示的关系式计算扫描速度Vdx；以及C.以反复频率f对照射区域照射脉冲激光，并使被照射物相对于照射区域相对地以扫描速度Vdx移动。
激光照射方法系统

[发明专利]杂质导入方法、半导体元件的制造方法及半导体元件-CN201610105791.3有效
发明人：池田晃裕;池上浩;浅野种正;井口研一;中泽治雄;吉川功 -专利权人：国立大学法人九州大学;富士电机株式会社
申请日： 2016-02-25 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种杂质导入方法，其以超过热力学平衡浓度的高浓度向杂质元素的扩散系数极小的固体材料导入杂质元素。杂质导入方法包括：以考虑到光脉冲的每1次的照射时间(τ)和光脉冲的能量密度F而确定的膜厚(t_f)，在由固体材料构成的对象物(半导体基板)的表面上堆积含有杂质元素的杂质源膜的步骤(S1～S4)；和以照射时间(τ)和能量密度(F)向杂质源膜照射光脉冲，以超过热力学平衡浓度的浓度向对象物导入杂质元素的步骤(S5)。
杂质导入方法半导体元件制造

[发明专利]激光系统和激光退火装置-CN201580075815.9在审
发明人：大久保智幸;池上浩;柿崎弘司;上场康弘;若林理 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：一种激光系统，其是作为对被加工物照射脉冲激光的激光退火装置的光源的激光系统，该激光系统可以具备生成脉冲激光的激光装置；能够改变脉冲激光的脉冲时间波形的脉冲时间波形可变装置；以及从激光退火装置接收脉冲时间波形生成参数，对脉冲时间波形可变装置进行控制的控制部。
激光系统退火装置

[发明专利]半导体装置-CN200710180904.7无效
发明人： 池上浩;中田錬平;依田孝;早坂伸夫;久恒善美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-09-07 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，具有半导体基板和在该半导体基板上的导电层，所述导电层含有铜，所述导电层的表面区域具有C－H键和C－C键中的至少一种，所述表面区域中的形成C－H键的C原子和形成C－C键的C原子的总量占所述表面区域中的元素总量为30％以上。
半导体装置

[发明专利]加工方法和半导体器件的制造方法-CN200610162953.3无效
发明人：竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;渡濑正美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-08-10 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其特征在于具有：向基板上供给含有溶剂的涂敷膜形成用药液以在上述基板主面上形成液膜的工序；采用除去含于液膜中的溶剂的一部分的办法形成被加工膜的工序；向上述被加工膜的加工区域选择照射加工光以选择除去上述被加工膜的工序；在照射上述加工光后，进行几乎完全除去含于被加工膜中的溶剂的真正意义的加热处理的工序。
加工方法半导体器件制造

[发明专利]加工方法和半导体器件的制造方法-CN200610162952.9无效
发明人：竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;渡濑正美 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-08-10 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于：在被加工膜上形成了保护膜后再进行光加工的技术中，使保护膜的除去变得容易起来。其解决方法包括如下的工序：在被加工膜上形成用有机树脂构成的有机膜的工序；减小上述有机膜的内部应力的工序；向上述有机膜照射加工光，选择除去上述加工区域的上述有机膜的工序；以上述有机膜为掩模，刻蚀上述被加工膜的工序。
加工方法半导体器件制造

[发明专利]电子装置的制造系统-CN200610138995.3无效
发明人：伊藤信一;东木达彦;池上浩;早坂伸夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：提供包含激光加工装置、成膜系统和图案形成系统的电子装置的制造系统。该激光加工装置包括：发出选择地去除被加工衬底的一部分的激光的激光振荡器、将从激光振荡器发出的激光照射到上述被加工衬底的任意位置上的扫描系统、使从上述激光振荡器发出的激光大致垂直入射到上述被加工衬底的入射装置。
电子装置制造系统

[发明专利]加工方法、加工装置及半导体器件的制造方法-CN200610094255.4无效
发明人：竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;高桥理一郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。
加工方法装置半导体器件制造

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