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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件的制造方法-CN201810993769.6有效
发明人：山口一树;竹田阳树;住友新隆 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提升生产性的发光元件的制造方法。根据实施方式，发光元件的制造方法包括激光照射工序和分离工序。激光照射工序对具有第一面的衬底照射激光。激光照射工序包括沿多个第一线以激光进行扫描的第一照射工序和沿多个第二线以激光进行扫描的第二照射工序。多个第一线沿第一方向延伸且沿第二方向排列。多个第二线沿第二方向延伸且沿第一方向排列。多个第一线的第一间距大于多个第二线的第二间距。第一照射工序中的激光的照射的间距为2.0μm以下。分离工序沿多个第二线将晶片分离成多个条后，沿多个第一线将条分离成多个发光元件。
发光元件制造方法

[发明专利]发光元件的制造方法-CN201810077704.7有效
发明人：井上直人;住友新隆 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：使利用了晶圆的切断的制造方法中的成品率提高。发光元件的制造方法包含：工序(A)，准备晶圆(100W)，该晶圆(100W)包含具有第一以及第二主面的基板(110)、设置在第一主面(110a)上的电介质多层膜(120)、设置在第二主面(110b)上的半导体构造(130)；工序(B)，经由电介质多层膜向基板的内部会聚激光，在基板的内部形成改性区域(110s)，并从改性区域至电介质多层膜地产生龟裂；工序(C)，在工序(B)之后，去除电介质多层膜中的、包含龟裂的区域；工序(D)，通过在产生了龟裂的部位切断晶圆。
发光元件制造方法

[发明专利]半导体元件的制造方法以及半导体元件-CN202110556151.5在审
发明人：山口一树;住友新隆 -专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供半导体元件的制造方法以及半导体元件，在割断基板时能够抑制基板缺口。半导体元件的制造方法包括：第一照射工序，从第一面侧向基板的内部照射激光，在基板的内部形成沿着第一方向排列的多个第一改性部；第二照射工序，向在第二方向上自第一改性部偏离的位置照射激光，在多个第一改性部的第二方向上的相邻位置形成沿着第一方向排列的多个第二改性部；第三照射工序，从第一面侧沿着第一方向中照射激光，在比第一改性部更偏向第一面侧、且是在基板的厚度方向上与多个第一改性部重合的位置，形成沿着第一方向排列的多个第三改性部。在第三改性部的第二方向上的相邻位置且是在基板的厚度方向上与第二改性部重合的位置不形成改性部。
半导体元件制造方法以及

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共 3 条

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