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[实用新型]半导体封装件-CN202320918079.0有效
发明人：王麒玮;吴尚霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一衬底；第一无源元件，设置在第一衬底上；第二无源元件，设置在第一无源元件上；第一纳米线结构，位于第一无源元件和第二无源元件之间，并且电连接第一无源元件和第二无源元件。本申请的实施例通过使用第一纳米线结构电连接第一无源元件和第二无源元件，第一纳米线结构的厚度和体积远小于现有技术的焊球/焊料/其他焊接金属材料，在有限的空间内可以堆叠更多无源元件，提高了半导体封装件的空间利用率。
半导体封装

[实用新型]电子装置-CN202223366286.4有效
发明人： 吴尚霖 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种电子装置，该电子装置包括基板，基板具有置件区和非置件区；电子元件，设置在置件区并且通过互连件连接至基板，互连件由焊料形成；测试电极，设置在非置件区；第一限位元件，设置在非置件区，并且用于与互连件相同的焊料连接；第二限位元件，设置在第一限位元件与测试电极之间，并且用于阻挡焊料。上述技术方案至少可以防止来自形成互连件的焊料喷溅至测试电极，使得焊料不会对后段制程的电性测试造成影响。
电子装置

[发明专利]基于退化模型的铣削刀具剩余寿命预测方法-CN202310206684.X有效
发明人：赵正彩;李尧;朱夏林;张创;傅玉灿;徐九华;吴尚霖 -专利权人：南京航空航天大学;南京晨光集团有限责任公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明公开了基于退化模型的铣削刀具剩余寿命预测方法，该方法的主要流程为：首先联合振动、负载电流和主轴功率信号以及PLC辅助信息进行数据预处理，选取排序靠前的特征参与主成分融合并构建健康因子作为观测数据，最后设计一个在线更新退化模型来学习多源输入特征与刀具剩余寿命之间的复杂非线性联系，实现刀具剩余寿命的迭代估计。本发明将融合分析的健康因子作为评价刀具剩余寿命的指标，能够更加科学、精准、可靠地评价刀具剩余寿命。
基于退化模型铣削刀具剩余寿命预测方法

[发明专利]主动元件基板-CN202211471373.8在审
发明人： 吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种主动元件基板，包括基板、缓冲层、第一金属氧化物图案、第一栅绝缘结构、第二半导体层、第二栅绝缘结构、第一栅极、第二栅极、第一源极、第一漏极、第二源极以及第二漏极。第一金属氧化物图案位于缓冲层上，且包括第一半导体层以及第一阻氧层。第一栅绝缘结构位于第一金属氧化物图案上。第二半导体层位于第一栅绝缘结构上。第一阻氧层至少部分重叠于第二半导体层。第二栅绝缘结构位于第二半导体层以及第一栅绝缘结构上。第一栅极以及第二栅极位于第二栅绝缘结构之上，且分别重叠于第一半导体层以及第二半导体层。
主动元件

[发明专利]主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法-CN202211225680.8在审
发明人：黄震铄;吴尚霖;陈国光;蔡志鸿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种主动元件基板、电容装置以及主动元件基板的制造方法，其中该主动元件基板，包括基板以及位于基板之上的第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一金属氧化物层、第一栅极、第一源极以及第一漏极。第一栅介电层以及第二栅介电层位于第一栅极与第一金属氧化物层之间。第二薄膜晶体管包括第二金属氧化物层、第二栅极、第二源极以及第二漏极。第二栅介电层位于第二栅极与第二金属氧化物层之间，且第二金属氧化物层位于第一栅介电层与第二栅介电层之间。第一栅极与第二栅极属于同一图案化层。
主动元件电容装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210825455.1在审
发明人： 吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、第一氮化硅层、第二氮化硅层、氧化物绝缘层以及第一金属氧化物层。第一氮化硅层位于基板之上。第二氮化硅层位于第一氮化硅层之上。第一氮化硅层与第二氮化硅层都包含氢元素。第二氮化硅层的氢浓度低于第一氮化硅层的氢浓度。第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。氧化物绝缘层位于第二氮化硅层上。第一金属氧化物层位于氧化物绝缘层上。第二氮化硅层位于第一金属氧化物层与基板之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210826221.9在审
发明人： 吴尚霖 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅介电层、栅极、层间介电层、第一导电氧化物层、第一电极以及第二电极。第一栅介电层位于金属氧化物半导体层之上。栅极位于第一栅介电层之上，且重叠于金属氧化物半导体层。层间介电层位于栅极之上。层间介电层具有第一接触孔。第一接触孔横向地分离于金属氧化物半导体层。第一导电氧化物层位于第一接触孔下方。第一电极填入第一接触孔，并通过第一导电氧化物层而电连接至金属氧化物半导体层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210863090.1在审
发明人： 吴尚霖;陈衍豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板、第一氧化物层、绝缘图案、金属氧化物层、栅介电层、栅极、源极以及漏极。第一氧化物层位于基板之上。绝缘图案位于第一氧化物层上，且包括氮化硅层以及第二氧化物层。氮化硅层位于第一氧化物层与第二氧化物层之间。金属氧化物层接触第一氧化物层的上表面、绝缘图案的侧壁以及绝缘图案的上表面。栅介电层位于金属氧化物层上。栅极位于栅介电层上。部分绝缘图案位于栅极与基板之间。源极以及漏极电性连接金属氧化物层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种数控机床加工过程中实时刀具防碰撞方法-CN202210053793.8在审
发明人：冷晟;王睿昕;陈蔚芳;冯天民;吴尚霖 -专利权人：南京航空航天大学;南京晨光集团有限责任公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05B19/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种数控机床加工过程中实时刀具防碰撞方法，涉及数控机床防碰撞技术领域。该实时防刀具碰撞方法通过数控系统实时采集机床加工数据，建立实时防碰撞系统，实时防碰撞系统获取数控系统的数控代码，编译成指令，通过指令监控实时防碰撞系统，若发生碰撞则向机床操作人员发出报警，机床操作人员根据报警信息修改对应的数控代码，并重复上述过程，直至完成数控机床加工过程。本发明数控机床加工过程中实时防碰撞方法具有实时性强、碰撞检测计算量小、效率高及结果准确等特点。
一种数控机床加工过程实时刀具碰撞方法

[实用新型]梯级利用船舶余热进行水热碳化的粪污快速资源化装置-CN202121794547.5有效
发明人：晏千明;喻可;潘海川;徐柏淳;周梓轩;吴尚霖;袁军杰;段臻昀;杨民;张秉昕 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C02F11/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种梯级利用船舶余热进行水热碳化的粪污快速资源化装置，属于船舶粪污资源化技术领域。该装置包括进料单元、水热碳化单元、余热梯级利用单元和水热产物收集单元，进料单元、水热碳化单元、余热梯级利用单元和水热产物收集单元依次相接，进料单元中的截污挂篮板能够调节粪污中粪便与尿液的配比，有效契合船舶颠簸的航行条件。本装置通过将粪便进行水热碳化反应，得到高热值水热炭和液体，具有装置小型化、占地面积小、自动化程度高、适应航行情况、处理效率高等优点；其制备的水热炭可作为优质燃料、生物炭肥等；其制备的液体可作液态肥，也可作为船舶生活污水处理装置反硝化补充碳源。
梯级利用船舶余热进行碳化快速资源化装

[发明专利]用于实现高精密孔系零件自由浮动珩磨加工的快换夹具-CN202011114110.2在审
发明人：吴思旋;吴尚霖;邢建峰;朱夏林;徐斌;李继峰 -专利权人：南京晨光集团有限责任公司
申请日： 2020-10-18 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B24B33/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现高精密孔系零件自由浮动珩磨加工的快换夹具，包括统一基座和适配零件的安装座；统一基座由气动压紧元件、浮动环组件、第一支架、导向轴、底板、第二支架组成，安装座由导向轴、第一吸扭销、包裹套、基座、第二吸扭销等组成，导向轴安装在基座上，同时与统一基座上的浮动环组件相连接，第二吸扭销穿过基座插入包裹套，防止包裹套在加工过程中随珩磨杆转动，第一吸扭销穿过包裹套插入零件侧孔，防止零件在加工过程中随珩磨杆转动。本发明通过更改适配零件的安装座，完成不同结构零件内孔的珩磨，浮动环与座窝的机械式组合实现平面范围内一定的自由度，从而更好的保证零件精度要求。
用于实现精密零件自由浮动加工夹具

[发明专利]灵芝子实体悬浮液与纳米/次微米级灵芝子实体悬浮液-CN200910143787.6有效
发明人：江怡娴;林颖圣;黄安义;郑育修;黄雅翌;林俊州;吴尚霖 -专利权人：生春堂制药工业股份有限公司
申请日： 2009-05-26 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： A23L1/28 文献下载
摘要：一种灵芝子实体悬浮液与纳米/次微米级灵芝子实体悬浮液，该灵芝子实体悬浮液为灵芝子实体经由机械式研磨后所得到含有灵芝微粒的液体，并含有纤维质、几丁质及β-葡聚糖，且灵芝微粒的体积平均粒径小于10μm。透过机械式研磨制成的灵芝子实体悬浮液，除了无须萃取便可获得完整的活性成分外，还可大幅提高纤维质比表面积，且纤维质的后续利用无须再粉碎，可作为一种良好的膳食纤维添加物。
灵芝实体悬浮液纳米微米

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