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[发明专利]薄膜晶体管基板及其制备方法-CN201910225425.5有效
发明人：孙松 -专利权人：北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种薄膜晶体管基板及其制备方法，该薄膜晶体管基板包括：基底；栅极，形成于基底上；绝缘层，覆盖栅极；有源层，包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层形成于绝缘层上，第二氧化物半导体层叠设于第一氧化物半导体层上，第一氧化物半导体层的含氧量高于第二氧化物半导体层的含氧量；以及源极和漏极，形成于第二氧化物半导体层上。在本申请中，有源层包括含氧量相对较高的第一氧化物半导体层和含氧量相对较低的第二氧化物半导体层，可以同时提高沟道区的电子传输能力和降低有源层与绝缘层之间的界面态密度。
薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]偏置电路及含它的跨导电容滤波器电路和半导体集成电路-CN201010105061.6无效
发明人：岸川祯介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-22 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明涉及偏置电路，包括：形成第一电流源的第一正沟道金属氧化物半导体晶体管；构成第一正沟道金属氧化物半导体晶体管的电流镜电路且形成第二电流源的第二正沟道金属氧化物半导体晶体管；第一负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第一电流源向该第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；与第一负沟道金属氧化物半导体晶体管一起构成电流镜电路的第二负沟道金属氧化物半导体晶体管，其具有从第二电流源向该第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极供应电流的漏极；以及连接在第二负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间的电阻器；其中用于gm调节的阻抗部件连接在第一负沟道金属氧化物半导体晶体管的源极和接地之间。
偏置电路导电滤波器半导体集成电路

[发明专利]光电探测叠层、半导体紫外探测器及其制造方法-CN201110164384.7有效
发明人：殷华湘;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光电探测叠层，包括m层宽带隙的非晶态氧化物半导体层和n层窄带隙的非晶态氧化物半导体层，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层与窄带隙的非晶态氧化物半导体层交替排列，所述宽带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度大于所述窄带隙的非晶态氧化物半导体层的禁带宽度通过形成的高低交错能带的非晶态氧化物半导体的光电探测叠层，增强了光生电流，大大提高了光电效率。
光电探测半导体紫外探测器及其制造方法

[实用新型]一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管-CN201920490045.X有效
发明人：刘启晗;赵春;赵策洲;杨莉 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双层金属氧化物半导体异质结薄膜晶体管，包括绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结，源电极和漏电极；绝缘衬底上依次设置有栅电极，栅极绝缘层，双层金属氧化物半导体异质结；双层金属氧化物半导体异质结顶层上设置有源电极和漏电极；双层金属氧化物半导体异质结包括第一层金属氧化物半导体层和第二层金属氧化物半导体层。
氧化物半导体双层金属异质结金属氧化物半导体层薄膜晶体管本实用新型栅极绝缘层漏电极源电极栅电极衬底绝缘安全环保依次设置第一层顶层

[发明专利]半导体装置或包括该半导体装置的显示装置-CN202210471884.3在审
发明人：山崎舜平;黑崎大辅;中泽安孝;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]半导体装置或包括该半导体装置的显示装置-CN201780027953.9有效
发明人：山崎舜平;黑崎大辅;中泽安孝;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
半导体装置包括显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410486695.9有效
发明人：郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010135175.5有效
发明人：郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN202010662287.X在审
发明人：金俊德;叶子祯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底、金属氧化物半导体器件、和部件。金属氧化物半导体器件设置在衬底中。所述部件设置成邻近金属氧化物半导体器件。所述部件以第一深度延伸至衬底中，金属氧化物半导体器件以小于第一深度的第二深度延伸至衬底中。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826221.9在审
发明人：吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅介电层、栅极、层间介电层、第一导电氧化物层、第一电极以及第二电极。第一栅介电层位于金属氧化物半导体层之上。栅极位于第一栅介电层之上，且重叠于金属氧化物半导体层。层间介电层位于栅极之上。层间介电层具有第一接触孔。第一接触孔横向地分离于金属氧化物半导体层。第一导电氧化物层位于第一接触孔下方。第一电极填入第一接触孔，并通过第一导电氧化物层而电连接至金属氧化物半导体层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及半导体存储器件-CN202211062267.4在审
发明人：佐久间惠子;盐川太郎;佐久间究 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：实施方式提供晶体管特性优异的半导体器件以及半导体存储器件。实施方式的半导体器件具备：第1电极；第2电极；第1氧化物半导体层，其设置在第1电极与第2电极之间；栅电极，其与第1氧化物半导体层相对向；第2氧化物半导体层，其设置在栅电极与第1氧化物半导体层之间，与第1电极相分离；以及栅极绝缘层，其设置在栅电极与第2氧化物半导体层之间。
半导体器件以及半导体存储器件

[发明专利]半导体装置-CN202111367815.X在审
发明人：花田明纮;海东拓生 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，抑制薄膜晶体管的占用面积并提高半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n(n为自然数)个金属层，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201910994673.6有效
发明人：叶柏良;吴振中;邓德彰;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构配置于基板上，包括第一金属层设置于基板上、栅绝缘层设置于基板上、氧化物半导体层设置于栅绝缘层上、蚀刻阻挡图案设置于氧化物半导体层上以及第二金属层设置于蚀刻阻挡图案上氧化物半导体层的图案化定义出氧化物半导体图案。第二金属层包括源极与漏极电性连接至氧化物半导体图案。部分蚀刻阻挡图案位于第二金属层与氧化物半导体层之间。第二金属层还包括信号线设置于蚀刻阻挡图案上并电性连接氧化物半导体图案。一种半导体结构的制作方法亦被提出。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201510349006.4有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
半导体元件及其制造方法

[实用新型]金属氧化物半导体薄膜晶体管-CN201320817992.8有效
发明人：戴谦邦;黄隽尧;彭郁芩;黄科铨 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包含源极及漏极、金属氧化物半导体层、栅极、第一栅绝缘层及第二栅绝缘层。金属氧化物半导体层接触源极的一部分及漏极的一部分。第一栅绝缘层位于金属氧化物半导体层与栅极之间，并且接触栅极。第二栅绝缘层位于金属氧化物半导体层与栅极之间，并且接触金属氧化物半导体层。
金属氧化物半导体薄膜晶体管

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