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[发明专利]一种半导体器件的结构及其制备方法-CN202011207288.1有效
发明人：张纪稳;阳清 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件结构及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：提供一集成电路，所述集成电路包括N型金属氧化物半导体区域和P型金属氧化物半导体区域；在所述N型金属氧化物半导体区域和所述P型金属氧化物半导体区域上形成一第一应力缓冲层；去除部分所述第一应力缓冲层，暴露所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域；在剩余的所述第一应力缓冲层表面及暴露的所述N型金属氧化物半导体区域或所述P型金属氧化物半导体区域的表面形成呈压缩应力的应力材料层或呈拉伸应力的应力材料层，本发明可减少半导体工艺步骤，节约成本的目的。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201180020397.5有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个实施方式的目的之一是对包括氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性，以实现高可靠性化。一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成源电极及漏电极以及与源电极及漏电极电连接的氧化物半导体膜；对氧化物半导体膜进行热处理以去除氧化物半导体膜中的氢原子；对去除了氢原子的氧化物半导体膜进行氧掺杂处理来对氧化物半导体膜供给氧原子；在被供给有氧原子的氧化物半导体膜上形成第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的与氧化物半导体膜重叠的区域上形成栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201210060002.0有效
发明人：山崎舜平;佐藤裕平;佐藤惠司;丸山哲纪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置的制造方法，目的在于对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并实现高可靠性。在包括氧化物半导体层的晶体管的制造工序中，在氧化硅膜上形成包括氧含量超过氧化物半导体处于结晶状态时的化学计量组成比的区域的非晶氧化物半导体层，在该非晶氧化物半导体层上形成氧化铝膜，然后进行加热处理来使该非晶氧化物半导体层的至少一部分晶化，从而形成包括具有大致垂直于表面的c轴的结晶的氧化物半导体层。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件-CN202211739559.7在审
发明人：朱博文;宋春燕 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示器件，涉及半导体技术领域。该氧化物半导体薄膜的制备方法包括：提供基底；在所述基底上形成氧化物半导体薄膜；其中，所述氧化物半导体薄膜的厚度小于或等于15nm。该氧化物半导体薄膜的制备方法能够具备高迁移率等性能优势。
氧化物半导体薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示器件

[发明专利]半导体装置-CN201910147853.0在审
发明人：山崎舜平;须泽英臣;冈崎丰 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-05-01 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
半导体装置氧化物半导体层氧化铝膜绝缘层氧化物半导体控制阈值电压微型化包围加热处理栅电极层制造工序本征化电特性阻挡性沟道混入脱离

[发明专利]半导体装置-CN201910147854.5在审
发明人：山崎舜平;须泽英臣;冈崎丰 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-05-01 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
半导体装置氧化物半导体层氧化铝膜绝缘层氧化物半导体控制阈值电压微型化包围加热处理栅电极层制造工序本征化电特性阻挡性沟道混入脱离

[发明专利]半导体装置-CN201480026382.3有效
发明人：山崎舜平;须泽英臣;冈崎丰 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2014-05-01 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了半导体装置。本发明的一个实施方式提供一种使用氧化物半导体的半导体装置，该半导体装置在维持良好的电特性的同时实现了微型化。在该半导体装置中，氧化物半导体层被包含含有过剩的氧的氧化铝膜的绝缘层包围。氧化铝膜所包含的过剩的氧通过半导体装置的制造工序中的加热处理而被供应给其中形成沟道的氧化物半导体层。并且，由于氧化铝膜具有对氧及氢的阻挡性，所以可以抑制氧从被包含氧化铝膜的绝缘层包围的氧化物半导体层脱离以及氢等杂质混入氧化物半导体层，由此可以使氧化物半导体层高纯度本征化。另外，由设置在氧化物半导体层上侧及下侧的栅电极层良好地控制阈值电压。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510689690.0有效
发明人：佐佐木俊成 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够提高通态电流的半导体装置。半导体装置具有：具有第1侧壁的第1绝缘层；配置于第1侧壁的氧化物半导体层；配置于氧化物半导体层的与第1侧壁相反一侧的栅极绝缘层；隔着栅极绝缘层与配置于第1侧壁的氧化物半导体层对置的栅极电极；配置于氧化物半导体层的下方并与氧化物半导体层的一方连接的第1电极；和配置于氧化物半导体层的上方并与氧化物半导体层的另一方连接的第2电极。
氧化物半导体层侧壁半导体装置配置栅极绝缘层电极绝缘层通态电流栅极电极对置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510783008.4有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜。然后通过金属氧化物膜向该金属氧化物膜引入（添加）氧并且进行热处理。通过氧引入及热处理的这些步骤，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。此外，通过设置金属氧化物膜，可以在晶体管中防止氧化物半导体膜的背沟道侧上产生寄生沟道。
氧化物半导体膜金属氧化物膜热处理晶体管半导体装置寄生沟道引入漏电极氢化物源电极带电沟道羟基去除覆盖制造

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201080054058.4有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510189236.9在审
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供高批量生产性、使用新的半导体材料且适于大电力应用的半导体装置。为了降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而在形成氧化物半导体膜之后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第一加热处理。接着，为了进一步降低氧化物半导体膜中的水分或氢等杂质而使用离子注入法或离子掺杂法等对氧化物半导体膜添加氧，然后在氧化物半导体膜露出的状态下进行第二加热处理。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202110088700.0在审
发明人：浅见良信 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201680008409.5有效
发明人：浅见良信 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供一种降低了寄生电容的半导体装置。一种半导体装置包括：第一绝缘层；第一绝缘层上的第一氧化物半导体层；第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；第一绝缘层、源电极层及漏电极层上的第二绝缘层；第二绝缘层上的第三绝缘层；第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；第三氧化物半导体层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层。第二绝缘层为氧阻挡层并具有与第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极层及漏电极层的侧面接触的区域。第三氧化物半导体层具有与第二氧化物半导体层、源电极层、漏电极层、第二绝缘层及第三绝缘层的侧面接触的区域。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]氧化物半导体电极、色素增感型太阳能电池及它们的制造方法-CN200910167349.3有效
发明人：薮内庸介;中川博喜;小堀裕之 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第
氧化物半导体电极色素增感型太阳能电池它们制造方法

[发明专利]氧化物半导体电极、色素增感型太阳能电池及它们的制造方法-CN200610068365.3有效
发明人：薮内庸介;中川博喜;小堀裕之 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第
氧化物半导体电极色素增感型太阳能电池它们制造方法