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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]激光退火装置、带晶化膜基底的检查方法及半导体器件制造方法-CN201780051430.8有效
发明人： 大森贤一;郑石焕;佐藤亮介;町田政志 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：根据本发明实施方式的激光退火装置(1)包括：激光光源(11)，用于发出激光光束(L1)，以使得基底(100)上的非晶膜(101a)结晶化并形成多晶硅膜(101b)；投影透镜(13)，用于会聚所述激光光束，以对硅膜(101)进行照射；探测光源，用于发出探测光束(L2)；光电检测器(25)，用于对透过硅膜(101)的探测光束(L3)进行检测；处理装置(26)，用于计算所述光电检测器所输出的检测信号的检测值的标准差，并根据该标准差，判断所述硅膜(101)的结晶状态。
激光退火装置带晶化膜基底检查方法半导体器件制造

[发明专利]激光照射装置、激光照射方法和可读取地记录有程序的记录介质-CN202210799893.5在审
发明人： 大森贤一;太田佑三郎;松下玲 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种激光照射装置，包括激光光源，还包括：检测来自所述激光光源的激光照射的基板的亮度的第一检测部和第二检测部；以及进行涉及从所述激光光源出射的激光的控制的控制部，所述控制部，根据由所述第一检测部检测出的亮度确定激光的能量密度；根据所确定的能量密度和由所述第二检测部检测出的亮度确定基准亮度；在以所确定的能量密度对基板照射了激光时，根据所述基准亮度和由所述第二检测部检测出的亮度改变激光的能量密度。
激光照射装置方法读取记录程序介质

[发明专利]激光照射装置、信息处理方法和可读取地记录有程序的记录介质-CN202210697407.9在审
发明人： 大森贤一;太田佑三郎;松下玲 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光照射装置、信息处理方法和可读取地记录有程序的记录介质。激光照射装置包括激光光源，还包括进行可动零部件的故障预测的故障预测部，所述可动零部件在利用所述激光光源进行基板加工时被使用，所述故障预测部取得所述可动零部件动作时的物理量，并根据所取得的物理量来推导所述可动零部件的故障时期。
激光照射装置信息处理方法读取记录程序介质

[发明专利]激光照射装置、激光照射方法和可读取地记录有程序的记录介质-CN202210699291.2在审
发明人： 大森贤一;太田佑三郎;松下玲;奥信夫 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本发明提供一种激光照射装置，其包括多个激光光源，还包括控制部，该控制部进行涉及从所述多个激光光源出射的激光的控制，所述控制部取得所述多个激光光源各自的特性信息，根据所取得的各个特性信息进行规定的处理。
激光照射装置方法读取记录程序介质

[发明专利]激光处理装置及激光监测方法-CN202080064099.5在审
发明人： 大森贤一;郑石焕;佐藤亮介;太田佑三郎 -专利权人： JSW阿克迪纳系统有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本公开提供了一种能够形成高质量半导体膜的激光处理装置和激光处理方法。ELA装置(准分子激光退火装置)(1)包括：激光振荡器(10)，该激光振荡器(10)生成激光，该激光用于通过用激光照射在基材上的待处理的非晶硅膜来形成多晶硅膜；脉冲测量仪器(100)，该脉冲测量仪器(100)用于探测包含在激光中的第一部分光和第二部分光；以及监测装置(60)，该监测装置(60)用于将第一部分光的探测结果与第二部分光的探测结果进行比较。
激光处理装置监测方法

[发明专利]激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法-CN201980095320.0在审
发明人： 大森贤一;郑石焕 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供减少激光的照射不均匀的激光照射装置、激光照射方法及半导体装置的制造方法。激光照射装置具备激光源(11)和波形成形装置(20)。波形成形装置(20)包括：第1波形成形部(30)，其通过对将激光源(11)产生的脉冲激光(L1)由第1分束器(31)分支得到的2条光束(L11、L12)赋予与光程差对应的延迟，从而成形脉冲激光的脉冲波形；波长板(37)，其使来自第1波形成形部(30)的脉冲激光(L13)的偏振状态变化；以及第2波形成形部(40)，其通过对由第2分束器(41)分支得到的2条光束(L15、L16)赋予与光程差对应的延迟，从而成形脉冲激光(L14)的脉冲波形。
激光照射装置方法半导体制造

[发明专利]光纤传感器-CN201780085908.9有效
发明人： 大森贤一;大道浩儿;松下信吾;市井健太郎 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：光纤传感器具备：形成于光纤的中心的中心芯、和以绕着该中心芯以螺旋状卷绕的方式形成的至少一个外周芯，以使中心芯和外周芯间的光路长度差比中心芯和外周芯的有效折射率相同的情况下的光路长度差变小的方式设定中心芯的有效折射率和外周芯的有效折射率之比。
光纤传感器

[发明专利]光器件和激光装置-CN202080010967.1在审
发明人：船津友希;大森贤一;岛研介 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：光器件具备：纤芯；第1包层，其覆盖纤芯，且具有比纤芯低的折射率；第2包层，其覆盖第1包层，且具有比第1包层低的折射率；倾斜型FBG，其形成于纤芯，使在纤芯传播的SRS光汇合于第1包层；高折射率材料，包含第1包层的覆盖纤芯的形成有倾斜型FBG的区域的部分并且被除去了第2包层的除去部分的外周面被高折射率材料覆盖，高折射率材料具有比第2包层高的折射率。
器件激光装置

[发明专利]光器件的制造方法-CN201780092535.8有效
发明人： 大森贤一;石仓德洋;植村仁 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G02B6/255 文献下载
摘要：光器件的制造方法具有：第一工序，改变与多芯光纤的纤芯连接的输入/输出器件的单芯光纤的组合，并且求出每个纤芯的光损失；和第二工序，根据第一工序的结果，选择一个与多芯光纤的纤芯连接的所述输入/输出器件的单芯光纤的组合，并以使所选择的组合的单芯光纤与多芯光纤的纤芯连接的方式，将多芯光纤的端部与输入/输出器件的端部连接。
器件制造方法

[发明专利]光纤光栅的制造装置及制造方法-CN201680075222.7有效
发明人：秦惠一郎;大森贤一 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：对光纤照射激光而在光纤的芯部形成光栅的光纤光栅的制造装置具备：固定装置，其在进行光栅的形成的情况下，在光纤的搬运方向上，在比激光对光纤形成照射的照射位置靠上游侧的第一位置和比激光对光纤形成照射的照射位置下游侧的第二位置中至少一个位置对光纤进行固定；和输送装置，其构成为能够向搬运方向进行直线的往复移动，在解除了由固定装置形成的对光纤的固定的情况下，将光纤向搬运方向输送规定的长度。
光纤光栅制造装置方法

[发明专利]加热条件的设定方法、光纤布拉格光栅的制造方法以及光纤激光系统的制造方法-CN201880055231.9在审
发明人：船津友希;大森贤一 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：实现一种加热条件的设定方法、光纤布拉格光栅的制造方法以及光纤激光系统的制造方法，上述加热条件的设定方法能够对可在实际使用时产生的光纤布拉格光栅的温度上升进行抑制。包括：工序(S11)，在该工序中，基于光纤布拉格光栅的温度系数γ与迟豫能量Ed之间的对应关系γ(Ed)，确定出使得温度系数γ成为所希望的上限值γmax以下的、迟豫能量Ed的下限值Edmin；以及工序(S12)，在该工序中，以迟豫能量Ed成为下限值Edmin以上的方式，设定对光纤布拉格光栅进行热陈化时的加热条件(T，t)。
加热条件设定方法光纤布拉格光栅制造以及激光系统

[发明专利]光耦合器、激光装置以及锥形光纤-CN201580048015.8有效
发明人：藤田智之;市井健太郎;片桐健;大森贤一;北原伦太郎;岸达也 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2015-09-01 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明提供光耦合器、激光装置以及锥形光纤。实现从锥形光纤射出的光的NA比以往小的光耦合器。锥形光纤(13)具有形成于折射率为n_core的纤芯的内部的、折射率大于n_core的高折射率区域(131)。各GI光纤(12)的射出端面(12b)与锥形光纤(13)的入射端面(13a)以GI光纤(12)的射出端面(12b)的至少一部分与高折射率区域(131)的截面重叠的方式接合。另外，相对折射率差(Δ)小于0.076％。
耦合器激光装置以及锥形光纤

[发明专利]磁通门传感器及使用其的电子方位计-CN201080021371.8无效
发明人： 大森贤一;相沢卓也;中尾知 -专利权人：株式会社藤仓
申请日： 2010-05-21 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G01R33/05 文献下载
摘要：本发明提供一种磁通门传感器，其特征在于，包含：形成于基板上的第1配线层；以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层；磁芯，该磁芯形成于上述第1绝缘层上，具有中央部分和位于上述中央部分的两端的端部分，该端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度；覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层；形成于上述第2绝缘层上的第2配线层，上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线，上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接，在上述端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈，在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。
磁通门传感器使用电子方位

[发明专利]磁传感器元件及其制造方法-CN200880002316.7无效
发明人： 大森贤一;相沢卓也;中尾知;丹健二 -专利权人：株式会社藤仓;秋田县
申请日： 2008-01-17 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磁传感器元件，该磁传感器元件，具有：形成于非磁性基板(1)上的硬磁性体膜(2)、覆盖在硬磁性体膜(2)之上的绝缘层(3)、形成于绝缘层(3)上的软磁性体膜(4)，且硬磁性体膜(2)的磁化方向，相对于软磁性体膜(4)的长边方向具有角度θ。优选在从上方观察非磁性基板(1)的俯视图中，形成了上述硬磁性体膜(2)的区域，位于比形成了上述软磁性体膜(4)的区域更宽的范围，并且形成了上述软磁性体膜(4)的区域与形成了上述硬磁性体膜(2)的区域全部重叠。根据本发明，能够提供获得均匀的偏置磁场的磁传感器元件。
传感器元件及其制造方法

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