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[发明专利]衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN202310161578.4在审
发明人：中川崇;佐佐木伸也;道田典明;山本克彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。本发明能够在实现衬底温度的低温化的同时对形成于衬底上的膜进行均匀地处理。本发明具备：将形成有处理对象膜和作用对象膜的衬底搬入处理室内的工序；对前述作用对象膜照射电磁波的工序；和利用前述电磁波的照射使前述作用对象膜发热，利用已发热的前述作用对象膜对前述处理对象膜进行加热，从而有指向性地进行改性处理的工序。
衬底处理方法半导体器件制造记录介质装置

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN202310157803.7在审
发明人：山本克彦;西堂周平;中川崇;柳泽爱彦;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，其能够防止由热处理引起的基板的翘曲、破裂。基板处理装置具有：处理室，其对基板保持部所保持的多个基板进行处理；电磁波产生器，其向处理室内供给电磁波；以及气体供给部，其从多个气体供给口向多个基板之间供给冷却气体，其中，多个气体供给口被设置成与保持所述多个基板的间隔对应。
处理装置半导体制造方法以及记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及程序-CN202180041030.5在审
发明人：山本克彦;山崎惠信;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提供一种技术，具备：对基板进行处理的反应室；向处理室供给微波的微波振荡器；和构成为能够控制微波振荡器以进行加热处理和改性处理的控制部，在加热处理中，一边将微波维持为第1微波输出，一边以规定次数或第1规定时间重复供给第1微波的供给时间和比供给时间短的停止第1微波的停止时间并向基板供给而进行加热，在改性处理中，一边将微波维持为比第1微波输出高的第2微波输出，一边以第2规定时间向基板供给而进行改性。
处理装置半导体器件制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质-CN202210551509.X在审
发明人：佐佐木伸也;道田典明;山本克彦;中川崇;汤浅和宏 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够一边实现基板的温度的低温化一边对形成于基板的膜进行改性处理。本发明的技术具有：处理室，其对形成有处理对象膜和作用对象膜的基板进行处理；以及电磁波发生器，其向处理室供给电磁波，当对基板照射电磁波时，作用对象膜发热，对处理对象膜进行改性处理。
处理装置半导体制造方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202111082187.0在审
发明人：筱崎贤次;柳泽爱彦;道田典明;佐佐木伸也;西堂周平;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供对基板均匀处理的基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法以及存储介质。基板处理装置具有处理基板的处理室、向上述处理室供给微波对上述基板进行加热处理的微波发生器、积载并保持上述基板和配置于该基板的上部且对被上述微波加热了的上述基板进行保温的保温部件的基板保持件、以及保持于上述保温部件的外周且外周比上述基板大的第一环形板。
处理装置保持半导体制造方法存储介质

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201580082464.4有效
发明人：汤浅和宏;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供能进行均匀的衬底处理的技术。提供的技术具有：将衬底备于处理室中的工序，衬底中，在纵横比为20以上的图案上形成有作为基膜的绝缘膜，在绝缘膜上形成有作为处理对象的厚度以下的处理对象膜；通过从加热装置供给的电磁波而将衬底升温至第一温度的工序；在维持所述第一温度的同时，在第一处理时间的期间内处理衬底的第一处理工序；在第一处理工序后，通过从加热装置供给的电磁波而将衬底从第一温度升温至比第一温度高的第二温度的工序；及在维持第二温度的同时，在比第一处理时间短的第二处理时间的期间内处理衬底的第二处理工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN201680086711.2在审
发明人：佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有对基板进行处理的处理室、由电磁波加热所述基板的加热装置、至少具有向所述处理室内供给含氢气体的含氢气体供给系统和向所述处理室内供给非活性气体的非活性气体供给系统的气体供给部、由等离子体激发所述含氢气体的等离子体生成部以及控制部，所述控制部构成为分别控制所述加热装置、所述气体供给部、所述等离子体生成部，以使得将由所述等离子体生成部激发的所述含氢气体供给至所述基板来对所述基板表面添加氢原子，并且在添加了所述氢原子后由所述电磁波对所述基板进行加热从而使所述基板改性。由此，能够提供能对处理对象进行均匀处理的电磁波热处理技术。
含氢气体基板等离子体生成部非活性气体气体供给部供给系统加热装置电磁波氢原子室内等离子体激发基板处理装置半导体装置电磁波加热热处理技术处理对象基板表面均匀处理对基板改性加热激发制造