专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异质电池制备方法-CN202010293089.0在审
  • 不公告发明人 - 苏州联诺太阳能科技有限公司
  • 2020-04-15 - 2020-06-16 - H01L31/20
  • 本发明公开了一种异质电池制备方法,异质电池包括分别设置于所述异质电池正面和/或背面的导电薄膜层,所述制备方法包括在所述异质电池正面和/或背面的设定区域内通过喷墨工艺方法去除所述设定区域内的导电薄膜层该异质电池制备方法通过在激光切割位置或异质电池的边缘位置通过喷墨工艺方法去除该激光切割位置和边缘位置的导电薄膜层,可避免在激光切割过程中导电薄膜层掺杂到异质电池内部,降低异质电池的钝化性能,并影响异质电池的效率;同时通过该喷墨工艺方法可达到对异质电池边绝缘的目的,可降低边绝缘区域0.25~0.5mm,达到提升异质电池效率的目的。
  • 一种异质结电池制备方法
  • [发明专利]一种异质电池的处理方法-CN202210250868.1在审
  • 程尚之;周肃;龚道仁;符欣 - 安徽华晟新能源科技有限公司
  • 2022-03-11 - 2022-06-10 - H01L31/18
  • 本发明提供一种异质电池的处理方法。所述的异质电池的处理方法包括:提供异质电池,所述异质电池包括单晶半导体层和非晶半导体层;将所述异质电池置于暗态环境中,在暗态环境中对所述异质电池进行静置处理,直至所述异质电池的效率稳定至第一效率;进行所述静置处理之后,对所述异质电池进行光照处理,使所述异质电池的效率上升至第二效率,所述第二效率大于所述第一效率。所述异质电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复,避免了异质电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
  • 一种异质结电池处理方法
  • [发明专利]可擦写存储器及其制造方法-CN202111525709.X在审
  • 朱宝;尹睿;张卫 - 上海集成电路制造创新中心有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-03-22 - H01L27/11568
  • 本发明提供了一种可擦写存储器,包括衬底、阻挡层、第一异质、第二异质、隧穿层、沟道层、源极和漏极,所述阻挡层设置于所述衬底的顶面;第一异质和第二异质具有单向导通电荷特性,第一异质和第二异质分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作;隧穿层包括水平部和竖直部,竖直部用于隔断第一异质和第二异质,以避免第一异质和第二异质的横向电荷导通;沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道,使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称,提高了数据擦除和数据写入速度,降低了动态功耗。
  • 擦写存储器及其制造方法
  • [发明专利]一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法-CN202210603401.0在审
  • 郭炜;戴贻钧;叶继春 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2022-05-31 - 2022-07-01 - H01L21/335
  • 本申请公开了一种具有鳍式结构的半导体器件及其制备方法,涉及半导体领域,该方法包括获得形成有图形化极性调节层的衬底;通过调节Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比生长鳍式异质,鳍式异质包括在衬底未被图形化极性调节层覆盖的区域的氮极性异质,以及位于图形化极性调节层上的金属极性异质,氮极性异质和金属极性异质的高度不同;制备电极,得到具有鳍式结构的半导体器件。图形化极性调节层可以控制金属极性异质和氮极性异质的分布,在不同Ⅴ族源与Ⅲ族源的输入比下,金属极性异质和氮极性异质生长高度不同,可直接生长出鳍式异质,无需刻蚀,既可避免刻蚀带来的损伤,还避免刻蚀损伤造成的沟道漏电通道
  • 一种具有结构半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN202011461968.6有效
  • 李马惠;师宇晨;张海超;穆瑶 - 陕西源杰半导体科技股份有限公司
  • 2020-12-14 - 2021-08-13 - H01L29/06
  • 所述半导体器件制备方法包括如下步骤:提供衬底,并在所述衬底的表面生长第一包覆层;在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质层;在所述第一限制异质层远离所述第一包覆层的表面生长有源层;在所述有源层远离所述第一限制异质层的表面生长第二限制异质层;其中,沿所述第一包覆层至所述第二限制异质层方向上,所述第一限制异质层的禁带宽度逐渐变小,所述第二限制异质层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质层与第二限制异质层之间形成了禁带宽度梯度差,可以加快载流子在异质中移动,从而降低了载流子在异质中的渡越时间,提高了载流子注入效率。
  • 半导体器件制备方法
  • [实用新型]一种叠瓦组件和异质太阳能电池片-CN202221643051.2有效
  • 林宏达 - 成都中浦科技有限公司
  • 2022-06-28 - 2022-10-21 - H01L31/05
  • 本实用新型公开了一种叠瓦组件和异质太阳能电池片,包括叠瓦机构和防溢出组件,叠瓦机构包括至少一个第一异质太阳能电池片和一个第二异质太阳能电池片,其中,第一异质太阳能电池片的下端右侧与第二异质太阳能电池片上端左侧相贴合,第一异质太阳能电池片的下端右侧设置有正电极,第二异质太阳能电池片的上端左侧设置有背电极,防溢出组件包括开设在第一异质太阳能电池片下端右侧的第一开槽。该种叠瓦组件和异质太阳能电池片,通过开设在第二异质太阳能电池片上的第二开槽对导电胶进行放置,通过垂直固定在第二异质太阳能电池片上的凸块对导电胶进行阻挡,从而避免过多的导电胶溢出到异质太阳能电池片上
  • 一种组件异质结太阳能电池
  • [发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质双极晶体管探测器-CN201811094111.8有效
  • 孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 - 天津大学
  • 2018-09-19 - 2020-12-29 - G01D5/40
  • 一种基于天线直接匹配的锗硅异质双极晶体管探测器,有第一锗硅异质双极晶体管和第二锗硅异质双极晶体管,第一锗硅异质双极晶体管和第二锗硅异质双极晶体管的基极分别连接天线,第一锗硅异质双极晶体管和第二锗硅异质双极晶体管的发射极均接地,第一锗硅异质双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端,第二锗硅异质双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端,第一锗硅异质双极晶体管的基极和第二锗硅异质双极晶体管的集电极之间连接第电容,第二锗硅异质双极晶体管的基极和第一锗硅异质双极晶体管的集电极之间连接第电容,天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。
  • 基于天线直接匹配锗硅异质结双极晶体管探测器
  • [发明专利]异质遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
  • 李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 - 华为技术有限公司
  • 2017-08-18 - 2021-05-18 - H01L29/78
  • 本申请实施例提供一种异质遂穿场效应晶体管及其制备方法,包括:第一绝缘层覆盖在衬底的上表面,第一异质材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端,源极设置在第一异质材料层的一端,第一异质材料层另一端周围设置有第二绝缘层,隔离层设置在异质层上,隔离层覆盖在源极的内侧;第二异质材料层覆盖在第一异质材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上,与第一异质材料层形成异质,漏极设置在第二异质层上与源极相对的另一端;栅介质层覆盖在第二异质材料层上位于源极和漏极之间的位置通过设置第二绝缘层进行隔离,显著减小边缘态导致的泄露电流,并利用二维材料形成异质,避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
  • 异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

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