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[实用新型]半导体装置-CN202321181003.0有效
发明人：陈佑珉;陈思颖;黄彦钧;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含一通道区、一栅极介电层、一栅电极层、多个栅极侧壁间隔物以及一源极及一漏极。栅极介电层位于通道区上方。栅电极层位于栅极介电层上方。栅电极层及栅极介电层位于该些栅极侧壁间隔物之间。在沿源极至漏极方向的一横截面中，该些栅极侧壁间隔物之间的距离沿一垂直方向变化，使得相邻栅极侧壁间隔物之间的栅极空间为V形。
半导体装置

[发明专利]集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法-CN202310249036.2在审
发明人：陈毅帆;薛森鸿;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本揭露提供一种集成退火系统及其制造集成电路与场效晶体管的方法。制造集成电路(IC)的方法包括以下步骤：提供基板；在基板中形成p型井区；在基板中形成n型井区；在第一温度下进行微波退火；在微波退火之后，在高于第一温度的第二温度下进行补充退火；及在p型井区及n型井区中制造多个场效晶体管(FET)。
集成退火系统及其制造集成电路晶体管方法

[发明专利]半导体装置以及其形成的方法-CN202310237544.9在审
发明人：姚宣孝;萧柏铠;林范诚;黄才育;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一个实施例中，揭露一种半导体装置及其形成的方法，形成半导体装置的方法包含：形成第一氧化层于半导体鳍片结构上方；进行第一氮化工艺以将第一氧化层转化为氮氧化层；沉积含硅层于氮氧化层上方；对含硅层进行第一退火，其中在进行第一退火之后，氮氧化层在与半导体鳍片结构的界面处的氮原子浓度高于在氮氧化层的主体区中的氮原子浓度；以及形成虚置栅极结构于含硅层上方。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及方法-CN202310523572.7在审
发明人：马少阳;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体装置包含在源极/漏极区中的晶种层以及提供形成的方法。半导体装置可以包含在基材上方的多个纳米结构、包围环绕多个纳米结构的栅极结构、相邻于多个纳米结构的源极/漏极区，以及在源极/漏极区和栅极结构之间的内间隔物。源极/漏极区可以包含多晶晶种层覆盖于多个纳米结构的侧壁和内间隔物的侧壁，以及晶种层上方的半导体层。半导体层可以具有比晶种层更高的掺杂物浓度。
半导体装置方法

[发明专利]底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法-CN202310196130.6在审
发明人：陈佳政;邓运桢;陈亮吟;杨育佳;何彩蓉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开涉及底部介电隔离及其在场效应晶体管中的形成方法。半导体结构包括衬底和堆叠结构，该堆叠结构包括与金属栅极结构交错的沟道层。半导体结构还包括设置在堆叠结构和衬底之间的隔离特征，其中金属栅极结构的最底部直接接触隔离特征。半导体结构进一步包括邻近堆叠结构设置的源极/漏极特征以及设置在金属栅极结构和源极/漏极特征之间的内部间隔物。
底部隔离及其在场效应晶体管中的形成方法

[发明专利]制造半导体装置的方法和半导体装置-CN202310410813.7在审
发明人：刘威民;郭紫微;杨詠竣;温政彦;舒丽丽;李啟弘;杨育佳;黄惠琳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法和半导体装置，特别是提供一种磊晶结构及一种用于形成此种结构的方法。该方法包括在一基板上形成一鳍片结构，其中该鳍片结构包括具有实质上一{110}结晶取向的一半导体材料。该方法包括蚀刻该鳍片结构的一部分以暴露该半导体材料的一侧壁部分。此外，该方法包括在该半导体材料的该侧壁上成长一磊晶结构，其中该磊晶结构以具有一{110}结晶取向的多个晶面增长。
制造半导体装置方法

[实用新型]半导体装置-CN202320187863.9有效
发明人：林哲宇;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含一基板、一鳍片、一隔离区、一栅极结构、一源极/漏极区及一源极/漏极触点。鳍片自基板凸出。隔离区围绕鳍片。栅极结构在鳍片及隔离区上方延伸。源极/漏极区在邻接栅极结构的鳍片中，源极/漏极区的第一晶面平面与源极/漏极区的第二晶面平面之间的一隅角在110°与125°之间。源极/漏极触点在源极/漏极区上。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310315321.X在审
发明人：杨詠竣;吕惟皓;刘威民;舒丽丽;李啟弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含在基材上的第一纳米结构及与第一纳米结构相邻的第一源极/漏极区域。第一源极/漏极区域包含覆盖第一纳米结构的第一侧壁的第一磊晶层。第一磊晶层具有第一浓度的第一掺质。在剖面视图中，相对于第一纳米结构的第一侧壁，第一磊晶层具有圆凸状轮廓。在剖面视图中，第一源极/漏极区域还包含覆盖第一磊晶层的圆凸状轮廓的第二磊晶层。第二磊晶层具有第二浓度的第一掺质，且第二浓度不同于第一浓度。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管源极/漏极区域及其形成方法-CN202210943655.7在审
发明人：刘威民;郭紫微;黄惠琳;温政彦;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及晶体管源极/漏极区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：半导体鳍，从半导体衬底延伸；纳米结构，位于半导体鳍之上；源极/漏极区域，与纳米结构的沟道区域相邻；底部间隔件，位于源极/漏极区域与半导体鳍之间；以及间隙，位于底部间隔件和源极/漏极区域之间。
晶体管区域及其形成方法

[发明专利]动态激光辅助蚀刻方法-CN202210506929.6在审
发明人：唐瀚楀;游明华;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本公开提供了动态激光辅助蚀刻方法。一种蚀刻方法，包括：在晶圆上形成多个半导体区域；将晶圆置于蚀刻室中；使用加热源整体加热晶圆；以及将激光束投射到晶圆上。当晶圆既被加热源加热又被激光束加热时，在晶圆上的多个半导体区域被蚀刻。
动态激光辅助蚀刻方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310075111.8在审
发明人：张添舜;陈国儒;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括：在一基板的一第一区上方形成一第一虚设栅极结构且在该基板的一第二区上方形成一第二虚设栅极结构，该基板的该第一区及该第二区具有一第一复合物，该第一复合物具有一第一蚀刻速度；侧向相邻于该第一虚设栅极结构通过掺杂剂对该基板的该第一区进行布植，其中在该对该第一区进行布植之后，该第一区具有一第二复合物，该第二复合物具有一第二蚀刻速度，该第二蚀刻速度不同于该第一蚀刻速度；在该基板的具有该第二复合物的该第一区中蚀刻一第一凹部，及在具有该第一复合物的该第二区中蚀刻一第二凹部；及在该第一凹部中磊晶生长一第一源极/漏极区及在该第二凹部中磊晶生长一第二源极/漏极区。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310080937.3在审
发明人：林育樟;吴濬宏;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包含：沉积多层堆叠于半导体基材上，多层堆叠包含交替的多个牺牲层及多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，第一布植工艺具有第一布植能量及第一布植剂量；进行第二布植工艺，以形成第二掺杂区域，其中第一掺杂区域及第二掺杂区域是在通道层中，未被第一间隙壁及虚设栅极覆盖的部分，第二布植工艺具有第二布植能量及第二布植剂量，第二布植能量是大于第一布植能量，且第一布植剂量是不同于第二布植剂量。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202310115567.2在审
发明人：周孟翰;萧宜瑄;刘书豪;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属半导体合金区域，设置在通道区域的上表面下方，金属半导体合金区域包括第一掺杂物；以及接触间隔物，环绕源极/漏极接触，接触间隔物包括第一掺杂物及非晶化杂质。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN201910563432.6有效
发明人：蔡济印;陈俊仁;郑培仁;李启弘;陈科维;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种器件包括：衬底；第一半导体区域，从衬底延伸，第一半导体区域包括硅；第二半导体区域，在第一半导体区域上，第二半导体区域包括硅锗，第二半导体区域的边缘部分具有第一锗浓度，第二半导体区域的中心部分具有小于第一锗浓度的第二锗浓度；栅极堆叠，在第二半导体区域上；以及源极和漏极区域，在第二半导体区域中，源极和漏极区域与栅极堆叠相邻。
半导体器件方法

[发明专利]具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法-CN202210788373.4在审
发明人：刘威民;温政彦;舒丽丽;李启弘;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开总体涉及具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法。一种方法包括形成层堆叠，该层堆叠包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替地布置。该方法还包括使多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹部；在横向凹部中形成内部间隔件；以及从多个半导体纳米结构外延生长源极/漏极区域。源极/漏极区域通过空气内部间隔件与内部间隔件分隔开。
具有空气内部间隔纳米结构晶体管及其形成方法

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