“氧化物半导体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3557151个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管-CN201380029493.5有效
发明人：后藤裕史;三木绫;岸智弥;广濑研太;森田晋也;钉宫敏洋 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种具有迁移率良好、应力耐受性也优异、并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少依次有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极及保护膜，其中，前述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IZTO)的层叠体，前述第二氧化物半导体层形成于前述栅极绝缘膜之上，且前述第一氧化物半导体层形成于前述第二氧化物半导体层与前述保护膜之间，并且在前述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为Ga5％以上、In25％以下(不含0％)、Zn35～65
薄膜晶体管

[发明专利]用于改善金属氧化物半导体层的导电率的方法-CN201480041709.4有效
发明人： M·纳格;A·布罗卡姆;R·穆勒 -专利权人： IMEC非营利协会;荷兰应用自然科学研究组织TNO;鲁汶天主教大学研究开发部
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本公开提供一种用于改善金属氧化物半导体层在预定位置处的导电率的方法。该方法包括：在基板上提供金属氧化物半导体层；借助原子层沉积在金属氧化物半导体层的顶部上提供金属氧化物层，其中该金属氧化物层在预定位置与金属氧化物半导体层物理接触。惊奇地发现该方法导致金属氧化物半导体层在预定位置处有增加的导电率。本公开的方法可有利地用在针对自对准顶栅金属氧化物半导体薄膜晶体管的制造过程中，以改善源极和漏极区域中的导电率。
用于改善金属氧化物半导体导电方法

[发明专利]结晶性氧化物半导体膜及氧化镓膜的制造方法、以及纵向型半导体装置的制造方法-CN202080095445.6在审
发明人：渡部武纪;桥上洋 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。
结晶氧化物半导体氧化制造方法以及纵向装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN201180057486.7有效
发明人：山崎舜平;高桥正弘;丸山哲纪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-11-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：通过对将氧化物半导体膜用作沟道的晶体管给予稳定的电特性来制造高可靠性半导体装置。形成可通过热处理具有第一晶体结构的氧化物半导体膜及可通过热处理具有第二晶体结构的氧化物半导体膜而加以层叠，并接着进行热处理，由此通过将具有第二晶体结构的氧化物半导体膜作为晶种而发生晶体生长，以形成具有第一晶体结构的氧化物半导体膜以此方式形成的氧化物半导体膜应用于晶体管的有源层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN200710194362.9有效
发明人：葛崇祜;柯志欣;陈宏玮;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体基底；形成“N”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，此步骤包括形成第一源极/漏极电极于“N”型金属氧化物半导体装置的第一源极/漏极区上；形成“P”型金属氧化物半导体装置于半导体基底的表面上，其步骤包括形成第二源极/漏极电极该“P”型金属氧化物半导体装置的第二源极/漏极区上；形成具有第一固有应力的第一应力薄膜，于“N”型金属氧化物半导体装置上；以及形成具有第二固有应力的第二应力薄膜，于“P”型金属氧化物半导体装置上。所以可使得栅极长度小于65纳米的金属氧化物半导体装置仍具有良好的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610388382.9在审
发明人：山崎舜平;佐佐木俊成;野田耕生 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一是提供一种包括氧化物半导体的半导体装置，其具有稳定的电特性和高可靠性。通过在超过200℃的温度下利用溅射法形成用作晶体管的沟道形成区的氧化物半导体膜，使根据热脱附谱分析法从所述氧化物半导体膜脱离的水分子的数量为0.5个/nm³以下。通过防止会成为包括氧化物半导体膜的晶体管的电特性变动原因的水、氢、羟基或氢化物等的包含氢原子的物质混入到氧化物半导体膜中，可以使氧化物半导体膜高纯度化并成为电特性i型(本征)化半导体。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法-CN201010197655.4有效
发明人：浅野裕治;肥塚纯一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成其导电率高于该氧化物半导体层的缓冲层，在该缓冲层上形成源电极层及漏电极层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。
半导体装置制造方法

[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构-CN201610723919.2有效
发明人：叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供两种金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构，第一种结晶方法是在压力为约550mtorr至约5000mtorr，温度为约200℃至约750℃下，以氧气处理包含铟的非结晶金属氧化物半导体层。第二种结晶方法是先依序形成第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层于基板上，在温度为约350℃至约650℃下，以惰性气体处理第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层本发明的金属氧化物半导体层的结晶方法制备的半导体结构能够有效抵御蚀刻剂侵蚀，能够广泛用于制备薄膜晶体管。
金属氧化物半导体结晶方法结构

[发明专利]即使在可见光范围内也具有催化活性的光催化剂-CN02801197.X无效
发明人：松尾伸也;小俣孝久 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2002-07-18 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： B01J35/02 文献下载
摘要：在可见光范围内具有高催化功能的本发明光催化剂包括一种包含p－型氧化物半导体和n－型氧化物半导体的具有异结面的氧化物复合物，所述p－型氧化物半导体和n－型氧化物半导体相互在一起具有光催化性能且至少一种即使在可见光范围内也具有光催化性能即使在可见光范围内也具有光催化性能的p－型氧化物半导体例如为钙钛矿型氧化物Ca(Zr0.95Y0.05)O3－δ，且n－型氧化物半导体例如为锐钛矿型氧化钛。
即使可见光范围内具有催化活性光催化剂

[发明专利]半导体存储器件-CN202210169606.2在审
发明人：郑在景;柳民泰;薛玹珠;柳成原;李元锡;赵珉熙;许栽硕 -专利权人：三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件，包括：位线，在第一方向上延伸；沟道图案，在位线上并且包括与位线接触的第一氧化物半导体层和在第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层，其中，第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层中的每一个包括与位线平行的水平部分以及从水平部分竖直地突出的第一竖直部分和第二竖直部分；第一字线和第二字线，在第二氧化物半导体层的第一竖直部分与第二竖直部分之间并且在第二氧化物半导体层的水平部分上；以及栅介电图案，在沟道图案与第一字线和第二字线之间。第二氧化物半导体层的厚度大于第一氧化物半导体层的厚度。
半导体存储器件

[发明专利]半导体装置-CN201480064634.1有效
发明人：齐藤贵翁;金子诚二;神崎庸辅;高丸泰;井手启介;松尾拓哉;森重恭;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠
半导体装置

[发明专利]蚀刻溶液、基板的表面处理方法及形成浅沟槽隔离的方法-CN200810091200.7有效
发明人：吴家伟;谢荣裕;杨令武 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：此蚀刻溶液是用以进行半导体基板的表面处理，此蚀刻溶液包括氧化剂以及氧化物移除剂。氧化剂是用以氧化半导体基板为半导体氧化物。氧化物移除剂用以移除上述的半导体氧化物。
蚀刻溶液表面处理方法形成沟槽隔离

[发明专利]薄膜晶体管阵列面板的制造方法-CN201010512778.2无效
发明人：金泳敏;郑然泽;张善弼;赵承奂;金保成;崔泰荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种包括氧化物半导体层的薄膜晶体管阵列面板及一种容易地制造该薄膜晶体管阵列面板的方法，其中，该氧化物半导体层实现了优异的稳定性和电特性。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基底；氧化物半导体层，设置在基底上，并包括从由氧化锌、氧化锡和氧化铪组成的组中选择的金属氧化物；栅电极，与氧化物半导体层叠置；栅极绝缘膜，设置在氧化物半导体层和栅电极之间；源电极和漏电极，设置成彼此分开并且与氧化物半导体层至少部分地叠置。
薄膜晶体管阵列面板制造方法

[发明专利]显示面板、薄膜晶体管及其制造方法-CN201310110856.X有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;蔡学宏;王裕霖;陈蔚宗 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管，包括栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极。栅极与金属氧化物半导体通道重叠。介电层阻隔栅极、源极以及漏极。源极以及漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构。此外，上述薄膜晶体管的显示面板及其制造方法也被提出。
显示面板薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200980141428.5无效
发明人：井上一吉;矢野公规;笘井重和;笠见雅司;川岛浩和;宇都野太 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，其特征在于，具有栅电极、栅极绝缘膜、与栅极绝缘膜相接的氧化物半导体膜以及与氧化物半导体膜连接且由沟道部隔开的源电极及漏电极，所述氧化物半导体膜包含含有氢元素的结晶质氧化铟，相对于形成氧化物半导体膜的所有元素，所述氧化物半导体膜中所含的氢元素的含量为0.1at％～5at％。
薄膜晶体管及其制造方法