[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410486695.9 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104332411B | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡嘉倩 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差，使电特性稳定，还可以减少断态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成栅电极层；在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一氧化物半导体膜；在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；对所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜进行蚀刻来形成第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层；在所述第二氧化物半导体层上形成导电层；以及对所述导电层进行蚀刻来形成源电极层及漏电极层，其中，所述第一氧化物半导体膜和所述第一氧化物半导体层都包含晶粒；所述第一氧化物半导体层的电导率高于所述第二氧化物半导体层的电导率；所述第二氧化物半导体膜和所述第二氧化物半导体层都包含绝缘性氧化物；以及所述第二氧化物半导体层具有非晶结构。
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- 李倩;刘静 - 中国科学院理化技术研究所
- 2018-06-15 - 2018-11-13 - H01L21/34
- 本发明实施例提供一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，该方法包括在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接液态金属源极和液态金属漏极的半导体层；在半导体层上制作介电层，并在介电层上制作液态金属栅极。本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。
- 一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法-201810522017.1
- 宁洪龙;周尚雄;姚日晖;袁炜健;史沐杨;李志航;蔡炜;朱镇南;魏靖林;彭俊彪 - 华南理工大学
- 2018-05-28 - 2018-11-06 - H01L21/34
- 本发明属于薄膜晶体管制备技术领域，公开了一种溶液法制备氧化物薄膜晶体管的方法。将Zr(NO3)4·5H2O和In(NO3)3分别溶于乙二醇单甲醚中，得到绝缘层前驱体溶液和有源层前驱体溶液；在ITO玻璃衬底上旋涂绝缘层前驱体溶液，退火处理，得到氧化锆绝缘层薄膜；在氧化锆绝缘层薄膜上旋涂有源层前驱体溶液，退火处理，得到氧化铟有源层薄膜；在氧化铟有源层上蒸镀源/漏电极，得到氧化物薄膜晶体管。本发明通过制备氧化物前驱体溶液，结合旋涂以及退火工艺制备ZrO2和In2O3薄膜，并以这两种薄膜分别作为绝缘层和有源层制备TFT器件，无需真空环境，成本低，操作简便。
- 薄膜晶体管的制备方法-201610417495.7
- 胡俊艳 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2016-06-15 - 2018-10-19 - H01L21/34
- 本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法。包括如下步骤：在基板的顶面形成栅极；在所述栅极上依次沉积形成栅极绝缘层、半导体材料及蚀刻阻挡层；使用第一光罩对所述蚀刻阻挡层图案化，形成设于所述栅极正上方的阻挡块；沉积第二金属层；使用第二光罩及光刻胶在所述第二金属层表面形成源极区、漏极区和沟道区；蚀刻所述源极区、所述漏极区和所述沟道区的周围区域，使得所述栅极绝缘层外露；去除所述光刻胶及蚀刻所述沟道区中的所述第二金属层，使得留下的所述第二金属层形成源极和漏极；及使用UV光照射所述基板的底面。本发明能够节省光罩成本，简化制造工艺。
- 一种IGZO阵列基板的制备方法及IGZO阵列基板-201810233767.7
- 不公告发明人 - 福建华佳彩有限公司
- 2018-03-21 - 2018-09-28 - H01L21/34
- 本发明提供一种IGZO阵列基板的制备方法及IGZO阵列基板，通过一次构图工艺对刻蚀阻挡层和栅极绝缘层同时图案化，通过部分刻蚀有源层的源/漏极区域，同时形成连接栅极的第一过孔(深孔)和两个连接有源层的第二过孔(浅孔)；进一步，通过控制有源层的源/漏极区域的刻蚀量在10～66.7％之间，可在保证IGZO阵列基板的性能的基础上，达到简化IGZO阵列基板的生产制程，节约成本的效果。
- 一种TFT基板、TFT开关管及其制造方法-201510629335.4
- 石龙强 - 深圳市华星光电技术有限公司
- 2015-09-28 - 2018-09-18 - H01L21/34
- 本发明公开了一种TFT基板、TFT开关管及其制造方法，该方法包括：在基板上设置栅极层；对栅极层的侧区域的至少一部分沿着栅极层的厚度方向进行薄型化处理，以形成两薄型化区域；在栅极层的上方设置半导体层；在半导体层上设置源极层和漏极层，其中源极层和漏极层分别与半导体层接触的区域分别对应两薄型化区域。通过上述方式，本发明能够省去掺杂步骤，并达到良好的欧姆接触，从而解决Schottky接触的问题。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
