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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]氧化物半导体、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201080029375.0有效
发明人：太田纯史;森豪;锦博彦;近间义雅;会田哲也;铃木正彦;中川兴史;竹井美智子;春本祥征;原猛 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-03-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够实现具有稳定的晶体管特性的薄膜晶体管的氧化物半导体、具有包含该氧化物半导体的沟道层的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的氧化物半导体是薄膜晶体管用的氧化物半导体，上述氧化物半导体包含铟、镓、锌和氧作为构成原子，当将化学计量的状态按原子单位设为100％时，上述氧化物半导体的氧含量是87～95％。
氧化物半导体薄膜晶体管阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010149895.7有效
发明人：坂田淳一郎;岸田英幸;大原宏树;佐佐木俊成;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201811048948.9有效
发明人：神例信贵 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供抑制在氧化物半导体与绝缘膜的界面中产生的缺陷、实现高可靠性且高迁移率的半导体装置。半导体装置具备：控制电极；氧化物半导体层，其包含铟(In)和锡(Sn)中的至少任一种；绝缘膜，其设置于控制电极与氧化物半导体层之间，包含氧化硅；和金属氧化物膜，其设置在绝缘膜与氧化物半导体层之间，与绝缘膜和氧化物半导体层相接
半导体装置

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201510232391.4在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910353479.X在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体结晶性底层基板电学特性刚玉

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910915606.0在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体底层基板电学特性结晶性刚玉

[发明专利]阵列基板及其制作方法和显示面板-CN202080014831.8有效
发明人：钟德镇;蔡志承;郑会龙;王新刚 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板包括：基底；设于基底上的栅极；覆盖栅极的第一绝缘层；设于第一绝缘层上的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层上设有对应栅极的沟道；第二半导体层包括层叠设置的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层，第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层均在沟道处断开，第二金属氧化物半导体层的氧空位浓度小于第一金属氧化物半导体层的氧空位浓度；设于第二半导体层上的源极和漏极，并且源极和漏极均与第二半导体层导电接触
阵列及其制作方法显示面板

[实用新型]一种新型氧化物薄膜晶体管器件-CN202123087168.5有效
发明人：宋家琪;蔡文洁 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的属于氧化物薄膜晶体管技术领域，具体为一种新型氧化物薄膜晶体管器件，包括柔软衬底、缓冲层和氧化物半导体，所述缓冲层安装在柔软衬底上端，所述氧化物半导体安装在缓冲层上端内侧，还包括：支撑机构，所述支撑机构安装在氧化物半导体上侧；所述支撑机构包括绝缘板一、绝缘板二和隔离组件，所述绝缘板一安装在氧化物半导体上端，所述绝缘板二安装在绝缘板一上端，所述绝缘板二的上表面设置有两组支撑筒和定位筒，本实用新型有益效果是：通过对氧化物半导体设置有隔离组件，对源极和漏极与氧化物半导体进行绝对隔离与防护，减少氧化物半导体对源极和漏极产生的影响。
一种新型氧化物薄膜晶体管器件

[发明专利]半导体器件-CN201280047630.3有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
半导体器件

[发明专利]一种单芯片集成电路-CN201510244422.8在审
发明人：周祥瑞;吴宗宪 -专利权人：无锡昕智隆电子科技有限公司
申请日： 2015-05-13 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种单芯片集成电路，包括器件本体，所述器件本体的外周包裹有终端环结构，所述器件本体的底端固定有金属电极；所述器件本体包括第一金属氧化物半导体场效应管、第二金属氧化物半导体场效应管和二极管，所述第一金属氧化物半导体场效应管置于所述第二金属氧化物半导体场效应管并列排布，所述二级管集成在所述第一金属氧化物半导体场效应管或所述第二金属氧化物半导体场效应管中，所述第一金属氧化物半导体场效应管和所述第二金属氧化物半导体场效应管均与所述金属电极连接。
一种芯片集成电路

[发明专利]氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶-CN202080007374.X在审
发明人：寺前裕美;西山功兵;越智元隆;后藤裕史 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中
氧化物半导体薄膜薄膜晶体管溅射

[发明专利]电压转换电路-CN200810170407.3有效
发明人：李秋平;尹明德;陈廷仰 -专利权人：原景科技股份有限公司
申请日： 2008-11-03 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：电流镜包含一第一P型金属氧化物半导体以及一第二P型金属氧化物半导体，其中第一及第二P型金属氧化物半导体的源极都连接一高电压输入，高电压输入为电流镜的一供应电压，第一P型金属氧化物半导体的栅极连接至第一P型金属氧化物半导体的漏极；电流偏置连接第一P型金属氧化物半导体的漏极及一接地电位；负载相互并联，连接于第二P型金属氧化物半导体的漏极及接地电位；低电压输出连接于第二P型金属氧化物半导体的漏极。
电压转换电路

[发明专利]一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材-CN201210164460.9无效
发明人：石宗祥;陈泓旭;方绍为;李仁佑;吕学兴;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材，至少包括：一第一透明非晶态氧化物半导体；一第二透明非晶态氧化物半导体，与所述第一透明非晶态氧化物半导体相对设置，且所述第一透明非晶态氧化物半导体和所述第二透明非晶态氧化物半导体之间具有一靶材间隙采用本发明，于相邻的两个透明非晶态氧化物半导体之间的靶材间隙内设置一阻挡部，该阻挡部可采用特定的导电材料或绝缘材料制成，从而可降低位于该透明非晶态氧化物半导体下方的背板被溅镀的几率。
一种透明晶态氧化物半导体溅镀靶材

[发明专利]配线结构和溅射靶材-CN201180057732.9有效
发明人：森田晋也;三木绫;安野聪;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的配线结构在基板上至少具有栅极绝缘膜和氧化物半导体层，所述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层以及第2氧化物半导体层的层叠体，该第1氧化物半导体层包括选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(Z组元素)，该第2氧化物半导体层含有选自In、Ga、Zn和Sn中的至少一种元素(X组元素)和选自Al、Si、Ti、Hf、Ta、Ge、W和Ni中的至少一种元素(Y组元素)，并且所述第2氧化物半导体层形成在所述第1氧化物半导体层与所述栅极绝缘膜之间。
结构溅射

[发明专利]一种催化MgH2-CN202110938663.8在审
发明人：吴岱丰;李睿;曾黎明;唐仁衡;肖方明 -专利权人：广东省科学院资源利用与稀土开发研究所
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种催化MgH2快速放氢的复合氧化物及其应用，所述复合氧化物由p型氧化物半导体与n型氧化物半导体组成，所述p型氧化物半导体与所述n型氧化物半导体在材料的内部形成本发明的复合氧化物在热辐射的作用下，其中n型氧化物半导体的表面形成自由电子，p型氧化物半导体的表面形成空穴，两者在材料的内部形成“p‑n结”，降低自由电子与空穴复合的几率，提高催化体系的性能；通过材料表面的自由电子与空穴
一种催化 mgh base sub

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