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[发明专利]激光加工装置和被加工物的加工方法-CN201880099248.4有效
发明人：新堀真史;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：激光加工装置具有：载置台，其载置被加工物；整形光学系统，其构成为对激光进行整形，以使激光在掩模中的第1照射区域成为具有短边和长边的矩形，该掩模构成为遮断激光的一部分，整形光学系统能够固定第1照射区域的与短边平行的方向上的第1照射宽度和第1照射区域的与长边平行的方向上的第2照射宽度中的一方，变更另一方；投影光学系统，其构成为将掩模的图案投影到被载置于载置台的被加工物；以及移动装置，其使第1照射区域至少在与短边平行的方向上移动，而使激光在被载置于载置台的被加工物中的第2照射区域移动。
激光加工装置方法

[发明专利]光源参数信息管理方法、光源参数信息管理装置和计算机可读介质-CN202180092695.9在审
发明人：峰岸裕司;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光源参数信息管理方法对曝光装置中使用的光源的参数信息进行管理，其中，光源参数信息管理方法包含以下步骤：取得包含如下变量的项目和变量的目标值的优先目标参数信息，该变量的项目是在光源的运转中优先的优先目标参数；根据优先目标参数信息估计维护信息，该维护信息包含表示光源中的消耗品的到维护为止的寿命的值；以及输出维护信息。
光源参数信息管理方法装置计算机可读介质

[发明专利]激光系统和电子器件的制造方法-CN201880098238.9有效
发明人：三浦泰祐;若林理;五十岚裕纪 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S3/225 文献下载
摘要：本公开的一个观点的激光系统通过波长转换系统将利用第1放大器对从第1半导体激光器系统输出的第1脉冲激光进行放大而得到的第2脉冲激光，波长转换为紫外线的第3脉冲激光，利用准分子放大器对第3脉冲激光进行放大。第1半导体激光器系统包含：第1电流控制器，其对流过第1半导体激光器的电流进行控制，以使从以单纵模进行振荡的第1半导体激光器输出的第1激光产生啁啾；以及对第1激光进行脉冲放大的第1半导体光放大器。激光系统具有控制部，该控制部对第1脉冲激光的啁啾量进行控制，以得到从外部装置指示的目标谱线宽度的准分子激光。
激光系统电子器件制造方法

[发明专利]激光装置和电子器件的制造方法-CN202180088718.9在审
发明人：藤井光一;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：激光装置具有：光栅系统；致动器系统，其对入射到光栅系统的光束的第1部分相对于光栅系统的第1入射角和光束的第2部分相对于光栅系统的第2入射角进行调整；以及处理器，其对致动器系统进行控制，由此使第1和第2入射角以相位和变动范围中的至少一方不同的方式周期性地变动。
激光装置电子器件制造方法

[发明专利]激光系统和电子器件的制造方法-CN201880097096.4有效
发明人：三浦泰祐;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S3/10 文献下载
摘要：本公开的一个观点的激光系统包含第1固体激光装置、波长转换系统、准分子放大器和控制部，第1固体激光装置包含第1多半导体激光器系统、第1半导体光放大器和第1光纤放大器。第1多半导体激光器系统包含第1多个半导体激光器、第1谱监视器和第1合束器，该第1多个半导体激光器的波长彼此不同，并且为单纵模，并且进行连续波振荡，控制部对由第1多个半导体激光器生成的第1多线谱的各线的振荡波长和光强度进行控制，以得到从外部装置指示的至少目标中心波长或目标谱线宽度的准分子激光。
激光系统电子器件制造方法

[发明专利]机器学习方法、消耗品管理装置和计算机可读介质-CN201980087617.2有效
发明人：阿部邦彦;峰岸裕司;菊池悟;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2019-02-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：本公开的一个观点的机器学习方法生成用于预测激光装置的消耗品的寿命的学习模型，该机器学习方法包含以下步骤：取得第1寿命关联信息，该第1寿命关联信息包含与从消耗品开始使用到被更换为止的期间中的不同的振荡脉冲数对应地被记录的消耗品的寿命关联参数的数据；根据振荡脉冲数将第1寿命关联信息分割成表示消耗品的劣化度的多个阶段的等级，生成训练数据；使用生成的训练数据进行机器学习，生成学习模型；以及保存生成的学习模型。
机器学习方法消耗品管理装置计算机可读介质

[发明专利]激光退火装置-CN201680081336.2有效
发明人：池上浩;大久保智幸;若林理 -专利权人：国立大学法人九州大学;极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：激光退火装置具备：CW激光装置，其输出对非晶硅进行预热的CW激光，该CW激光是基于连续振荡的激光；脉冲激光装置，其对已被进行了预热的非晶硅输出脉冲激光；光学系统，其将CW激光和脉冲激光引导至非晶硅；以及控制部，其控制CW激光的照射能量密度，以便将非晶硅预热至低于熔点的规定的目标温度，并且控制脉冲激光的注量和脉冲数中的至少一方，以使被进行了预热的非晶硅结晶。
激光退火装置

[发明专利]激光系统和电子器件的制造方法-CN201880098243.X有效
发明人：三浦泰祐;小野濑贵士;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：本公开的一个观点的激光系统具有输出第1脉冲激光的波长可变的第1固体激光装置、对第1脉冲激光进行波长转换的波长转换系统、放大由波长转换系统进行波长转换后的脉冲激光的准分子放大器、以及控制部。波长转换系统包含供第1脉冲激光入射的第1非线性晶体、以及使第1脉冲激光在第1非线性晶体上的第1入射角度变化的第1旋转台。控制部从外部装置接收从准分子放大器输出的准分子激光的目标中心波长的数据，根据被指示的目标中心波长对第1脉冲激光的波长进行控制，并且根据目标中心波长的平均值对在第1非线性晶体上的所述第1入射角度进行控制。
激光系统电子器件制造方法

[发明专利]激光装置和激光退火装置-CN201680088082.7有效
发明人：田中智史;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：激光退火用的激光装置具有：A.激光振荡器，其输出脉冲激光；以及B.OPS装置，其包含至少1个OPS，该OPS配置在从激光振荡器输出的脉冲激光的光路上，将入射的脉冲激光的脉冲时间宽度展宽，OPS中的延迟光路的长度即延迟光路长度L最小的第1OPS的延迟光路长度L(1)处于下式(A)的范围内，ΔT75％×c≦L(1)≦ΔT25％×c·····式(A)，这里，ΔTa％是表示在从所述激光振荡器输出并入射到所述OPS装置的脉冲激光的输入波形中光强度相对于峰值表现出a％的值的位置的时间全宽，c是光速。
激光装置退火

[发明专利]激光气体管理系统、电子器件的制造方法和准分子激光系统的异常判定方法-CN201880088479.5有效
发明人：对马弘朗;铃木夏志;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01S3/036 文献下载
摘要：激光气体管理系统包含：气体再生装置，其与多个准分子激光装置连接，将从多个准分子激光装置排出的激光气体再生为再生气体，向多个准分子激光装置供给再生气体；以及控制部，其判定多个准分子激光装置各自的至少一个参数是否超过预先决定的范围，在至少一个参数超过预先决定的范围的准分子激光装置的台数为2以上的情况下，控制部判定为气体再生装置异常。
激光气体管理系统电子器件制造方法准分子激光异常判定

[发明专利]激光装置和电子器件的制造方法-CN202080103622.0在审
发明人：熊崎贵仁;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：激光装置具有：第1致动器，其对脉冲激光的振荡波长进行调整；第2致动器，其对脉冲激光的谱线宽度进行调整；以及处理器，处理器读入指定照射到被照射物的1个部位的脉冲激光的照射脉冲数和最短波长与最长波长之差的数据，决定目标谱线宽度，处理器根据目标谱线宽度对第2致动器进行控制，处理器对第1致动器进行控制，以使得振荡波长在最短波长与最长波长之间按照每照射脉冲数周期性地发生变化。
激光装置电子器件制造方法

[发明专利]电子器件的制造方法-CN202080104279.1在审
发明人：大贺敏浩;藤井光一;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开的一个观点的电子器件的制造方法包含以下步骤：根据在晶片的扫描场内被形成的图案求出作为与扫描方向正交的扫描宽度方向上的畸变成分的倍率；在扫描场内的多点计测晶片高度，求出扫描宽度方向的晶片高度的平均值；求出在基于晶片高度的平均值的对焦位置的情况下呈现容许CD值的脉冲激光的波长范围；求出呈现求出的倍率的脉冲激光的第1波长；根据波长范围和第1波长求出目标波长；以及从激光装置输出被控制成每个脉冲的波长成为目标波长的脉冲激光，在晶片的扫描场进行曝光。
电子器件制造方法

[发明专利]激光加工装置、激光加工系统和激光加工方法-CN201880093116.0有效
发明人：诹访辉;若林理;新堀真史;小林正和 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B23K26/142 文献下载
摘要：本公开的一个观点的激光加工装置具有：载置台，其载置被加工物；光学系统，其将激光引导至被载置于载置台的被加工物；气体供给口，其向被加工物上的激光的照射区域的周边供给气体；气体回收口，其回收从气体供给口供给的气体；移动装置，其使被加工物上的激光的照射区域移动；以及控制装置，其根据照射区域的移动方向对从气体供给口向气体回收口流动的气体的气体流的方向进行控制，控制装置伴随着移动装置对照射区域的移动方向的变更，对气体流的方向进行变更，以使气体向与照射区域的移动方向相反的方向流动。
激光加工装置系统方法

[发明专利]曝光系统、曝光方法和电子器件的制造方法-CN202080101965.3在审
发明人：藤井光一;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：曝光方法包含以下步骤：读入表示如下参数与如下波长差之间的关系的数据，该参数是与利用包含第1脉冲激光和第2脉冲激光的多个脉冲激光对半导体晶片进行曝光的曝光条件有关的参数，该波长差是第1脉冲激光与第2脉冲激光的波长差；根据数据和参数的指令值决定波长差的目标值；根据波长差的目标值决定第1脉冲激光的第1波长和第2脉冲激光的第2波长；向激光装置输出波长设定信号，使得输出包含具有第1波长的第1脉冲激光和具有第2波长的第2脉冲激光的多个脉冲激光；以及利用多个脉冲激光对半导体晶片进行曝光。
曝光系统方法电子器件制造

[发明专利]激光气体再生装置和电子器件的制造方法-CN201880090657.8有效
发明人：对马弘朗;田中智史;藤卷洋介;浅山武志;若林理 -专利权人：极光先进雷射株式会社
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01S3/225 文献下载
摘要：激光气体再生装置对从至少一个ArF准分子激光装置排出的排出气体进行再生，并将再生气体供给到至少一个ArF准分子激光装置，该至少一个ArF准分子激光装置与第1激光气体供给源和第2激光气体供给源连接，第1激光气体供给源供给包含氩气、氖气和第1浓度的氙气在内的第1激光气体，第2激光气体供给源供给包含氩气、氖气和氟气的第2激光气体，其中，激光气体再生装置具有：数据取得部，其取得被供给到至少一个ArF准分子激光装置的第2激光气体的供给量的数据；氙添加部，其将包含氩气、氖气和比第1浓度高的第2浓度的氙气在内的第3激光气体添加到再生气体中；以及控制部，其根据供给量对基于氙添加部的第3激光气体的添加量进行控制。
激光气体再生装置电子器件制造方法

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