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[发明专利]一种半导体氧化膜及其制备方法-CN201910249023.9有效
发明人：王超;杨帆;王立光;周路;迟耀丹;高晓红;赵春雷;初学峰;赵阳;艾大鹏;雷蕾;王冶;左欢欢 -专利权人：吉林建筑大学
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体氧化膜，所述氧化物半导体膜由纳米晶氧化物或非晶氧化物构成，其中所述氧化物半导体膜中以氧化物的形式含有铟、钨、锌和镓；并且，还含有氢；所述氧化物半导体膜中各金属元素相对于全部金属元素的合计本发明提供了一种半导体氧化膜，其具有优异的阈值电压和场效应迁移率。本发明还提供了一种半导体氧化膜的制备方法，其能够制备出具有良好场效应迁移率的半导体氧化膜。本发明还通过对制备工艺中热处理的温度控制，来提高制备出的半导体氧化膜的迁移率性能。
一种半导体氧化及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN201410110738.3有效
发明人：陈蔚宗;蔡娟娟;辛哲宏;蔡学宏;杨智翔 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种半导体结构，包括顶栅极、氧化物半导体通道层、第一介电层、第二介电层以及源极与漏极。氧化物半导体通道层配置于顶栅极与基板之间。第一介电层配置于顶栅极与氧化物半导体通道层之间。第二介电层配置于第一介电层与氧化物半导体通道层之间。源极与漏极配置于氧化物半导体通道层的相对两侧，且位于第一介电层与基板之间。氧化物半导体通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。部分第一介电层及部分第二介电层直接接触且完全覆盖氧化物半导体通道层的部分。
半导体结构

[发明专利]记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路-CN202210266412.4在审
发明人：喻鹏飞;张盟昇;张彤诚;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：一种记忆体阵列、位准移位电路以及偏压电路，记忆体阵列包含N堆叠通道栅、赋能线、N型金属氧化物半导体堆叠、字元线及电阻元件矩阵。每一N堆叠通道栅包含串联的第1级P型金属氧化物半导体核心装置及第N级P型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级P型金属氧化物半导体耦接至电压供应。每一赋能线驱动堆叠通道栅。每一N堆叠选择器包含N型金属氧化物半导体堆叠。每一N型金属氧化物半导体堆叠包含串联的第1级N型金属氧化物半导体核心装置及第N级N型金属氧化物半导体核心装置。每一第1级N型金属氧化物半导体核心装置耦接至接地轨。每一字元线驱动堆叠选择器。每一电阻元件耦接在堆叠通道栅与堆叠选择器之间。电压供应大于核心装置的崩溃电压。
记忆体阵列移位电路以及偏压

[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法-CN201911168601.2有效
发明人：何佳新 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在栅极绝缘层上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜；在非晶态金属氧化物半导体薄膜上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层；利用半色调光罩形成光阻层，所形成的光阻层包括源/漏极光阻图形区域和有源层光阻图形区域；同时蚀刻源漏极金属材料层和非晶态金属氧化物半导体薄膜以形成源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层；对结晶态金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层；对光阻层进一步图案化以去除有源层光阻图形区域的光阻材料；对源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层进行蚀刻以形成源极、漏极以及沟道。
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480012341.9有效
发明人：北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法-CN201010159694.5有效
发明人：浅野裕治;肥塚纯一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区及低电阻区的缓冲层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层接触而中间夹着缓冲层的低电阻区。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201410046438.3有效
发明人：山崎舜平;乡户宏充;须泽英臣;笹川慎也;仓田求;三上真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080062030.5有效
发明人：山崎舜平;乡户宏充;须泽英臣;笹川慎也;仓田求;三上真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种维持有利的特性并实现微细化的、包括氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；以及设置在所述氧化物半导体层和所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述源电极及所述漏电极各包括第一导电层和具有从所述第一导电层的端部向沟道长度方向延伸的区域的第二导电层
半导体装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710009742.4有效
发明人：内山博幸;藤崎寿美子;森塚翼 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。
半导体装置制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其形成方法-CN200710110249.8有效
发明人：张文;胡伯康;杰米薛佛;大卫·C.·吉摩尔;菲尔托宾 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。
金属氧化物半导体晶体管及其形成方法

[发明专利]提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法-CN200910047438.4有效
发明人：吴颜明;程仁豪;蒋立飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明中公开了一种提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，该方法包括：减小金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到阱边缘的距离和/或增大金属-氧化物半导体变容二极管中栅极到有源区域边缘的距离，以提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。通过使用上述的提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子的方法，可有效地提高金属-氧化物半导体变容二极管的品质因子。
提高金属氧化物半导体变容二极管品质因子方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201010293471.8有效
发明人：刘柏村;邹一德;邓立峰;李富海;谢汉萍;林威廷;洪铭钦;萧仲钦;张钧杰;陈伯纶 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-09-20 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制造方法，此方法包括在基板形成栅极、源极以及漏极。另外，在栅极以及源极与漏极之间形成氧化物半导体材料，其中形成氧化物半导体材料的方法包括进行沉积程序，且在结束所述沉积程序之前，于沉积程序中通入氮气以于氧化物半导体材料上方形成氧化物半导体氮化物。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法-CN201410061903.0有效
发明人：简廷宪;钟德镇;吴婷婷;戴文君 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2014-02-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：金属氧化物半导体薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层以及金属氧化物半导体层。栅极绝缘层位于栅极与金属氧化物半导体层之间。栅极绝缘层包括氮氧化硅层和氧化硅层。氮氧化硅层位于栅极与氧化硅层之间。氧化硅层位于氮氧化硅层与金属氧化物半导体层之间，且氧化硅层具有与氮氧化硅层接触的第一表面以及与金属氧化物半导体层接触的第二表面。氧化硅层靠近第二表面的氧原子密度大于氧化硅层靠近第一表面的氧原子密度。金属氧化物半导体薄膜晶体管，在减少工艺时间的同时，有效的解决了因成膜应力过大而导致的玻璃基板易破片的问题，并有利于减少栅极绝缘层对金属氧化物半导体层中的氧含量的影响。
金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202110047069.X在审
发明人：杨蒙蒙;白杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，用于解决半导体结构的氧化物厚度较大的技术问题。该半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括器件区域和浅沟槽隔离区域，浅沟槽隔离区域环绕器件区域，器件区域暴露于基底表面；于基底上沉积阻挡层，阻挡层至少覆盖器件区域；形成初始氧化物，初始氧化物位于器件区域内，且与阻挡层接触；去除部分初始氧化物，形成器件氧化物。形成初始氧化物时，利用阻挡层遮挡器件区域，可以减缓初始氧化物的生长速率，控制初始氧化物的厚度，形成较薄的初始氧化物，最终形成较薄的器件氧化物。此外，去除部分初始氧化物后形成器件氧化物，进一步减小了器件氧化物的厚度。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201780040477.4有效
发明人：汤田洋平;绵引达郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：即使在n型氧化物半导体中设置p型氧化物半导体作为终端结构，也防止p型氧化物半导体被n型氧化物半导体的氧所氧化。半导体装置(10)，其具备：n型氧化镓基板(1)；与n型氧化镓基板1接合的阳极电极(3)；和设置于n型氧化镓基板(1)的阴极电极(2)，使电流经由在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间设置的n型氧化镓基板(1)在阳极电极(3)与阴极电极(2)之间流动，其特征在于，具备：与将阳极电极(3)与n型氧化镓基板(1)接合的接合部邻接地设置的p型氧化物半导体层(4a)；和在p型氧化物半导体层4a与n型氧化镓基板(1)之间所设置的氮化物层(7)。
半导体装置制造方法