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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN202110517345.4在审
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710266365.2有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;小山润 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201911352160.1在审
发明人：佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造半导体器件的方法及半导体器件。本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201610981924.3有效
发明人：佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-16 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610232781.6有效
发明人：山崎舜平;佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN201510536562.2有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;三宅博之;桑原秀明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一个目的是降低半导体装置的制造成本。一个目的是改进半导体装置的孔径比。一个目的是使半导体装置的显示部分显示较高清晰度图像。一个目的是提供能够以高速度来操作的半导体装置。半导体装置包括一个衬底之上的驱动器电路部分和显示部分。驱动器电路部分包括：驱动器电路TFT，其中源和漏电极使用金属来形成，并且沟道层使用氧化物半导体来形成；以及使用金属来形成的驱动器电路布线。显示部分包括：像素TFT，其中源和漏电极使用氧化物导体来形成，并且半导体层使用氧化物半导体来形成；以及使用氧化物导体来形成的显示布线。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201410555144.3有效
发明人：佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。
半导体装置氧化物半导体层加热处理薄膜晶体管高可靠性制造沟道形成区半导体层缓慢冷却低成本电特性漏极区脱氢化氧气氛源极区脱水

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510373064.0有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201510215816.0有效
发明人：山崎舜平;细羽幸;野田耕生;大原宏树;佐佐木俊成;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的高度可靠半导体器件，以及其制造方法。在制造包括薄膜晶体管(其中包括沟道形成区的半导体层是氧化物半导体层)在内的半导体器件的方法中，在氧气气氛中执行减少诸如湿气之类的杂质来改进氧化物半导体层的纯度并氧化该氧化物半导体层的热处理(用于脱水或脱氢的热处理)。不仅减少氧化物半导体层中诸如湿气之类的杂质，还减少了栅绝缘层中已经存在的那些杂质，且减少了诸如在氧化物半导体层与被设置在与氧化物半导体层接触的上面和下面的膜之间界面中存在的湿气之类的杂质。
氧化物半导体层湿气半导体器件薄膜晶体管热处理沟道形成区半导体层氧气气氛栅绝缘层电特性脱氢脱水制造改进

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510004825.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽幸;坂仓真之;及川欣聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201510430056.5有效
发明人： 坂田淳一郎;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-05 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供一种具有电特性稳定的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置。在包括作为半导体层采用氧化物半导体层的反交错型薄膜晶体管的半导体装置中，在氧化物半导体层上具有缓冲层。缓冲层接触于半导体层的沟道形成区与源电极层及漏电极层。缓冲层在其膜中具有电阻分布。在缓冲层中，设置在半导体层的沟道形成区上的区域的导电率低于半导体层的沟道形成区的导电率，并且接触于源电极层及漏电极层的区域的导电率高于半导体层的沟道形成区的导电率。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201510349006.4有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510142874.5有效
发明人：山崎舜平;宫永昭治;高桥正弘;岸田英幸;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-06 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底之上的栅电极层；所述栅电极层之上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层之上的氧化物半导体层；源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层中的每一个与所述氧化物半导体层接触；所述源电极层和所述漏电极层之上的绝缘层，所述绝缘层包含氧和硅；以及所述氧化物半导体层和所述绝缘层之间的第一区域，其中，所述第一区域包含氧、硅和包含于所述氧化物半导体层中的至少一种金属元素。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件、显示装置和电子电器-CN201510551447.2有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;渡边了介;坂田淳一郎;秋元健吾;宫永昭治;广桥拓也;岸田英幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-16 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。
半导体器件显示装置电子电器

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201410581750.2有效
发明人：山崎舜平;平石铃之介;秋元健吾;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法，一目的在于，在含氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少该氧化物半导体层与电连接至该氧化物半导体层的源和漏电极层之间的接触电阻。源和漏电极层具有两个或更多层的层叠结构，其中与氧化物半导体层相接触的层使用其功函数低于氧化物半导体层的功函数的金属或含有这样的金属的合金而被形成。可使用选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、或W的元素、或含有这些元素中的任意作为组分的合金、含有这些元素中的任意的组合的合金、等形成在源和漏电极层中除了与氧化物半导体层相接触的层之外的层。
制造半导体器件方法

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