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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]三维存储器结构及其制备方法-CN202011550126.8有效
  • 吴林春;张坤;张中 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-12-24 - 2023-10-27 - H10B43/10
  • 本发明提供了一种三维存储器结构及其制备方法，方法包括如下步骤：提供有第一区域和第二区域的半导体衬底，第一区域包括核心区，第二区域包括台阶区和外围区；在其上形成绝缘层和多层半导体层，半导体层通过介质层隔离；形成凹槽结构，在其侧壁形成电性连接结构；在凹槽结构中填充介质填充层；在半导体层和介质填充层上形成堆叠结构；在堆叠结构中形成沟道结构。本发明通过在台阶区和外围区形成凹槽结构，并形成电连接半导体衬底的电性连接结构，使等离子体加工工艺中产生的电荷能够从绝缘介质层上方导通至接地的半导体衬底，避免影响后续工艺，提升产品良率；凹槽结构中形成的介质填充层还能有效释放应力，并对上方堆叠结构提供支撑。
  • 三维存储器结构及其制备方法
  • [发明专利]半导体工艺以及半导体结构-CN202111007843.0有效
  • 罗佳明;周鹏;张顺勇;朱宏斌 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-08-30 - 2023-10-27 - H10B41/35
  • 本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构，该半导体工艺包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的层叠结构，层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层；至少在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层由多个相同的沟道孔图案构成，任意相邻的沟道孔图案之间的距离相同；以图形化掩膜层为掩膜，刻蚀层叠结构，形成多个沟道孔；去除图形化掩膜层。该半导体工艺保证了形成的多个沟道孔的关键尺寸相同，且相邻的沟道孔之间的间距相同，保证了各沟道孔的均一性，避免了现有技术中3D NAND制作过程中，刻蚀得到的沟道孔的一致性较差的问题。
  • 半导体工艺以及结构
  • [发明专利]致密性的表征方法-CN202110872477.9有效
  • 张云静;石泉;刘军;李国梁;魏强民 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-07-30 - 2023-10-27 - H01L21/66
  • 本申请实施例公开了一种致密性的表征方法，包括：提供具有预设厚度范围的薄膜样品和对照薄膜样品，其中，所述薄膜样品和对照薄膜样品分别包括待检测的膜层和对照待检测的膜层；利用预设条件分别对所述薄膜样品和所述对照薄膜样品进行刻蚀；在进行刻蚀的过程中，获取多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱；利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系。
  • 致密表征方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911044053.2有效
  • 黄腾 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2019-10-30 - 2023-10-27 - H01L21/336
  • 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有晶体管，所述晶体管包括栅介质层、位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极和栅介质层两侧的半导体衬底中的源区和漏区；形成覆盖所述晶体管的保护层，所述保护层至少包括富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层用于吸附和存储后段制作工艺中产生的等离子体电荷。由于所述保护层中包括富硅氮化硅层，所述富硅氮化硅层能吸附和存储后段制作工艺中产生的等离子体电荷，从而防止后段工艺过程中产生的等离子电荷对栅介质层带来的等离子体诱导损伤，从而保证栅介质层的性能，提高晶体管的性能，并且本发明的方法对于防止等离子体诱导损伤简单有效。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]三维存储器及其制造方法-CN202010883424.2有效
  • 许宗珂;袁彬;耿静静;张强威 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-08-28 - 2023-10-27 - H10B43/10
  • 本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。该三维存储器包括衬底、堆叠结构、沟道结构和虚设沟道结构。所述衬底定义核心区和台阶区。所述堆叠结构包括多个栅极层和多个绝缘层，其交替地堆叠在所述核心区上，且在所述台阶区上堆叠形成多个台阶。所述沟道结构布置在所述核心区上并穿过所述堆叠结构。所述虚设沟道结构布置在所述台阶区上且穿过所述堆叠结构，所述虚设沟道结构在所述衬底的延伸方向上的横截面包括相互重叠的第一图形和第二图形，所述第一图形和第二图形为圆或椭圆。
  • 三维存储器及其制造方法
  • [发明专利]形成三维存储器的方法以及三维存储器-CN201810562720.5有效
  • 肖莉红 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2018-06-04 - 2023-10-27 - H10B41/20
  • 本发明涉及一种形成三维存储器的方法以及三维存储器，该存储器包括：衬底；位于所述衬底上的堆叠的第一堆栈和第二堆栈，所述第一堆栈和第二堆栈分别包括间隔的栅极层；位于所述第一堆栈中的第一沟道孔；位于所述第一沟道孔中的第一沟道层；位于所述第二堆栈的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述第一沟道孔对准；位于所述第二沟道孔中的第二沟道层；位于所述第一堆栈和所述第二堆栈间的虚拟栅极层；以及位于所述第一沟道层和所述第二沟道层间的导电部，所述导电部连接所述第一沟道层和所述第二沟道层，且所述导电部与所述虚拟栅极层在平行于所述衬底的方向上相互间隔并电隔离。
  • 形成三维存储器方法以及
  • [发明专利]用于存储器的数据保护方法及其存储装置-CN202180002502.6有效
  • 陈永刚 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-09-08 - 2023-10-27 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种能够基于RAID来保护存储器中存储的数据的方法及其存储装置，所述存储器包括多个存储模块，每个存储模块包括第一存储块和第二存储块，所述方法包括：在所述存储器的编程过程中，基于所述多个存储模块中的每个存储模块的相应第一存储块的存储数据来生成第一校验码，并且基于所述多个存储模块中的每个存储模块的相应第二存储块的存储数据来生成第二校验码；以及在所述存储器的编程过程之后，基于所述第一校验码和所述第二校验码来生成附加校验码，其中，所述附加校验码用于恢复所述多个存储模块的第一存储块和第二存储块中的其中一个存储块的数据。
  • 用于存储器数据保护方法及其存储装置
  • [发明专利]三维存储器-CN202110909609.0有效
  • 姚兰;薛磊;华子群;胡思平;严孟;尹朋岸;张宇澄 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-08-09 - 2023-10-24 - H10B41/30
  • 本申请公开了一种三维存储器，该三维存储器包括外围晶圆和阵列晶圆。外围晶圆包括第一外围结构和第二外围结构；阵列晶圆包括衬底以及位于衬底之上的待测试结构和多个互连部，其中，衬底中包括第一阱区和第二阱区，待测试结构包括第一连接端和第二连接端，多个互连部包括：第一互连部，将第一外围结构与第一阱区电连接；第二互连部，将第一外围结构与待测试结构的第一连接端电连接；第三互连部，将第二外围结构与第二阱区电连接；以及第四互连部，将第二外围结构与待测试结构的第二连接端电连接。
  • 三维存储器
  • [发明专利]光刻胶去除装置及方法-CN202010011628.7有效
  • 解浩楠 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-01-06 - 2023-10-24 - G03F7/42
  • 本发明实施例提供了一种光刻胶去除装置和方法，在进行光刻胶去除处理时，晶圆设置在光刻胶去除装置的承载部件上，并通过所述承载部件的加热将温度保持在第一温度；其中，在所述承载部件的加热过程中，所述光刻胶去除装置的去胶反应腔的腔壁的温度升高；在所述去胶反应腔中使用第一气体中的氢源来执行去除所述晶圆上的光刻胶；其中，所述光刻胶去除装置的温度控制子装置将所述去胶反应腔的腔壁的温度控制在小于第二温度；其中，在所述第二温度下，所述第一气体中的氢源不与所述去胶反应腔的腔壁发生吸附作用。如此，能够在利用氢源与光刻胶反应实现去除光刻胶时，提供较高的去胶效率。
  • 光刻去除装置方法
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