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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质-CN201910198182.0有效
发明人：广地志有 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和记录介质。消除由基板处理装置等的基座的位置变化造成的对工序重现性的影响。本发明提供一种技术，具有：处理基板的处理室、向基板供给电磁波的电磁波供给部、对基板和抑制基板的边缘对电磁波的吸收的基座进行保持的基板保持部、搬运基板的基板搬运部、以及构成为通过基板搬运部修正基座位置的控制部。
处理装置半导体制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及存储介质-CN201980018925.X有效
发明人：山崎一彦;八幡橘;原大介;筱崎贤次 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本公开的课题是提供一种能够切实地抑制真空泵后级的可燃性气体的燃烧的技术。该技术具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其向处理室内供给原料气体；排气管，其与真空泵连接，并对处理室内进行排气；气体浓度测定器，其测定在真空泵前级的排气管内通过的原料气体的浓度；压力测定器，其测定真空泵后级的排气管内的压力；稀释气体供给系统，其向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给稀释气体；以及控制部，其构成为能够以将与所测定的原料气体的浓度和真空泵后级的排气管内的压力对应的流量的稀释气体向真空泵内或者真空泵前级的排气管内供给的方式控制稀释气体供给系统。
处理装置半导体制造方法存储介质

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质-CN202010183925.X有效
发明人：大桥直史;广濑义朗 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明能够在成膜工序中选择性地形成膜。本发明提供一种半导体装置的制造方法，具有：(a)对容纳基板的处理室供给处理气体，在基板上选择性地形成膜的工序，所述基板在局部具有对于处理气体的吸附赋予选择性的抑制层，(b)向不存在基板的处理室内供给具有抑制层所含成分的清扫气体的工序，(c)将处理室内的清扫气体的残留成分除去的工序。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201910043830.5有效
发明人：伊藤刚;中田高行 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供涉及能够适当地对应搬运容器的保存量的增大的基板处理装置的技术。基板处理装置具有：具有能够保存多个收容基板的搬运容器的第一架的第一架区域；在供搬运容器载置的载台部的下方具有能够以多层保存搬运容器的第二架的第二架区域；及在设于框体内的载台部、第一架、第二架以及搬运区域之间搬运搬运容器的搬运容器移载机械手，搬运容器移载机械手具有：设于框体的底面上的主体基部；构成为能够相对于主体基部升降的第一台部；配置在主体基部的上方侧位置且成为使第一台部升降的驱动源的第一驱动部；安装于第一台部且构成为能够相对于第一台部升降的第二台部；成为使第二台部升降的驱动源的第二驱动部；以及安装于第二台部的容器支承部。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN201880057801.8有效
发明人：佐藤明博;原大介 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地处理基板的技术。根据本发明的一方案，提供一种技术，其具有：处理室，其处理基板；原料气体供给部，其设于处理室内并供给原料气体；反应气体供给部，其设于处理室内并供给反应气体；排气部，其对处理室内进行排气；等离子生成部，其具备第一等离子生成部和第二等离子生成部，该第一等离子生成部和该第二等离子生成部隔着通过处理室的中心和排气部的直线配置，且将反应气体通过等离子化而活化；以及气体整流部件，其具备第一分隔部件和第二分隔部件，该第一分隔部件沿着原料气体供给部与第一等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的边缘部一定距离的位置，该第二分隔部件沿着原料气体供给部与第二等离子生成部之间的处理室的内壁配置于相距基板的外周部一定距离的位置。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202310850326.2在审
发明人：加我友纪直;吉田怜亮 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置及方法、半导体器件的制造方法及记录介质，衬底处理装置具有：处理室，收容支承衬底的衬底支承件；气体供给系统，向所述衬底供给多个处理气体；衬底搬送系统，向所述衬底支承件搬送衬底；及控制部，控制所述衬底搬送系统和所述气体供给系统，以相应于支承在所述衬底支承件上的衬底的总表面积而修正所述多个处理气体的供给循环数。
衬底处理装置方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]处理装置、程序及半导体器件的制造方法-CN202180094576.7在审
发明人：末吉雅子;野村诚;久田拓 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。具备：存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对上述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及执行上述工艺配方的控制部，上述控制部构成为，根据与上述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在上述温度控制表中进行检索，将针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为上述工艺配方内的加热器的温度设定值、加热器的温度比率、灯的功率设定值、灯速率值中的至少一个。
处理装置程序半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和程序-CN202180094752.7在审
发明人：佐野敦;原田胜吉;山口大吾;门岛胜 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明具有：(a)针对在表面设置有凹部的基板，将包含供给原料气体的工序、供给第一含氮及氢气体的工序、供给第二含氮及氢气体的工序、供给包含被加热为比基板的温度高的温度的气体和激发为等离子体状态的气体中的至少任一个的第一改性气体的工序的循环在第一温度下进行预定次数，从而使包含任一个气体所含的元素的低聚物在基板的表面和凹部内生成、生长且流动，在基板的表面和凹部内形成含低聚物层的工序；(b)针对在基板的表面和凹部内形成有含低聚物层的基板，在第一温度以上的第二温度下进行热处理，从而使在基板的表面和凹部内形成的含低聚物层改性，并以埋入凹部内的方式形成含低聚物层改性而成的膜的工序。
半导体装置制造方法处理程序

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质-CN201680079075.0有效
发明人：中谷公彦;镰仓司;柄泽元;原田和宏 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明具有至少在一定期间重合地进行下述工序从而在衬底上形成膜的工序：对衬底供给第一原料的工序，第一原料包含规定元素与氮的化学键或规定元素与碳的化学键、和规定元素与氢的化学键，并且不含氮与氢的化学键；和对衬底供给假催化剂的工序，假催化剂包含第13族元素、且不含氮与氢的化学键，在形成膜的工序中，不实施包含氮与氢的化学键的物质对所述衬底的供给。
半导体器件制造方法衬底处理装置以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、装置起动方法、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202310282578.X在审
发明人：水口靖裕;松田恭平;布村一朗;猪岛香织 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置、装置起动方法、半导体器件的制造方法及记录介质，能够防止基板处理装置的设置时的错误操作，进行高效率的设置。一种技术，构成为具备：处理室，其能够对基板进行处理；主控制部，其能够控制上述基板的处理；存储部，其能够存储在使上述主控制部起动时的起动条件的有无实施判断中使用的起动条件有无实施信息、对上述起动条件进行管理的起动条件管理信息和上述起动条件管理信息的状态；以及起动条件控制部，其能够在上述起动条件管理信息满足规定条件时将上述起动条件有无实施信息设为有效。
处理装置起动方法半导体器件制造记录介质

[发明专利]维护方法、半导体装置的制造方法、记录介质及处理装置-CN202310260936.7在审
发明人：吉野晃生;原田幸一郎;油谷幸则;保井毅 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种对构成反应容器的金属构件的表面处理的破损进行修复的维护方法、半导体装置的制造方法、计算机可读取的记录介质以及基板处理装置。该维护方法具有如下工序：(a)对配置于反应容器内的基板供给改性气体，在预定温度进行对基板的改性处理的工序；和(b)在反应容器内没有基板的状态下向反应容器内供给含氧气体，在预定温度以上的温度对铝构件的表面的耐酸铝处理的破损进行氧化处理的工序，该铝构件构成反应容器的至少一部分。
维护方法半导体装置制造记录介质处理

[发明专利]衬底处理系统、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201910694895.6有效
发明人：米田秋彦;浅井一秀;前田哲之;宫下直也;宫川信之;冈崎正;柳濑英雄 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理系统、衬底处理装置及半导体器件的制造方法，能够分别使用搬送衬底时的图像数据和发生搬送错误时的图像数据来进行异常解析。具备：第1控制单元，其获取搬送衬底时产生的事件数据及发生搬送错误时产生的警报数据；记录单元，其将衬底的搬送动作记录为第1图像数据，且将该衬底的搬送动作记录为比该第1图像数据高精细的第2图像数据；第2控制单元，其基于事件数据使由记录单元记录的第1图像数据存储到第1存储部中，并且基于警报数据使由记录单元记录的第2图像数据存储到第2存储部中；和操作部，其至少显示第1图像数据和第2图像数据，第2控制单元将第1图像数据和发生搬送错误时记录的第2图像数据双方显示到同一画面。
衬底处理系统装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN202310777102.3在审
发明人：平松宏朗;江端慎也 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质，具有通过将非同时地进行对衬底供给原料而形成第一层的工序(a)和对衬底供给反应体将第一层改质而形成第二层的工序(b)的循环进行规定次数从而在衬底上形成膜的工序，在工序(a)中依次实施：工序(a‑1)，对衬底在从第一供给部以第一流量供给非活性气体的同时供给原料，并且从第二供给部以第二流量供给非活性气体；工序(a‑2)，对衬底在从第一供给部以第三流量供给非活性气体的同时供给原料，或者，在停止从第一供给部供给非活性气体的状态下从第一供给部供给原料，并且从第二供给部以第四流量供给非活性气体。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN202211115057.7在审
发明人：竹林雄二;越卷寿朗 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质，提供能够提高基板的搬送效率的技术。提供一种技术，具备：能够进行基板的处理的至少一个处理室；能够支承所述基板的支承器具；能够搬送所述支承器具的搬送单元；能够进行所述基板的移载的移载室；与所述移载室和所述处理室相邻、并能够进行所述搬送单元的移动的搬送室；以及配置于所述搬送室并能够进行多个所述支承器具的交接的交接室。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810355413.X有效
发明人：山本哲夫;丰田一行;松井俊 -专利权人： 株式会社国际电气
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种使用等离子体形成高品质的膜的衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。在具有内置有用于载置衬底的衬底载置台的处理室、和使供给到处理室内的气体成为等离子体状态的等离子体生成部的衬底处理装置中，等离子体生成部具有以包围成为供给到处理室内的气体的流路的等离子体生成室的方式配置的等离子体产生导体，等离子体产生导体具有沿着等离子体生成室内的气体的主流方向延伸的多个主导体部、和将主导体部彼此电连接的连接导体部。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

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