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[发明专利]半导体装置-CN201380028160.0有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;岛行德;德永肇 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。
半导体装置

[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板-CN201610008575.7有效
发明人：舒适;冯京;徐传祥;何晓龙;王久石 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板，该制作方法包括：在衬底基板上形成栅金属层和栅极绝缘层的图形；形成半导体层的图形，半导体层的图形包括有源层区域和像素电极区域的图形，半导体层包括重叠设置的绝缘性氧化物层和半导体性氧化物层，绝缘性氧化物层位于栅极绝缘层和半导体性氧化物层之间；形成源漏金属层的图形；对像素电极区域的半导体性氧化物层进行等离子体处理，使得像素电极区域的半导体性氧化物层转化为导体。由于半导体性氧化物层与栅极绝缘层之间设置绝缘性氧化物层，绝缘性氧化物层与半导体性氧化物层晶格结构匹配度好，可改善界面缺陷。同时，通过一次构图工艺同时形成有源层和像素电极，可降低阵列基板的成产成本。
一种阵列制作方法显示面板

[发明专利]数字线性调节器与功率金属氧化物半导体数组-CN201811288040.5在审
发明人：张凯璇;蔡建泓 -专利权人：财团法人成大研究发展基金会;奇景光电股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明是关于一种适用于数字线性调节器的功率金属氧化物半导体数组，包含多个金属氧化物半导体电路，每一个金属氧化物半导体电路包含第一金属氧化物半导体晶体管与第二金属氧化物半导体晶体管，其电性串联于电源与数字线性调节器的输出节点之间第一金属氧化物半导体晶体管作为电流源，受控于输出节点的输出电压。
数字线性调节器功率金属氧化物半导体数组

[发明专利]二次电池-CN201780047913.0有效
发明人：工藤拓夫;出羽晴匡;高野光;斋藤友和;殿川孝司 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L49/00 文献下载
摘要：本发明的二次电池设置有：第一电极(11)；第二电极(17)；充电层(14)，布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物；n型氧化物半导体层(13)，布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料；p型氧化物半导体层(16)，布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料；混合物层(15)，布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物；和导电层(12)，布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
二次电池

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202310450438.9在审
发明人：薛兴坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底；氧化物半导体层，位于基底的部分表面上，氧化物半导体层中具有用于钉扎氧空位的掺杂离子；掺杂层，至少位于氧化物半导体层与基底之间，且掺杂层中具有掺杂离子；栅极，位于氧化物半导体层远离基底的部分表面上；源漏掺杂区，位于栅极两侧的氧化物半导体层内。至少可以提高半导体结构中的载流子迁移率。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种贵金属修饰复合型气体传感器-CN202210463275.3在审
发明人：刘黎明;惠裕充;贾强生;易子川;张小文;曾丽雅 -专利权人：电子科技大学中山学院;桂林电子科技大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。
一种贵金属修饰复合型气体传感器

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201510221344.X有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201510329843.0有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN200910206584.7有效
发明人：须泽英臣;笹川慎也;村冈大河 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201110044658.9有效
发明人：须泽英臣;笹川慎也;村冈大河 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-10-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201210283668.2有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体基板-CN202010013803.6有效
发明人：林威廷;王鼎;郑君丞 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体基板，包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。
半导体

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811108754.3有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管-CN201610963227.5有效
发明人：李风浪;李舒歆 -专利权人：杭州易正科技有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉公开了一种氧化物薄膜晶体管的制作方法及氧化物薄膜晶体管，其于形成过程中依次形成第一半氧化物半导体层、第二半氧化物半导体层以及第三半氧化物半导体层，第三半氧化物半导体层中形成第一通孔，在第三氧化物半导体层上以及第一通孔内的刻蚀阻挡层，两个贯穿孔贯穿刻蚀阻挡层、第三氧化物半导体层以及第二氧化物半导体层的位于第一通孔两侧，源极和漏极形成在刻蚀阻挡层上，通过两个贯穿孔与第一氧化物半导体层相连。
一种氧化物薄膜晶体管制作方法

[发明专利]半导体器件-CN201610085692.3有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
氧化物半导体膜半导体器件第一区域绝缘膜栅电极导通态电流电连接晶体管漏电极源电极

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