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[发明专利]半导体装置-CN201180005276.3有效
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201811483289.1在审
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触
氧化物半导体层半导体装置漏电极源电极绝缘层栅电极氧化物半导体微型化栅极绝缘层方式设置侧表面上表面

[发明专利]半导体装置-CN201510993428.5有效
发明人：乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-01-13 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及包括半导体装置的显示装置-CN202010813126.6在审
发明人：肥塚纯一;冈崎健一;黑崎大辅;岛行德;保坂泰靖 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括栅电极、栅电极上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜电连接的源电极、与氧化物半导体膜电连接的漏电极，氧化物半导体膜包括栅电极一侧的第一氧化物半导体膜以及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜包括其In的原子个数比大于M（M表示Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf）的原子个数比的第一区域，第二氧化物半导体膜包括其In的原子个数比小于第一氧化物半导体膜的第二区域
半导体装置及其制造方法以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置-CN201680029379.6有效
发明人：肥塚纯一;神长正美;岛行德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提高包括氧化物半导体的晶体管的可靠性。半导体装置中的晶体管包括第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜、栅极绝缘膜上的第二氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜上的第二绝缘膜，第一氧化物半导体膜具有与第二氧化物半导体膜重叠的沟道区域、与第二绝缘膜接触的源区域及漏区域，沟道区域包括第一层以及与第一层的顶面接触并覆盖第一层在沟道宽度方向上的侧面的第二层，第二氧化物半导体膜的载流子密度比第一氧化物半导体膜高。
半导体装置以及包括显示装置

[发明专利]氧化物半导体装置及其制造方法-CN201980048435.4在审
发明人：汤田洋平;绵引达郎;宫岛晋介;滝口雄贵 -专利权人：三菱电机株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2019-08-08 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：目的在于提供可抑制氧化物半导体装置的特性劣化的技术。氧化物半导体装置具备：n型氧化镓外延层、p型氧化物半导体层和氧化物层。p型氧化物半导体层在n型氧化镓外延层的上方配设，具有与镓不同的元素作为主成分，具有p型的导电性。氧化物层在n型氧化镓外延层与p型氧化物半导体层之间配设，氧化物层的材料为与氧化镓不同的材料并且为与p型氧化物半导体层的材料至少一部分不同的材料。
氧化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110257442.0有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体的半导体装置的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题，一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶，以形成第一结晶氧化物半导体层。在其上形成厚度比所述第一结晶氧化物半导体层大的第二结晶氧化物半导体层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610251709.8有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括氧化物半导体的半导体装置的电特性因被可见光或紫外光辐照而改变。鉴于上述问题，一个目标在于提供包括氧化物半导体薄膜的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。在氧化物绝缘层上形成厚度大于或等于1nm且小于或等于10nm的第一氧化物半导体层且通过热处理使其结晶，以形成第一结晶氧化物半导体层。在其上形成厚度比所述第一结晶氧化物半导体层大的第二结晶氧化物半导体层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及包括薄膜晶体管的显示装置-CN201911205364.2在审
发明人：朴世熙;徐廷锡;尹弼相;全济勇;朴在润;丁燦墉 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管包括：基础基板；在基础基板上的半导体层，该半导体层包括第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，第二氧化物半导体层的霍尔迁移率小于第一氧化物半导体层的霍尔迁移率；及栅极，与半导体层间隔开并与半导体层部分地交叠，其中，第二氧化物半导体层中的镓(Ga)的浓度高于第一氧化物半导体层中的镓(Ga)的浓度。
薄膜晶体管及其制造方法以及包括显示装置

[发明专利]N型差分式电场微传感器-CN200510040660.3无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由n沟道电场传感器、n沟道耗尽型金属氧化物半导体管、P型金属氧化物半导体管电流镜及N型金属氧化物半导体管组成，P型金属氧化物半导体管电流镜由2个P型金属氧化物半导体管组成，2个P型金属氧化物半导体管的源极相连接并与电源相连接，其栅极互连并与一个P型金属氧化物半导体管的漏极连接且与n沟道电场传感器的漏极连接，另一P型金属氧化物半导体管的漏极与n沟道耗尽型MOS管的漏极连接且该节点作为输出端，n沟道电场传感器的源极与n沟道耗尽型MOS管的源极连接并与N型金属氧化物半导体管的漏极连接，N型金属氧化物半导体管的源极接地，N型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

[发明专利]层叠体的品质评价方法、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法-CN201580035431.4有效
发明人：川上信之;林和志;钉宫敏洋;越智元隆 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。
氧化物半导体薄膜上述表面具有保护膜层叠品质评价方法以及管理

[发明专利]具有半导体氧化物晶体管的显示器电路-CN202180082102.0在审
发明人：黄戎岩;小野晋也;林敬伟;A·马祖泰拉;胡晟民;张志榜;庄景桑;周智薰;张钧杰;叶博纯;张世昌;刘豫文;李志瑙 -专利权人：苹果公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该阵列中的每个像素包括耦接到相关联半导体氧化物晶体管的有机发光二极管。这些半导体氧化物晶体管可表现出不同的设备特性。这些半导体氧化物晶体管中的一些半导体氧化物晶体管可使用利用第一加工步骤由第一半导体氧化物材料形成的第一氧化物层形成，而其他半导体氧化物晶体管使用利用与该第一加工步骤不同的第二加工步骤由第二半导体氧化物材料形成的第二氧化物层形成该显示器可包括在不同加工步骤期间形成的三个或更多个不同的半导体氧化物层。
具有半导体氧化物晶体管显示器电路

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201410513015.8有效
发明人：朴清勋;梁昇龙 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种公开的显示装置包括第一氧化物半导体层和氧化物半导体连接线，这二者均由基板上的氧化物半导体材料层形成。所述氧化物半导体连接线一体地连接至所述第一氧化物半导体层并且具有比所述第一氧化物半导体层低的薄层电阻。所述显示装置还包括所述第一氧化物半导体层上或者所述第一氧化物半导体层与所述基板之间的第一栅极。所述显示装置还包括所述第一氧化物半导体层与所述第一栅极之间的第一栅绝缘层。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201110234368.0有效
发明人：野田耕生;佐佐木俊成 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201710158461.5有效
发明人：野田耕生;佐佐木俊成 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的晶体管。在衬底之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢解除吸附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧解除吸附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成栅极绝缘膜，以及在栅极绝缘膜之上形成栅电极。
半导体装置制造方法