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[发明专利]半导体器件-CN201610085679.8有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明题为“半导体器件”。包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5 nm的厚度)具有低于或等于1.0 at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
半导体器件

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201310524437.0无效
发明人：林亮宇;郑君丞 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、源极以及漏极、金属氧化物半导体层、第一金属氧化物导电层以及第二金属氧化物导电层。栅极绝缘层覆盖栅极。源极以及漏极位于栅极绝缘层上。金属氧化物半导体层覆盖源极、漏极以与栅极上方的栅极绝缘层，以作为通道层。第一金属氧化物导电层位于源极与金属氧化物半导体层之间，以使源极与金属氧化物半导体层隔离开来。第二金属氧化物导电层位于漏极与金属氧化物半导体层之间，以使漏极与金属氧化物半导体层隔离开来。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]OLED背板的制作方法-CN201711004263.X有效
发明人：刘方梅 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该方法通过依次沉积第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、及第三氧化物半导体层，得到薄膜晶体管的有源层，通过使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比大于第二氧化物半导体层沉积时通入的氩气和氧气的流量比，使得第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层的氧含量大于第二氧化物半导体层的氧含量，从而提升薄膜晶体管器件的有源层的导电性，减少界面缺陷，提升薄膜晶体管器件的稳定性。
oled 背板制作方法

[发明专利]输出级结构-CN200410092714.6有效
发明人：李朝政;林永豪;王文祺;蔡瑞原 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2004-11-11 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种输出级结构，其包含第一、第二p型金属氧化物半导体晶体管以及第一、第二n型金属氧化物半导体晶体管，其中，该些金属氧化物半导体晶体管是以双阱工艺制作。第一p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接电压源，栅极连接第一电压；第二p型金属氧化物半导体晶体管的源极连接第一p型金属氧化物半导体晶体管的漏极，栅极连接第二电压，漏极连接输出垫；第一n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接输出垫，栅极连接第三电压；第二n型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接第一n型金属氧化物半导体晶体管的源极，栅极连接第四电压，源极连接一接地点。
输出结构

[发明专利]薄膜晶体管和显示装置-CN201380023934.0有效
发明人：森田晋也;三木绫;田尾博昭;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管，其开关特性和应力耐受性良好，特别是应力施加前后的阈值电压变化量小，稳定性优异。本发明的薄膜晶体管，在基板上至少具有栅电极；栅极绝缘膜；氧化物半导体层；源‑漏电极；以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜，其中，氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体，第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上，并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]半导体装置、模块及电子设备-CN201580029026.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供电特性良好的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物半导体；第二氧化物半导体；第一导电体；以及第二导电体，其中，第一氧化物半导体位于第一绝缘体上，第二氧化物半导体位于第一氧化物半导体上，第一导电体包括与第二氧化物半导体的顶面接触的区域，第二绝缘体包括与第二氧化物半导体的顶面接触的区域，第二导电体隔着第二绝缘体位于第二氧化物半导体上，第二氧化物半导体包括第一层及第二层，第一层包括与第一氧化物半导体接触的区域，第二层包括与第二绝缘体接触的区域
半导体装置模块电子设备

[发明专利]半导体装置-CN201180017087.8有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的一个目的是使包括氧化物半导体的半导体装置具有稳定的电特性以增加其可靠性。该半导体装置包括：绝缘膜；在绝缘膜上与该绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；其一部分与第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；其一部分与氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；在第二金属氧化物膜上与该第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201010194245.4有效
发明人：佐佐木俊成;大原宏树;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201510086663.4有效
发明人：佐佐木俊成;大原宏树;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201510110254.3有效
发明人：许家福 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包含一基底，一金属氧化物半导体晶体管设于基底上，以及一氧化物半导体晶体管邻近该金属氧化物半导体晶体管。其中金属氧化物半导体晶体管包含一第一栅极结构以及一源极/漏极区域设于第一栅极结构两侧，氧化物半导体晶体管则包含一通道层，且该通道层的上表面低于金属氧化物半导体晶体管的第一栅极结构的上表面。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510510608.3在审
发明人：秋元健吾;佐佐木俊成;桑原秀明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210846269.6在审
发明人：金台原;金亨俊;卓容奭;金俞琳;李公洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：导线，其在基板上在第一方向上延伸；第一氧化物半导体层，其在导线上包括包含第一金属元素的第一结晶氧化物半导体材料；第二氧化物半导体层，其在导线上与第一氧化物半导体层物理接触并连接到导线；栅电极，其在第二氧化物半导体层的侧部在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及电容器结构，其在第二氧化物半导体层和栅电极上连接到第二氧化物半导体层，其中，第二氧化物半导体层包括包含第一金属元素以及不同于第一金属元素的第二金属元素和第三金属元素的第二结晶氧化物半导体材料
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910246370.2有效
发明人：秋元健吾;佐佐木俊成;桑原秀明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中，在将氧化物半导体用作激活层的薄膜晶体管中，防止用作激活层的氧化物半导体区的组成、膜质或界面等的变化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。在将第一氧化物半导体区用作激活层的薄膜晶体管中，在第一氧化物半导体区和薄膜晶体管的保护绝缘层之间形成其电导率低于第一氧化物半导体的电导率的第二氧化物半导体区，该第二氧化物半导体区用作第一氧化物半导体区的保护层，而可以防止第一氧化物半导体区的组成的变化和膜质的劣化，且使薄膜晶体管的电特性稳定。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN202210159201.0在审
发明人：钟德镇;邹忠飞;房耸;井晓静 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法，阵列基板包括：基底；形成在基底上的栅极和扫描线，栅极与扫描线导电连接；覆盖栅极与扫描线的栅极绝缘层；形成在栅极绝缘层上的第一氧化物半导体层；形成在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层覆盖在第一氧化物半导体层上，部分第一氧化物半导体层从第二氧化物半导体层的两侧分别露出；形成在第一氧化物半导体层上的源极与漏极，源极与漏极分别与从第二氧化物半导体层两侧露出的第一氧化物半导体层直接接触连接
阵列及其制作方法

[发明专利]互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构-CN201010235500.5有效
发明人：高明辉;彭树根;肖军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘体上硅互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括：布置在底部绝缘体上的第一导电类型的第一金属氧化物半导体场效应晶体管和第二导电类型的第二金属氧化物半导体场效应晶体管；其中，第一金属氧化物半导体场效应晶体管与第二金属氧化物半导体场效应晶体管共用栅极区域，并且围绕所述栅极区域依次布置有第一金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第二金属氧化物半导体场效应晶体管的源极区域、第一金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域、以及第二金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极区域本发明所提供的互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构减小了器件结构，并改进了器件性能。
互补金属氧化物半导体场效应晶体管结构

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