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[发明专利]氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法-CN201110163468.9有效
发明人：钉宫敏洋;安野聪;森田晋也;前田刚彰;三木绫 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物半导体薄膜的评价方法及氧化物半导体薄膜的质量管理方法，其为不带电极而是通过非接触型来评价、测定氧化物半导体薄膜的电特性的方法。对形成有氧化物半导体薄膜的试样照射激励光及微波，在测定因上述激励光的照射而发生变化的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止上述激励光的照射，并测定上述激励光的照射停止后的上述微波的来自上述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化，根据上述测定的值算出寿命值，由此判定上述氧化物半导体薄膜的迁移率。
氧化物半导体薄膜评价方法质量管理

[发明专利]一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法-CN200810240149.1无效
发明人：陶霞;郑言贞;许辉;王立新;陈建峰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种半导体氧化物微纳复合结构薄膜的制备方法属于无机非金属材料技术和能源材料制备技术领域。采用一步法制备半导体氧化物微纳复合结构薄膜可控性和重复性差。本发明采用滴敷法或涂敷法依次在导电玻璃上制备半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜，得到厚度为3-25μm的半导体氧化物微纳复合结构薄膜，其中，半导体氧化物纳米晶薄膜和微米/亚微米半导体氧化物薄膜的厚度比为
一种半导体氧化物复合结构薄膜制备方法

[发明专利]有源矩阵基板-CN201780016987.8在审
发明人：菊池哲郎;大东彻;今井元;伊藤俊克;越智久雄;北川英树;铃木正彦;上田辉幸;郡司辽佑;原健吾;西宫节治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：有源矩阵基板具备：基板(1)；周边电路，其包含第1氧化物半导体TFT(101)；多个第2氧化物半导体TFT(102)，其配置在显示区域内；以及第1无机绝缘层(11)，其覆盖多个第2氧化物半导体TFT(102)，第1氧化物半导体TFT(101)具有：下部栅极电极(3A)；栅极绝缘层(4)；氧化物半导体层(5A)，其配置为隔着栅极绝缘层与下部栅极电极相对；源极电极(7A)和漏极电极(8A)；以及上部栅极电极(BG)，其隔着包含第1无机绝缘层(11)的绝缘层配置在氧化物半导体层(5A)之上，在上部栅极电极(BG)之上，还具有覆盖第1氧化物半导体TFT(101)的第2无机绝缘层(17)。
氧化物半导体栅极电极无机绝缘层氧化物半导体层源矩阵基板栅极绝缘层绝缘层配置漏极电极显示区域源极电极周边电路覆盖基板配置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201180043987.X有效
发明人：山崎舜平;野中裕介;井上卓之;津吹将志;秋元健吾;宫永昭治 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一目的在于制造包括氧化物半导体膜的半导体装置，其具有稳定电气特性及高可靠性。以如下方法形成结晶氧化物半导体膜而不用进行多个步骤：通过利用包括在氧化物半导体靶材中的多种原子的原子量的差异，在氧化物绝缘膜上优先淀积具有低原子量的锌以形成包含锌的种晶；并且在进行晶体生长的同时淀积具有高原子量的锡此外，通过使用包含锌的具有六角形晶体结构的种晶作为核来进行晶体生长以形成结晶氧化物半导体膜，从而形成单晶氧化物半导体膜或实质上单晶氧化物半导体膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]晶体管、晶体管的制造方法、及使用该晶体管的显示装置-CN201910900911.2在审
发明人：田中荣 -专利权人：三国电子有限会社
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的晶体管具有：氧化物半导体层，其配置在衬底上，且包含靠近衬底的第1区域、及配置在所述第1区域的和所述衬底侧相反的面上且载流子浓度低于所述第1区域的第2区域；第1栅极电极，其具有和所述氧化物半导体层重叠的区域，且配置在所述氧化物半导体层的和所述衬底侧相反的面上；第1绝缘层，其位于所述第1栅极电极和所述氧化物半导体层之间；以及第1氧化物导电层及第2氧化物导电层，它们配置在所述氧化物半导体层和所述衬底之间，且包含和所述氧化物半导体层相接的区域
晶体管制造方法使用显示装置

[发明专利]一种退火后的氧化物半导体薄膜和改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法-CN202011607453.2在审
发明人：张振中;乔宝石;申德振;刘可为;陈星;李炳辉;谢修华 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种退火后的氧化物半导体薄膜，所述退火后的氧化物半导体薄膜具有表面平整的微观形貌；所述退火后的氧化物半导体薄膜不具有裂纹。本发明提供的能够改善氧化物半导体薄膜结晶质量的两步退火法，使得本发明退火后的氧化物半导体薄膜具有特定的微观形貌，表面平整且不会产生裂纹。本发明得到的退火后的氧化物半导体薄膜产生的晶界少、缺陷少，薄膜内部晶界密度低，载流子迁移率高；同时氧化物薄膜表面形貌不发生变化，可重复性好；而且氧化物组分变化不明显，结晶质量能够得到有效提高。
一种退火氧化物半导体薄膜改善结晶质量两步退火法

[发明专利]显示面板-CN202210076653.2在审
发明人：周世新 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板，其包括基板、氧化物半导体层、含氧层以及氧气吸收层。氧化物半导体层和含氧层层叠设置于基板上。氧气吸收层设置于氧化物半导体层与含氧层之间。氧气吸收层包括稠环芳烃及其衍生物，稠环芳烃及其衍生物用于与氧气反应，生成内过氧化物。本申请通过在氧化物半导体层与含氧层之间设置用于与氧气反应，生成内过氧化物的氧气吸收层，氧气吸收层通过吸收在含氧层释放出的低浓度氧，能够防止低浓度氧进入氧化物半导体层中，保证氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压稳定性
显示面板

[发明专利]氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法-CN201510828832.7有效
发明人：金敏澈;张允琼;朴权植;李昭珩;郑昊暎;柳夏珍;梁晸硕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：氧化物半导体层的结晶方法、半导体器件及其制造方法。所公开的氧化物半导体结晶方法可包括以下步骤：在将基板加热至200℃至300℃的温度的同时，在所述基板上沉积In‑Ga‑Zn氧化物；以及对所沉积的In‑Ga‑Zn氧化物进行热处理，从而形成贯穿其整个厚度结晶的氧化物半导体层
氧化物半导体结晶方法半导体器件及其制造

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置-CN201711396345.3有效
发明人：朴在润;朴世熙;具亨埈;智光焕;尹弼相 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板和显示装置，其中通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在包含金属的金属绝缘层上设置结晶氧化物半导体。该氧化物TFT包括：包含金属的金属绝缘层；与所述金属绝缘层相邻的结晶氧化物半导体；包含金属的栅极；位于所述结晶氧化物半导体与所述栅极之间的栅极绝缘层；位于所述结晶氧化物半导体的一端中的第一导体；和位于所述结晶氧化物半导体的另一端中的第二导体
氧化物薄膜晶体管及其制造方法以及显示面板显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510004825.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽幸;坂仓真之;及川欣聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201210138067.2有效
发明人：肥塚纯一;山出直人;吉冈杏子;佐藤裕平;寺岛真理 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供对使用氧化物半导体的半导体装置赋予稳定的电特性并且可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其包括：具有包含超过化学计量组成比的氧的区域的非晶氧化物半导体层，以及设置在该非晶氧化物半导体层上的氧化铝膜。该非晶氧化物半导体层通过如下步骤形成：对进行了脱水或脱氢处理的结晶或非晶氧化物半导体层进行氧注入处理，然后在设置有氧化铝膜的状态下进行450℃以下的热处理。
半导体装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示面板-CN202210297429.6在审
发明人：赵军;赵斌;肖军城;李珊;吴伟 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法及显示面板，方法包括：于基板上形成多个分散的金属氧化物晶粒；形成与多个金属氧化物晶粒接触的非晶态的金属氧化物半导体层，金属氧化物晶粒中的至少一种金属元素与金属氧化物半导体层中的金属元素相同；对非晶态的金属氧化物半导体层进行退火处理，得到结晶化金属氧化物半导体层。
薄膜晶体管阵列制造方法显示面板

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201080043261.1有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法和显示设备-CN202011403211.1在审
发明人：袁宾;冯兵明;顾维杰;张振宇 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法和显示设备，氧化物薄膜晶体管，包括设置于基板上的栅电极，栅电极上的绝缘层，绝缘层上的氧化物半导体层；以及氧化物半导体层上的源电极和漏电极；氧化薄膜晶体管中的氧化物半导体层在厚度方向上的氧空位浓度呈梯度变化，靠近绝缘层的氧化物半导体层的部分其氧空位浓度大于远离绝缘层的氧化物半导体层的部分的氧空位浓度，由此在靠近栅极一侧的部分氧化物半导体层载流子浓度高，提高了薄膜晶体管的电子迁移率，并且远离栅极一侧的部分氧化物半导体层由于氧空位浓度低而不容易受到水氧以及负偏压光照影响，提高了氧化物薄膜晶体管的稳定性。
氧化物薄膜晶体管及其制造方法显示设备

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法-CN201911166613.1在审
发明人：董波;简锦诚;王海宏;郑帅;文超平 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上且位于栅极上方的金属氧化物半导体层，还包括覆盖在金属氧化物半导体层上的第一绝缘层、与金属氧化物半导体层同层且分别位于金属氧化物半导体层两端接触的第一氧化物导体和第二氧化物导体、位于第一氧化物导体上的源极、位于第二氧化物导体上的漏极以及第二绝缘层，其中第二绝缘层覆盖第一绝缘层、源极、漏极和栅极绝缘膜。本发明第一氧化物导体和第二氧化物导体为金属氧化物半导体未覆盖第一绝缘层导体化形成，第一绝缘层决定沟道的尺寸L1，这样实现了薄膜晶体管的小型化，避免第二绝缘层形成前氧化物半导体材料处理造成第二金属层的氧化
一种薄膜晶体管及其制造方法