[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010135175.5 | 申请日： | 2010-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101826559A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郷户宏充;秋元健吾;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/34;H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉;胡烨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，减少阈值电压的偏差，使电特性稳定。本发明的课题还在于减少断态电流。通过在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上层叠包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层，以氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层接触的方式形成薄膜晶体管，可以减少薄膜晶体管的阈值电压的偏差，使电特性稳定，还可以减少断态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层、所述栅电极层上的栅极绝缘层、所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、所述氧化物半导体层上的包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层、以及所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层，其中，所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层具有非晶结构，且所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层与所述源电极层及所述漏电极层电连接。
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- 2015-10-22 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 一种薄膜晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、由本征非晶硅材料制成的半导体层、源极以及漏极。该栅极绝缘层设于该栅极与该半导体层之间使二者彼此绝缘。其中，该半导体层包括第一层及第二层，该第二层覆盖该第一层。该第二层包括非掺杂区域及位于该非掺杂区域两侧的掺杂区域。该源极与该漏极均与该掺杂区域接触，该非掺杂区域及至少部分该掺杂区域显露于该源极与该漏极之间。
- 一种薄膜晶体管及制备方法、显示装置-201610729830.7
- 高山;刘庭良;王杨;郭威 - 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
- 2016-08-25 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 本申请提供了一种薄膜晶体管及制备方法、显示装置，用以提高薄膜晶体管中沟道区域的载流子迁移率，本申请提供的一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，还包括设置在所述有源层上方或下方的热源。
- 薄膜晶体管及其制作方法-201410843335.X
- 齐之刚 - 昆山国显光电有限公司
- 2014-12-30 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法，所述薄膜晶体管的制作方法包括：提供一基板，在其上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一栅电极层及第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一半导体层、源漏极及第二半导体层，其中，所述第二半导体层与所述第一半导体层相叠加，且两者的掺杂类型相反；在上述结构表面形成第二绝缘层以及第二栅电极层；第一栅电极层工作电压为高电位，第二栅电极层为低电位，可以在较低的栅电压下，获得较大的工作电流，同时第一栅电极层与第二栅电极层之间的高低电位可形成电场，增大有效载流子的浓度，从而提高薄膜晶体管的电学性能，并且栅极工作电流的降低，减少了栅绝缘层击穿的可能性。
- 薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板-201710752796.X
- 卜呈浩 - 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
- 2017-08-28 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板。该薄膜晶体管在源极(4)与漏极(6)之间设置间隔层(5)，在所述间隔层(5)与漏极(6)一侧设置接触部分漏极(6)上表面、漏极(6)与有机物间隔层(5)的侧面、及部分源极(4)上表面的氧化物半导体沟道层(7)作垂直沟道，沟道长度即间隔层(5)的厚度，可通过改变间隔层的厚度将垂直沟道的长度降到亚微米量级，能够大幅减小薄膜晶体管的尺寸，减小像素面积；垂直沟道不会发生短沟道效应，有助于提高薄膜晶体管的电性；采用多层的六方氮化硼薄膜作水氧阻隔层(2)，采用双层石墨烯薄膜作源极(4)与漏极(6)，能够显著提高薄膜晶体管的耐弯折性。
- 用于晶体管的栅极-201780087753.2
- V·H·勒;A·A·夏尔马;R·皮拉里塞泰;G·W·杜威;S·希瓦拉曼;T·A·特罗尼克;S·加德纳;T·加尼 - 英特尔公司
- 2017-03-31 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 公开了用于一种设备的衬底、组件和技术，其中所述设备包括：栅极，其中，栅极包括第一栅极侧和与所述第一栅极侧相对的第二栅极侧；栅极上的栅极电介质，其中栅极电介质包括第一栅极电介质侧和与第一栅极电介质侧相对的第二栅极电介质侧；第一电介质，其中第一电介质邻接第一栅极侧、第一栅极电介质侧、第二栅极侧和第二栅极电介质侧；沟道，其中栅极电介质在沟道和栅极之间；与沟道耦合的源极；以及与沟道耦合的漏极，其中第一电介质邻接源极和漏极。在示例中，第一电介质和栅极电介质有助于使栅极与沟道、源极和漏极绝缘。
- 半导体装置及半导体装置的制造方法-201880016313.2
- 山崎舜平;村川努;木村肇 - 株式会社半导体能源研究所
- 2018-02-23 - 2019-10-25 - H01L29/786
- 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的第一绝缘体；第一绝缘体上的氧化物；氧化物上的第二绝缘体；第二绝缘体上的导电体；与第二绝缘体的侧面及导电体的侧面接触的第三绝缘体；至少与氧化物的顶面接触且与第三绝缘体的侧面及导电体的顶面接触的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；以及第六绝缘体上的第七绝缘体，其中，第六绝缘体包含氧，并且，第六绝缘体和第一绝缘体具有彼此接触的区域。
- 半导体装置的制造方法-201610450848.3
- 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
- 2011-04-05 - 2019-10-22 - H01L29/786
- 本发明涉及半导体装置的制造方法。在具有氧化物半导体膜的底栅结构晶体管的制造工序中，进行由热处理的脱水化或脱氢化处理以及氧掺杂处理。具有经过由热处理的脱水化或脱氢化处理的氧化物半导体膜且受到氧掺杂处理的晶体管可以减小晶体管在偏压－热应力试验(BT试验)的前后的阈值电压的变化量，从而可以实现具有稳定电特性的可靠性高的晶体管。
- 专利分类
