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[发明专利]晶体管和形成氧化物半导体晶体管的方法-CN202110721471.1在审
发明人：蒋国璋;孙宏彰;杨子庆;赖昇志;江昱维;谢佑刚;杨丰诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括沟道层的晶体管及其制造方法，沟道层包括氧化物半导体材料。该晶体管包括沟道层，该沟道层包括具有第一氧浓度的第一氧化物半导体层、具有第二氧浓度的第二氧化物半导体层和具有第三氧浓度的第三氧化物半导体层。第二氧化物半导体层位于第一半导体氧化物层和第三氧化物半导体层之间。第二氧浓度低于第一氧浓度和第三氧浓度。本发明的实施例还涉及形成氧化物半导体晶体管的方法。
晶体管形成氧化物半导体方法

[发明专利]氧化物半导体装置以及其制作方法-CN201811213723.4有效
发明人：黄仁柏;赖建铭;陈彦臻;黄圣尧;陈慧玲;廖星华;方汉川 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化物半导体装置以及其制作方法，该氧化物半导体装置包括一基底、一第一图案化氧化物半导体层、一源极电极、一漏极电极以及一侧壁间隙壁。第一图案化氧化物半导体层设置于基底上。源极电极与漏极电极设置于第一图案化氧化物半导体层上。侧壁间隙壁设置于第一图案化氧化物半导体层的一侧壁上。侧壁间隙壁可用以改善阻挡杂质由侧壁进入第一图案化氧化物半导体层的效果，由此提升氧化物半导体装置的电性表现与可靠度。
氧化物半导体装置及其制作方法

[发明专利]静电感测装置-CN201811495586.8有效
发明人：竹知和重;岩松新之辅;阿部泰;村上穰;矢作彻;加藤睦人 -专利权人：天马日本株式会社
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：静电感测装置包括传感器氧化物半导体TFT以及被配置为控制传感器氧化物半导体TFT的控制器。传感器氧化物半导体TFT包括：氧化物半导体有源层；与氧化物半导体有源层连接的源极；与氧化物半导体有源层连接的漏极；在氧化物半导体有源层后面的栅极；以及在栅极和氧化物半导体有源层之间的栅极绝缘层。
静电装置

[发明专利]具有稀土氧化物的半导体结构-CN201210401766.1有效
发明人：王敬;梁仁荣;郭磊;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提出一种具有稀土氧化物的半导体结构，包括：半导体衬底；和形成在半导体衬底上的交替堆叠的多层绝缘氧化物层和多层单晶半导体层，其中，与半导体衬底接触的绝缘氧化物层的材料为稀土氧化物或者二氧化硅，其余的绝缘氧化物层的材料为单晶稀土氧化物根据本发明实施例的半导体结构，通过绝缘氧化物层和单晶半导体层之间的晶格匹配，可以显著降低半导体结构的晶体缺陷，从而有利于在该半导体结构上进一步形成高性能、高密度的三维半导体器件，大幅度提高器件的集成密度
具有稀土氧化物半导体结构

[发明专利]半导体装置-CN201611144591.5有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280050475.0有效
发明人：本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-10-05 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
半导体装置

[发明专利]氧化物半导体靶、其形成方法、使用其形成氧化物半导体层的方法及使用其制造半导体器件的方法-CN200880011578.X有效
发明人：金昌桢;李制勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-11 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供形成氧化物半导体层的方法和使用该形成氧化物半导体层的方法制造半导体器件的方法。该方法包括：将氧化物半导体靶安装在腔室中；将基底装到该腔室中；将该腔室抽真空；在将氧气和溅射气体注入到该腔室中的同时将直流功率施加到该氧化物半导体靶上；和通过将该溅射气体的等离子体施加到该氧化物半导体靶上而在该基底表面上形成氧化物半导体层在此，该氧化物半导体靶可具有1kΩ或更小的电阻。该氧化物半导体靶可具有x(第一氧化物)·y(第二氧化物)·z(第三氧化物)的组成，其中x、y和z为摩尔比。所述第一至第三氧化物各自可为Ga₂O₃、HfO₂、In₂O₃和ZnO之一但彼此不同。该氧化物半导体靶可为Ga₂O₃、HfO₂、In₂O₃和ZnO之一。
氧化物半导体形成方法使用制造半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201610175016.5有效
发明人：山崎舜平;乡户宏充 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请题为“半导体装置的制造方法”。在包括氧化物半导体膜的晶体管中，形成与氧化物半导体膜接触并且覆盖源电极及漏电极的用来防止带电的金属氧化物膜，然后进行热处理。通过该热处理，从氧化物半导体膜中有意地去除氢、水分、羟基或者氢化物等杂质，以高度纯化氧化物半导体膜。通过设置金属氧化物膜，可以防止在晶体管中的氧化物半导体膜的背沟道侧产生寄生沟道。
半导体装置制造方法

[发明专利]氧化物半导体的加工方法及薄膜晶体管的制造方法-CN202080042357.X在审
发明人：松尾大辅;安东靖典 -专利权人：日新电机株式会社
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种加工方法，在结晶性不同的两种氧化物半导体层叠而成的氧化物半导体层的加工中容易获得所需的形状。所述加工方法将包含氧化物半导体的第一半导体层、与包含较构成所述第一半导体层的氧化物半导体而言结晶性高的氧化物半导体的第二半导体层自基板侧依序层叠而成的半导体层叠体，利用离子研磨法进行加工而成形。
氧化物半导体加工方法薄膜晶体管制造

[发明专利]氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置-CN201710803849.6有效
发明人：神例信贵;百濑寿代 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。提供一种提高了耐热性的氧化物半导体、半导体装置、半导体存储装置及固体摄像装置。根据实施方式，提供一种含有铟(In)、镓(Ga)和硅(Si)的氧化物半导体。所述氧化物半导体中的Si与In的组成比(Si/In)大于0.2。所述氧化物半导体中的Si与Ga的组成比(Si/Ga)大于0.2。
氧化物半导体装置存储固体摄像

[发明专利]半导体装置-CN202110664358.4在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201810569628.1有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280063818.7有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包含氧化物半导体膜的具有稳定的电特性的晶体管。在该晶体管中，在能够通过加热释放氧的氧化膜上形成可以至少抑制从氧化膜释放氧的第一氧化物半导体膜。在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜。通过采用层叠有氧化物半导体膜的结构，可以当形成第二氧化物半导体膜时抑制从氧化膜释放氧，并且通过进行此后的热处理从氧化膜释放氧。因此，以氧能够透过第一氧化物半导体膜适当地供应到第二氧化物半导体膜。通过将氧供应到第二氧化物半导体膜，抑制氧缺陷而得到稳定的电特性。
氧化物半导体膜氧化膜释放电特性晶体管半导体装置热处理氧供应氧缺陷加热

[发明专利]一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件-CN202111481852.3有效
发明人：李良;郑为霖;何梦达;孔龙 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件，其中，一种半导体复合发光材料包括半导体荧光材料和氧化物，氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100。氧化物与半导体荧光材料形成异质结结构，所得到的复合物形成type Ⅱ能级结构，且半导体荧光材料和氧化物的摩尔比为1:1～100，通过调控氧化物的种类和含量，获得波长可调，光谱稳定的半导体复合发光材料。
一种半导体复合发光材料制备方法器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210538580.4在审
发明人：金子寿辉;木村史哉 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种可靠性优异的半导体装置。另外，提供一种能够廉价地制造的半导体装置的制造方法。半导体装置包括基板、基板上的氧化物半导体层、氧化物半导体层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的金属氧化物层和金属氧化物层上的栅极电极，金属氧化物层的第1侧面在俯视时从栅极电极的第2侧面突出。在基板上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成金属氧化物膜，在金属氧化物膜上形成金属膜，在金属膜上形成抗蚀剂，通过将抗蚀剂作为掩模对金属膜和金属氧化物膜连续地进行湿蚀刻，来形成栅极电极和金属氧化物层。
半导体装置及其制造方法